講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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Spectral Response, Carrier Lifetime and Photocurrents of SiC Photocathodes 国際会議
Masashi Kato, Keiko Miyake, Masaya Ichimura
ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015
開催年月日： 2015年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiC 表面再結合速度における温度依存性の解析
小濱 公洋，森 祐人，加藤 正史，市村 正也
第62回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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12 mA/W の光電流を示す水分解用 SiC
市川 尚澄, 長谷川 貴大, 加藤 正史, 市村 正也
第62回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人応用物理学会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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n 型 4H-SiC における表面再結合速度の温度依存性に対する評価
小濱公洋、 森祐人、 加藤正史、 市村正也
先進パワー半導体分科会 第 1 回講演会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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p 型 4H-SiC に存在する深い準位の熱処理依存性の評価
景 荻、加藤 正史、中根 浩貴、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第１回講演会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ウインクあいち
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電子線照射を施した 4H-SiC 中の深い準位に対する電気的及び光学的手法による構造同定
中根 浩貴、加藤 正史、市村 正也、大島 武 、I. G. Ivanov、X. T. Trinh、N. T. Son、E.Janzen
先進パワー半導体分科会 第１回講演会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ウインクあいち
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Deep levels in electron irradiated semi-insulating 4H-SiC: electronic, optical and structural observation 国際会議
Hiroki NAKANE, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Takeshi OHSHIMA, Ivan IVANOV, Xuan TRINH, Nguyen SON, Erik JANZÉN
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Grenoble
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Temperature dependence of surface recombination velocities for n-type 4H-SiC 国際会議
Masashi KATO, Kimihiro KOHAMA, Yuto MORI, Masaya ICHIMURA
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Grenoble
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SILICON CARBIDE PHOTOCATHODE FOR SOLAR TO HYDROGEN CONVERSION 国際会議
Masashi Kato
UK-Japan Solar Driven Fuel Synthesis Workshop: Materials, Understanding and Reactor Design
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語
開催地：British Embassy Tokyo
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SiC光電極の分光感度特性
加藤正史，三宅景子，市村正也
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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高安定・高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発
赤羽俊之輔，Jun Tae Song，Renato Goes Amici，三宅景子，加藤正史，岩崎孝之，波多野睦子
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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光電極応用に向けたp型SiCエピタキシャル層の欠陥評価
加藤正史，中野由崇
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Microwave reflectivity from 4H-SiC in the high injection condition: Impacts of the electron-hole scattering 国際会議
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tsukuba International Congress Center
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Carrier Lifetimes in Rutile TiO2 Single Crystals Measured by the Microwave Photoconductivity Decay 国際会議
Masashi Kato, Kimihiro Kohama, Masaya Ichimura
IUMRS-ICA 2014 MRS-J
開催年月日： 2014年08月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka University
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Time-Resolved Observation of Free Carrier Absorption for Carrier Lifetime Measurement of SiC 国際会議
Masashi Kato, Yuto Mori, Nguyen Xuan Truyen, Masaya Ichimura
IUMRS-ICA2014 MRS-J
開催年月日： 2014年08月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka University
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異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴,加藤正史,市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2014年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学 VBL
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高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 ～ キャリアライフタイムの正確な評価に向けて ～
加藤正史,森 祐人,市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2014年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Understanding of Structures of the Deep Levels in 4H-SiC: Toward Development of Bipolar SiC Devices for Motor Drives 国際会議
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima
EVTeC & APE Japan 2014 Society of Automotive Engineers of Japan, Inc
開催年月日： 2014年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Pacifico Yokohama
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Silicon Carbide: Not Only for Energy Savings but Also for Energy Generation 国際会議
Masashi Kato
EVTeC & APE Japan 2014 Society of Automotive Engineers of Japan, Inc.
開催年月日： 2014年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Pacifico Yokohama
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SiC 水素発生光触媒の分光感度特性
加藤正史
第4回フォーラム「人工光合成」 科学技術振興機構さきがけ「光エネルギーと物質変換」研究領域 文部科学省科学研究費補助金新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」 総括班
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋大学東山キャンパス 坂田・平田ホール
