講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation 国際会議
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Controlled domain in 3C-SiC epitaxial growth on off-oriented 4H-SiC substrate for water splitting 国際会議
Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment 国際会議
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年09月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Toward Eliminating SiC Bipolar Degradation by Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method 招待あり 国際会議
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 (24th IIT 2024) 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Toyama International Conference Center, Toyama, JAPAN 国名：日本国
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[20p-C32-7] シリコン界面のパッシベーションに及ぼすPEDOT:PSSの微細構造の影響
山中 健吾、黒川 康良、加藤 正史、曾我 哲夫、加藤 慎也
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[18a-C41-3] 単一ドメインエピタキシャル成長による3C-SiC光陰極性能向上
加藤 正史、Rho Kongshik、藤田 隼
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[18a-C41-2] 高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析
原田 俊太、坂根 仁、加藤 正史
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[19p-C41-3] 水素・ヘリウムイオン注入SiCダイオードにおける点欠陥深さ方向分布
加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[19p-C41-2] ヘリウムイオン注入によるSiC積層欠陥拡張抑制
加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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高エネルギーイオン注入(SF-KHII) によるSiC のバイポーラ劣化抑制 招待あり
加藤 正史、 原田 俊太、坂根 仁
応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第7回研究会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：明治大学駿河台キャンパス
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[Y-98] OCVD法を用いたパワーデバイスの信頼性評価装置の基礎検討
新見 渉・松盛裕明・加藤正史
2024年電気学会産業応用部門大会ヤングエンジニアポスター コンペティション（YPC） 2024年08月
開催年月日： 2024年08月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：水戸市民会館（茨城県水戸市泉町）
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高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合
加藤 正史、田中 和裕
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果
加藤 正史、渡邉 王雅、原田 俊太、坂根 仁
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、黒川 康良、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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CeO2単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析 国際共著
Zhang Endong、Brabec Christoph、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価
古橋 優1、石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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人工光合成 －太陽光から燃料を作る夢の技術－ 招待あり
加藤 正史
なごや環境大学 共育講座 ごきそテクノカフェ ～技術者と共に人類と地球の未来～ 2023年12月 名古屋市
開催年月日： 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：オンライン
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4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスおよびキャリア寿命評価
牧野 隼宜, 鈴木 健吾, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023年11月 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ANAクラウンプラザホテル金沢
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エピタキシャル成長前 SiC 基板への H +注入の PiN ダイオードへの効果
渡邉 王雅, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023年12月 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ANAクラウンプラザホテル金沢
