講演・口頭発表等 - 加藤　正史

GaNエピ層キャリアライフタイムの遅い成分の電気的特性への寄与

前田 卓人, 浅田 貴斗, 伊藤 健治, 冨田 一義, 成田 哲生, 加地 徹, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第8回講演会  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：オンライン  

4H-SiC結晶のオージェ再結合係数の高品質品再評価

田中 和裕, 長屋 圭祐, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第8回講演会  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：オンライン  

イオン注入により作成した4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるキャリアライフタイム評価

福井 琢也, 石井 達也, 俵 武志, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第8回講演会  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：オンライン  

4H-SiCバイポーラ劣化抑制に求められるドリフト層内キャリアライフタイムの評価

三井 俊樹, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第8回講演会  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：オンライン  

顕微自由キャリア吸収法によるSiCデバイス内キャリア寿命評価

加藤正史, 福井琢也, 俵　武志

第41回 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2021  ナノテスティング学会

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

[10p-S202-8] 高品質 4H-SiC 結晶を用いたオージェ再結合係数の再検討

田中 和裕、長屋 圭祐、加藤 正史

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2021年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

[10p-S202-7] 4H-SiCバイポーラ劣化抑制に向けたドリフト層内のキャリアライフタイムの検討

三井 俊樹、加藤 正史

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  応用物理学会

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開催年月日： 2021年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

[D-4-07] Effects of the ion implantation process on carrier lifetimes in 4H-SiC SJ-MOSFET 国際会議

Takuya Fukui, Takeshi Tawara, Masashi Kato

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials  The Japan Society of Applied Physics.

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開催年月日： 2021年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

[F-2-04] Estimation of surface recombination velocities of SrTiO3 for optimum structures as a photocatalyst 国際会議

Masashi Kato, Takaya Ozawa, Yoshihito Ichikawa

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials  The Japan Society of Applied Physics.

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開催年月日： 2021年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

イクメンという言葉を乗り越えて 招待あり

加藤正史

第２回サプリトーク（愛知県サテライトセミナー共催事業）  大府市

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開催年月日： 2021年07月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：大府市役所地下多目的ホール  

[H2.4] Effects of crystalline defects on degradation of SiC devices 国際会議

Masashi Kato

EVTeC 2021  JSAE

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開催年月日： 2021年05月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Virtual  

[P23] Mapping Of Schottky Contacts On P-4H-SiC Wafers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国際会議

Kenji Shiojima, Masashi Kato

Compound Semiconductor Week 2021 

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開催年月日： 2021年05月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：online  

[18a-Z15-9] GaNエピ層キャリア再結合の遅い成分の電気的特性への寄与

前田 卓人、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2021年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

[17a-Z28-10] 4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるイオン注入プロセスがキャリアライフタイムへ与える影響

福井 琢也、俵 武志、加藤 正史

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2021年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

IB-05 4H-SiC SJ-UMOSFET内部のキャリアライフタイム分布測定

福井 琢也、長屋 圭祐、俵 武志、加藤 正史

先進パワー半導体分科会 第7回講演会  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2020年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：オンライン  

[14a-A410-9] 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定

福井 琢也、長屋 圭祐、俵 武志、加藤 正史

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学  

[13a-PA6-11] 界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価

塩島 謙次、Nabilah Fatin、松田 稜、加藤 正史

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年03月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：上智大学  

[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価

深谷 周平、米澤 喜幸、加藤 智久、加藤 正史

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学  

[14a-A410-7] SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較

加藤 正史、片平 真哉

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学  

[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性

韓 磊、加藤 智久、加藤 正史

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2020年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学