講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の光学・電気特性評価
古橋 優, 石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023年12月 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ANAクラウンプラザホテル金沢
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3-dimensional observation of dislocations in 4H-SiC using focused light birefringence 国際会議
Masashi Kato, Hisaya Sato, Tomohisa Kato, Koichi Murata, Shunta Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sorrent, Italy
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Excited carrier concentration dependence of surface recombination velocities for 4H-SiC with and without passivation 国際会議
Masashi Kato, Ayato Ogawa, Lei Han and Tomohisa Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sorrent, Italy
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High-energy ion channeling for deep implantation of Al into 4H-SiC 国際共著 国際会議
Manuel Belanche Guadas, Yoshiyuki Yonezawa, Inés Martí Hidalgo, René Heller, Corinna Martinella, Constantin Csato, Michael Rüb, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Tsunenobu Kimoto, Ulrike Grossner
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sorrent, Italy
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Observation of the c-axis direction in 4H-SiC for channeling ion implantation by the optical method 国際会議
Masashi Kato, Takumi Maruhashi, Hisaya Sato and Yoshiyuki Yonezawa
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sorrent, Italy
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Advances in Suppressing Bipolar Degradation in SiC Devices: Carrier Lifetime Control and Proton Implantation 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Sorrent, Italy
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[C-2-01] Mitigation of Carrier Trapping Effects on Carrier Lifetime Measurements with Continuous-Wave Laser Illumination for Metal Halide Perovskite Materials 国際共著 国際会議
NTUMBA LOBO, Gebhard Josef Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Levchuk Ievgen, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J Brabec, Masashi Kato
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Congress center
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[G-4-05] Photoelectrical Characterization of Heavily-doped p-SiC Schottky Contacts 国際会議
Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Congress center
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[N-2-01 (Invited)] Proton implantation: the last resort to solve bipolar degradation of SiC power devices? 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Nagoya Congress center
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[PS-4-04] Recombination coefficients for 3C- and 6H-SiC to analyze carrier recombination at stacking faults in 4H-SiC 国際会議
Kazuhiro TANAKA, Masashi KATO
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Congress center
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[PS-6-07] Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications 国際共著 国際会議
Endong Zhang, Masashi KATO
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Congress center
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3C-SiC 光触媒による高耐久・高効率水素生成と将来展望 招待あり
加藤 正史
公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第２５回研究会「ワイドギャップ半導体の新たな応用」 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Effects of polishing on carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals 招待あり 国際会議
Masashi Kato
E-MRS 2023 Spring Meeting 2023年05月
開催年月日： 2023年05月 - 2023年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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[15a-A301-5] 集光した偏光レーザーを用いたSiC内部の転位の3次元観測
佐藤 寿弥、加藤 智久、原田 俊太、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[17p-A301-2] HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違
石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[16p-A301-10] 偏光を用いたチャネリングイオン注入の角度検出
丸橋 拓実、佐藤 寿弥、米澤 喜幸、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[16p-PA04-1] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p+-SiCショットキー接触の二次元評価
今林 弘毅、澤崎 仁施、吉村 遥翔、伊藤 夏輝、加藤 正史、塩島 謙次
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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[17a-A408-4] TiO2およびSrTiO3単結晶のキャリア再結合に表面研磨処理が及ぼす影響
張 銘鑫、張 恩棟、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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SiCパワーデバイスへの水素イオン注入と転位運動抑制
加藤 正史
日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 11回研究会「パワー関連半導体の将来展望」 2023年03月 日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：ZoomによるWEB研究会(ハイブリッド開催), 東京大学生産技術研究所An棟401,402会議室
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SiC epi / sub 界面付近へのプロトン注入による信頼性向上技術 招待あり
加藤正史
SiCアライアンス技術・普及WG第6回会議 2023年02月
開催年月日： 2023年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
