講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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Improvement of forward characteristics for n-type 4H-SiC Schottky diode using passivation of defects by anodic oxidation 国際会議
Masaya Kimura, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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Observation of deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 国際会議
Kazuki Yoshihara, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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キャリアライフタイムのエピ厚依存性観測による4H-SiC 表面再結合速度評価
加藤正史,吉田敦史,市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオード順方向特性の改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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3C-SiCウェハーにおける過剰キャリアライフタイムと歪みの断面観察
吉田敦史、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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SiCの水分解応用におけるポリタイプおよび結晶品質依存性の評価
安田智成、加藤正史、市村正也、畑山智亮
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCに存在する深い準位の観測
吉原一輝、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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Estimation of the Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of the Carrier Lifetime in n-type 4H-SiC Epilayers 国際会議
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Aichi Industry & Labor Center
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Characterization of deep levels in semi-insulating SiC 国際会議
Masashi Kato
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON MATERIALS CHARACTERISATION Crystal Growth Centre, Anna University
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Crystal Growth Centre, Anna University
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Correlation Between Strain and Excess Carrier Lifetime in a 3C-SiC Wafer 国際会議
Atsushi Yoshida, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2011 Chairs
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Cleveland, Ohio
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Characterization of Photoelectrochemical Properties of SiC as a Water Splitting Material 国際会議
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2011 Chairs
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Cleveland, Ohio
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自立4H-SiC エピ膜のキャリアライフタイム測定による表面再結合速度評価
加藤正史，吉田敦史，市村正也
第72回 応用物理学会学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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水の光分解材料としての4H-SiCバルク結晶とエピタキシャル膜の特性比較
安田智成，加藤正史，市村正也，畑山智亮
第72回 応用物理学会学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性
加藤正史、吉田敦史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価
安田智成、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価
吉田敦史、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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水の光分解材料としてのSiC光電気化学特性評価
安田智成，加藤正史，市村正也
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiCウェハー内の歪みとキャリアライフタイムの相関性評価
吉田敦史，加藤正史，市村正也
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Observation of Nano-Scale Killer Defects on Silicon Carbide by Electrochemical Deposition of ZnO 国際会議
Masashi Kato
NANO-SciTech 2011
開催年月日： 2011年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
