講演・口頭発表等 - 加藤　正史

IIA-15　酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度の励起強度依存性

小川 斐士, 韓 磊, 加藤 智久, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場  

IB-11　光学的手法によるチャネリングイオン注入の角度検出

丸橋 拓実, 佐藤 寿弥, 米澤 喜幸, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場  

IB-12　SiC PiN ダイオードへの H +注入によるバイポーラ劣化の抑制

渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場  

IB-13　HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する PL 信号の相違

石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場  

IB-15　集光した偏光レーザーを用いた SiC 内部の転位の 3 次元観測

佐藤 寿弥, 加藤 智久, 原田 俊太, 加藤 正史

先進パワー半導体分科会第9回講演会  2022年12月  応用物理学会先進パワー半導体分科会

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場  

OTC-06 Observation of carrier lifetimes inside of SiC epilayers and devices 招待あり 国際会議

Masashi Kato

The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors  2022年11月 

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan   国名：台湾  

[J-5-03] Auger recombination coefficient in 4H-SiC under the high injection condition 国際会議

Kazuhiro TANAKA, Keisuke NAGAYA , Masashi KATO

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials  2022年09月 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

[C-4-03] Accurate estimation of surface recombination velocities for SrTiO3 using angle-lapped structures 国際会議

Masashi Kato, Yosuke Kato

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials  2022年09月 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

20p-C306-6 酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度

小川 斐士, 韓 磊, 加藤 智久, 加藤 正史

2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会  2022年09月 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

20p-C306-5 H+注入によるSiC PiNダイオード内積層欠陥拡張の抑制

渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史

2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会  2022年09月 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

20p-C306-4 プロトン注入によるSiCエピタキシャル層の 基底面部分転位の運動抑制

原田 俊太, 坂根 仁, 三井 俊樹, 加藤 正史

2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会  2022年09月 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

Th-1-B.1: Suppression of stacking fault expansion in SiC PiN diodes by H+ implantation 国際会議

Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada

19th The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Davos, Switzerland  

Fr-2-A.1: Hole capture cross section of the Al acceptor level at finite temperature 国際会議

Masashi Kato, Jing Di, Yutaro Ohkouchi, Taisuke Mizuno, Masaya Ichimura, Kazutoshi Kojima

19th The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Davos, Switzerland  

Th-1-B.4: Suppression of recombination enhanced dislocation glide motion in 4H-SiC by hydrogen ion implantation 国際会議

Shunta Harada, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato

19th The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Davos, Switzerland  

ThA1-3 Single Crystal Photocatalytic Oxides: Carrier Recombination and Solar-to-hydrogen Conversion 招待あり 国際会議

Masashi Kato

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

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開催年月日： 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Nagoya University  

[Th2-2] Discussion on carrier lifetime control in a drift layer of 1.2 kV class 4H-SiC devices for suppression of bipolar degradation 国際会議

Toshiki Mii, Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane

19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors 

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開催年月日： 2022年08月 - 2022年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Online  

22p-E106-8　局在表面プラズモン共鳴を有するTiO2におけるキャリア再結合

張　銘鑫、張　恩棟、加藤　正史

第69回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2022年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学およびオンライン  

23p-E204-8　斜め研磨構造を利用したSrTiO3表面再結合速度の高精度評価

加藤遥介、加藤正史

第69回応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2022年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学およびオンライン  

Effects of defects created by ion implantation on SiC devices 国際会議

Masashi Kato

第4回材料科学フロンティア研究院国際シンポジウム ～材料科学における融合研究～  名古屋工業大学 材料科学フロンティア研究院

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開催年月日： 2022年03月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学およびオンライン  

Effects of point defects on SiC power devices 招待あり 国際会議

Masashi Kato

International Conference on Recent Advances in Materials and Radiation Measurements (RAMRAM-2022)  SSN college of Engineering

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開催年月日： 2022年02月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：online