講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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Temperature dependent carrier lifetime measurements on free-standing 4H-SiC epilayer 国際会議
Jan Beyer, Masashi Kato, Nadine Schüler, Kay Dornich, Johannes Heitmann
European Materials Research Society 2019 Spring Meeting
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nice, France
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[9p-S321-7] Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and 3C-SiC in tandem structure
Zhenhang Liu、Masashi Kato
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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[11a-PB4-14] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動
石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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[10a-PB1-18] ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定
河根 拓哉、Matt Gebhard、Osvet Andres、Shrestha Shreetu、Jevgen Levchuk、Brabec Christoph、Kanak Andrii、Fochuk Petro、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学
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[11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測
長屋 圭祐、平山 貴史、俵 武志、村田 晃一、土田 秀一、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[11p-70A-9] 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング
長屋 圭祐、平山 貴史、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学
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Characterization and Suppression of Defects in Silicon Carbide Crystal for Power Semiconductors 招待あり 国際会議
Masashi Kato
Semiconductor Power Devices National Chiao-Tung University
開催年月日： 2018年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：National Chiao-Tung University
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SiC結晶のキャリア寿命評価 招待あり
加藤 正史
第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会 日本学術振興会 結晶加工と評価技術第１４５委員会
開催年月日： 2018年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：電力中央研究所
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SiC結晶の応用分野と評価技術 ーパワーデバイス・光触媒とキャリア寿命を中心にー 招待あり
加藤正史
応用物理学会東海支部 第4回ニューフロンティアリサーチワークショップ
開催年月日： 2018年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋工業大学
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CR6-4 Analysis of slow decays in TR-PL signals from a GaN homoepitaxial layer 国際会議
Masashi Kato, Takato Asada, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：The Ishikawa Ongakudo, the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, Japan
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IIB-25 Hydrogen generation by water Splitting using TiO2 and SiC in tandem structure
LIU Zhenhang, Masashi Kato
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IA-5 GaN 基板上GaNエピ層の遅いキャリア再結合測定による結晶欠陥評価
浅田貴斗, 伊藤健治, 冨田一義, 成田哲生,加地徹, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-6 4H-SiC厚膜エピにおけるライフタイム深さ分布の測定
平山貴史, 櫛部光弘, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-7 4H-SiCウェハ表面におけるライフタイムの二次元マッピング
長屋圭祐, 平山貴史, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-9 キャリアライフタイム測定によるGaN基板上n型およびp型エピ層の比較
朱帥,浅田貴斗,伊藤健治,冨田一義,成田哲生,加地徹,加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-18 平均表面粗さ増加による3C-SiC光電極の性能向上
安部友裕, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIB-11 4H-SiC極性面及び非極性面における表面再結合速度の解析
Zhang Xinchi，加藤正史，小濱公洋，市村正也
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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[C5-1] Carrier lifetime measurements for wide gap semiconductors SiC and GaN 国際会議
Masashi Kato
EVS31 & EVTeC 2018
開催年月日： 2018年09月 - 2018年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kobe Convention Center
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[20a-331-2] GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較
朱 帥、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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[21a-141-5] 4H-SiC厚膜エピにおける深さ分解ライフタイム測定
平山 貴史、櫛部 光弘、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
