講演・口頭発表等 - 加藤 正史
-
[21a-141-4] 4H-SiCのSi・C面表面再結合速度 -測定・解析精度向上による再検討-
加藤 正史、Zhang Xinchi、小濱 公洋、市村 正也
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
-
[20p-221C-5] 表面積拡大による3C-SiC光電極の性能向上
安部 友裕、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
-
MO.04.01 Modeling Physical Properties of Single Shockley-type Stacking Fault in 4H-SiC PiN Diode 国際会議
K. Nakayama, T. Kimoto, M. Kato, Y. Yonezawa, H. Okumura
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)
開催年月日： 2018年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：The International Conference Centre, Birmingham, UK
-
TH.03.03 Surface recombination velocity for non-polar faces of 4H-SiC 国際会議
M. Kato, X. Zhang, K. Kohama, M. Ichimura
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCR 2018)
開催年月日： 2018年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：The International Conference Centre, Birmingham, UK
-
第66回年次大会・工学教育研究講演会
関 健太、平田 晃正、王 健青、安井 晋示、加藤 正史、岩崎 誠
第66回年次大会・工学教育研究講演会
開催年月日： 2018年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
-
Carrier lifetime measurements for power semiconductor materials 招待あり 国際会議
Masashi Kato
the Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Songdo Convensia, Korea
-
7C-3.4 Slow carrier recombination in a GaN epilayer grown on a GaN substrate 国際会議
Takato Asada, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Masashi Kato
The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA
-
[19a-C302-5] GaNホモエピ膜のTR-PL信号における遅い時定数成分に対する数値解析
加藤 正史、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
-
[19a-C302-4] GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰
浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
-
[19p-D103-14] 4H-SiC非極性面の表面再結合速度の解析
章 心馳、小濱 公洋、市村 正也、加藤 正史
第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
-
SiCショットキー電極研究の歴史と現状 招待あり
加藤 正史
日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会第１０７回研究会
開催年月日： 2018年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：キャンパス・イノベーションセンター（CIC）東京
-
4H-SiC 中のAl 準位のPoole-Frenkel 効果定量化の試み
大河内 優太朗，加藤 正史，市村 正也
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
SiC 内の非破壊キャリアライフタイム分布測定
前 伸一, 俵 武志, 土田 秀一, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
4H-SiC 中 1SSF・PD 起因フォトルミネッセンス時間分解測定
片平 真哉，市川 義人，原田 俊太，木本 恒暢，加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
Nb ドープ TiO2 単結晶におけるキャリアライフタイムが光電極性能に及ぼす影響
小澤 貴也, 名嶋 駿, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
4H-SiC A 面電子線励起による基底面転位の拡張挙動
石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
4H-SiC (10-10)m 面及び(11-20)a 面の表面再結合速度
Xinchi Zhang，加藤 正史，小濱 公洋，市村 正也
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
キャリアライフタイム測定によるGaN 基板上GaN エピ層の結晶欠陥評価
浅田 貴斗, 伊藤 健治, 冨田 一義, 成田 哲生, 加地 徹, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
-
P-Type 3C-SiC Photocathode for Solar to Hydrogen Energy Conversion 招待あり 国際会議
Masashi Kato
232nd ECS MEETING THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY.
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：National Harbor, MD
-
Correlation Between Carrier Lifetime and Photolytic Performance of Nb-Doped TiO2 Single Crystals 国際会議
T. Ozawa, H. Najima, M. Ichimura, M. Kato
232nd ECS MEETING THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY.
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：National Harbor, MD
