講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性
吉原一輝，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島武
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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反応性イオンエッチングを施した4H-SiC表面のμ-PCD法による評価
森祐人，加藤正史，市村正也
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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SiCにおけるμ-PCD信号と過剰キャリア密度の相関
加藤正史，森祐人，市村正也
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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位相同期回路を利用したアナログ回路によるハウリング低減の試み
久保真奈美，谷口淳紀，加藤正史
電子情報通信学会 2013年総合大会 電子情報通信学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：岐阜大学
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ダクト内消音用2入力ニューラルネットワークアナログANC回路
兵藤 樹，加藤正史
電子情報通信学会 2013年総合大会 電子情報通信学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：岐阜大学
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シリコンカーバイドによる太陽光からの水素生成
加藤 正史
第３回次世代エネルギーシステム研究会 名古屋工業大学 曽我研究室
開催年月日： 2013年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋工業大学 １号館 ０１１１（C３）教室
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p型4H-SiC中の深い準位の捕獲断面積に関する考察
吉原一輝,加藤正史,市村正也,畑山智亮,大島武
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪市中央公会堂
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SiCを用いた水素生成応用に対するキャリアライフタイムの影響
三宅 景子,安田 智成,加藤 正史,市村 正也,畑山 智亮,大島 武
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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様々な加工処理を施した4H-SiC表面に対する表面再結合速度の評価
森祐人,加藤正史,市村正也
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪市中央公会堂
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Leakage Current Suppression Using Passivation of Defect by Anodic Oxidation for 4H-SiC Schottky Contacts 国際会議
M. Kato, M. Kimura, M. Ichimura
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
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SiCの水素生成応用における光電流とキャリアライフタイムの相関
三宅景子，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島 武
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学
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キャリアライフタイム測定による4H-SiC表面に対する大気圧プラズマ加工の影響評価
森 祐人，加藤正史，市村正也，佐野泰久
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学
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Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 国際会議
K. Yoshihara, M. Kato, M. Ichimura, T. Hatayama, T. Oshima
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM2012 Organizing committee
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：St. Petersburg, Russia
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Solar-to-hydrogen conversion efficiency of water photolysis with epitaxially grown p-type SiC 国際会議
T. Yasuda, M. Kato, M. Ichimura, T. Hatayama
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM2012 Organizing committee
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Saint-Petersburg, Russia
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オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上
兵藤 樹、朝倉 岳、塚田 究、加藤正史
電子情報通信学会 信号処理研究会
開催年月日： 2012年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学中之島センター
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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
吉原一輝、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
電子情報通信学会 電子デバイス研究会（ED） 電子情報通信学会
開催年月日： 2012年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：豊橋技術科学大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける価電子帯近傍の深い準位の観測
吉原一輝，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島 武
第５９回応用物理学関連連合講演会 公益社団法人応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：早稲田大学
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SiCによる水の光分解特性の二電極系における評価
安田智成，加藤正史，市村正也，畑山智亮
第５９回応用物理学関連連合講演会 公益社団法人応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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Moodleの活用によるインタラクティブ授業の試み
加藤正史
名工大 平成２３年度 第１回FD研究会 名古屋工業大学 工学教育総合センター 創造教育開発オフィス e-Education推進部会
開催年月日： 2012年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 2号館 0221講義室
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Possibility of Silicon Carbide as a Photocatalyst Material for Hydrogen Generation 国際会議
Masashi Kato, Tomonari Yasuda, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
