講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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High performance 3C-SiC photocathode with surface pn-junction 国際会議
Masashi KATO, Naoto ICHIKAWA, Masaya ICHIMURA
2017 International Conference on Artificial Photosynthesis
開催年月日： 2017年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Ritsumeikan University, Kyoto
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Fabrication of artificial photosynthesis systems consisting of Pt/SiC photocathode, CoOx/BiVO4:Mo photoanode, and perovskite solar cell 国際会議
Akihiko Kudo, Akihide Iwase, Yohei Numata, Naoto Ichikawa, Masashi Ikegami, Masashi Kato, Tsutomu Miyasaka
Asia-Pacific International Conference on Hybrid and Organic Photovoltaics (AP-HOPV17)
開催年月日： 2017年02月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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酸化物光陽極・SiC光陰極タンデム構成による太陽光－水素変換
加藤正史
新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」第５回最終シンポジウム
開催年月日： 2017年01月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学・大岡山キャンパス
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ＳｒＴｉＯ3単結晶に対するキャリアライフタイム評価
小澤貴也 加藤正史 市村正也
第２１回資源循環型ものづくりシンポジウム
開催年月日： 2016年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋市工業研究所
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A 面n 型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察および構造解析
須藤正喜,姚永昭,菅原義弘,石川由加里,加藤正史
2016 真空・表面科学合同講演会
開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起により発生した積層欠陥の構造解析
須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、石川 由加里、加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：つくば国際会議場
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助触媒の利用による水分解用3C-SiC光電極の性能向上
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：つくば国際会議場
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酸性水溶液による4H-SiC表面パッシベーション効果
市川義人、市村正也、木本恒暢、加藤正史
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：つくば国際会議場
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様々な処理を施した4H-SiCの表面再結合速度の温度依存性解析
小濱 公洋、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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2-Dimentional Characterization of 3C-SiC Layers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国際会議
K. Shiojima, M. Shingo, N. Ichikawa, M. Kato
SSDM2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Performance improvement of 3C-SiC photocathodes by using co-catalysts 国際会議
Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Greece, in the Porto Carras Grand Resort located in Sithonia, Halkidiki
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Isolated Carbon Interstitial Ci-CC Defects in 4H-SiC 国際会議
N.T. Son, X.T. Trinh, V. Ivady, H. Nakane, M. Kato, T. Ohshima, A. Gali, I. Abrikosov, E. Janzen
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Greece, in the Porto Carras Grand Resort located in Sithonia, Halkidiki
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Dependence of surface recombination velocity for 4H-SiC on contacted aqueous solution 国際会議
Yoshihito Ichikawa, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto, Masashi Kato
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Greece, in the Porto Carras Grand Resort located in Sithonia, Halkidiki
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界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価
橋爪 孝典、畑 裕介、加藤 正史、塩島 謙次
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価
塩島 謙次、市川 尚澄、加藤 正史
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察
須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、石川 由加里、加藤 正史
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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太陽光－水素エネルギー変換効率0.58%を示す3C-SiC光電極
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiC表面再結合の接触水溶液pH依存性
市川 義人、加藤 正史、市村 正也、木本 恒暢
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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n型4H-SiC中SSF起因フォトルミネッセンスの時間分解測定
加藤 正史、片平 真哉、市川 義人、市村 正也、原田 俊太
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Evaluation of surface recombination of SiC for development of bipolar devices 招待あり 国際会議
Masashi Kato
SPIE Optical Engineering + Applications SPIE
開催年月日： 2016年08月 - 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：San Diego
