講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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3C-SiCウェハーにおける過剰キャリアライフタイムマッピングによる歪みとライフタイムの相関性の評価
吉田敦史、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
開催年月日： 2010年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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n型4H-SiCショットキーダイオード整流特性の陽極酸化法による改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
開催年月日： 2010年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Characterization of plasma etching damage in GaN by electrical methods 国際会議
Masashi Kato, Masaya Ichimura
Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices (JWNSD 2010)
開催年月日： 2010年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Improvement of Schottky contact characteristics by anodic oxidation on 4H-SiC 国際会議
Kimura M., Kato M., Ichimura M.
The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2010年08月 - 2010年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Oslo, Norway
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Electrical parameters of bulk 3C crystals determ ined by Hall effect, magnetoresistivity, and contactless time-resolved optical techniques 国際会議
Scajev P., Mekys A., Malinovskis P., Storasta J., Kato M., Jarašiunas K.
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2010年08月 - 2010年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Oslo, Norway
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Comparative studies of carrier dynamics in 3C-SiC layers grown on Si and 4H-SiC substrates 国際会議
J. Hassana, P. Ščajeva, K. Jarašiūnasa, M. Kato, A. Henry, and J. P. Bergman
Electronic Materials Conference 2010
開催年月日： 2010年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Notere Dame, USA
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Internal Stresses in Free-Standing 3C-SiC Grown on Si and Their Relation to Carrier Lifetime 国際会議
V. Grivickas, G. Manolis, K. Gulbinas, J. Linnros, M. Kato
E-MRS 2010 Spring Meeting
開催年月日： 2010年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Congress Center - Place de Bordeaux - Wacken, Strasbourg, France
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Observation of crystal defects lowering the Schottky barrier in 4H-SiC by the electrochemical deposition 国際会議
Masashi Kato
14th National Seminar on Crystal Growth School of Advanced Sciences, VIT University
開催年月日： 2010年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：VIT University, Vellore - 632 014, Tamil Nadu, India
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電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム
加藤正史、松下由憲、市村正也
2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
開催年月日： 2010年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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水素イオン注入したSi単結晶のサブバンドギャップ光導電性とキャリアライフタイム
和田 耕司，加藤 正史，市村 正也, 鵜野, 坂根, 西原
2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
開催年月日： 2010年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Four wave mixingによるSiC中のキャリアライフタイムおよび拡散係数の評価
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SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
開催年月日： 2009年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Correlation between Schottky contact characteristics and regions with a low barrier height revealed by the electrochemical deposition on 4H-SiC 国際会議
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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009
開催年月日： 2009年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Characterization of deep level and carrier lifetime in silicon carbide 国際会議
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The 11-th International Conference-School, ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES
開催年月日： 2009年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Structural and electrical characterization for 3C-SiC homoepitaxial layers 国際会議
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HETERO SiC 2009
開催年月日： 2009年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
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電子情報通信学会 応用音響/信号処理/音声 研究会
開催年月日： 2009年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
