講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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CO2 Reduction with p-Type 3C-SiC Photo-Electrodes 国際会議
Shunnosuke Akabane, Go Sahara, Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Kazuhiko Maeda, Takayuki Iwasaki, Tetsuo Kodera, Mutsuko Hatano
2016 MRS Spring Meeting
開催年月日： 2016年03月 - 2016年04月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Phoenix
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4H-SiC光電極を用いたCO2還元への助触媒効果
赤羽 俊之輔、佐原 豪、市川 尚澄、加藤 正史、前田 和彦、岩崎 孝之、小寺 哲夫、波多野 睦子
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
新郷 正人、市川 尚澄、加藤 正史、塩島 謙次
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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水溶液と接触した4H-SiCにおける表面再結合
市川 義人、加藤 正史、市村 正也
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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4H-SiCにおける表面再結合速度の解析精度向上
小濱 公洋、加藤 正史、市村 正也
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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SrTiO3単結晶評価とSiC光陰極性能向上
加藤正史
新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」第4回公開シンポジウム
開催年月日： 2016年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学
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シリコンカーバイドによる太陽光－水素エネルギー変換
加藤 正史
第20回資源循環型ものづくりシンポジウム
開催年月日： 2015年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋市工業研究所
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ＴｉＯ2及びＳｒＴｉＯ3単結晶に対するキャリアライフタイムの測定
市川義人、加藤正史、市村正也
第20回資源循環型ものづくりシンポジウム
開催年月日： 2015年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋市工業研究所
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4H-SiC上の3C-SiC光電極を用いた水分解による効率的な水素生成
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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n型4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の解析
小濵 公洋、森 裕人、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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DLTS測定による4H-SiC中Al準位の捕獲断面積の評価
景 荻、加藤 正史、市村 正也、児島 一聡
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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Efficient hydrogen generation by a 3C‐SiC on 4H‐SiC photoelectrode 国際会議
Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
開催年月日： 2015年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Giardini Naxos, Italy
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Surface recombination velocities for polished p‐type 4H‐SiC 国際会議
Masashi Kato, Kimihiro Kohama, Hiroto Shibata, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
開催年月日： 2015年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Giardini Naxos, Italy
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Deep level characterization for p‐type SiC photocathodes 国際会議
Masashi Kato, Naoto Ichikawa, Masaya Ichimura, Yoshitaka Nakano
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
開催年月日： 2015年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Giardini Naxos, Italy
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Evaluation of Temperature Dependence of Surface Recombination Velocities for n-type 4H-SiC 国際会議
K. Kohama, Y. Mori, M.Kato, M. Ichimura
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) Japan Society of Applied Physics
開催年月日： 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiC光電極を用いたCO2還元によるメタン生成
赤羽 俊之輔、佐原 豪、市川 尚澄、加藤 正史、前田 和彦、岩崎 孝之、小寺 哲夫、波多野 睦子
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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助触媒担持による3C-SiC光電極の性能向上
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC中Al準位の正孔捕獲断面積
景 荻、加藤 正史、市村 正也、児島 一聡
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価
小濱公洋、森 祐人、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2015年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：豊橋技術科学大学 VBL棟
