講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム
原田俊太, 坂根 仁, Li Tong, 加藤正史
電気学会 電子デバイス研究会「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」 2025年04月
開催年月日： 2025年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：絹の渓谷 碧流 会議室 国名：日本国
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[第46回優秀論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制 招待あり
原田 俊太、坂根 仁、三井 俊樹、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の深い準位の評価
古橋 優、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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低BPD密度ウェハによるバイポーラ劣化の抑制
Zhang Endong、稲吉 晴子、杉山 智彦、松島 潔、吉川 潤、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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Trench形成した4H-SiC基板上の3C-SiC/4H-SiC積層エピ層に対する ラマン分光法を用いたポリタイプ比率分析
長谷川 拓裕、長澤 弘幸、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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4H-SiCエピ層における全方位フォトルミネッセンススペクトルの膜厚依存性
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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4H-SiCへの<0001>方向チャネリングイオン注入:Si面とC面は同じか？
加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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Observation of Point Defect and Carrier Lifetime Distributions in Ion Implanted SiC PiN Diodes 国際会議
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：CHUBU UNIVERSITY 国名：日本国
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HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の深い準位の評価
古橋 優, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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ドメイン制御エピタキシャル成長による 3C-SiC 光陰極性能向上
加藤 正史, Rho Kongshik, 藤田 隼
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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CoOx 助触媒担持による TiO2および SrTiO3単結晶におけるキャリア再結合に及ぼす影響
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスを用いた再結合過程の評価
牧野 隼宜, 鈴木 健吾, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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ヘリウムイオン注入による SiC 積層欠陥拡張抑制
Li Tong, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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溝形成した 4H-SiC 基板上の 3C-SiC/4H-SiC 積層エピ層に対するラマン分光法を用いたポリタ イプ比率分析
長谷川 拓裕, 長澤 弘幸, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: impact of CoOx cocatalyst loading 国際会議
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
the 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) 2024年11月
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Numazu 国名：日本国
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Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) M 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2024年10月
開催年月日： 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
国名：大韓民国
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Proton implantation into substrate and stacking faults in epitaxial layers 国際会議
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer 国際会議
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Demonstration of Suppressing 1SSF Expansion Using Energy Filtered Ion Implantation 国際会議
Hitesh Jayaprakash, Constantin Csato, Masashi Kato, Tong Li, Florian Krippendorf, Michael Rueb, Joerg Schulze
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation 国際会議
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Controlled domain in 3C-SiC epitaxial growth on off-oriented 4H-SiC substrate for water splitting 国際会議
Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment 国際会議
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年09月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Toward Eliminating SiC Bipolar Degradation by Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method 招待あり 国際会議
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 (24th IIT 2024) 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Toyama International Conference Center, Toyama, JAPAN 国名：日本国
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[20p-C32-7] シリコン界面のパッシベーションに及ぼすPEDOT:PSSの微細構造の影響
山中 健吾、黒川 康良、加藤 正史、曾我 哲夫、加藤 慎也
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[18a-C41-3] 単一ドメインエピタキシャル成長による3C-SiC光陰極性能向上
加藤 正史、Rho Kongshik、藤田 隼
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[18a-C41-2] 高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析
原田 俊太、坂根 仁、加藤 正史
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[19p-C41-3] 水素・ヘリウムイオン注入SiCダイオードにおける点欠陥深さ方向分布
加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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[19p-C41-2] ヘリウムイオン注入によるSiC積層欠陥拡張抑制
加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ
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高エネルギーイオン注入(SF-KHII) によるSiC のバイポーラ劣化抑制 招待あり
加藤 正史、 原田 俊太、坂根 仁
応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第7回研究会 2024年09月
開催年月日： 2024年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：明治大学駿河台キャンパス
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[Y-98] OCVD法を用いたパワーデバイスの信頼性評価装置の基礎検討
新見 渉・松盛裕明・加藤正史
2024年電気学会産業応用部門大会ヤングエンジニアポスター コンペティション（YPC） 2024年08月
開催年月日： 2024年08月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：水戸市民会館（茨城県水戸市泉町）
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高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合
加藤 正史、田中 和裕
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果
加藤 正史、渡邉 王雅、原田 俊太、坂根 仁
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、黒川 康良、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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CeO2単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析 国際共著
Zhang Endong、Brabec Christoph、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価
古橋 優1、石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月
開催年月日： 2024年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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人工光合成 －太陽光から燃料を作る夢の技術－ 招待あり
加藤 正史
なごや環境大学 共育講座 ごきそテクノカフェ ～技術者と共に人類と地球の未来～ 2023年12月 名古屋市
開催年月日： 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：オンライン
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4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスおよびキャリア寿命評価
牧野 隼宜, 鈴木 健吾, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023年11月 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ANAクラウンプラザホテル金沢
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エピタキシャル成長前 SiC 基板への H +注入の PiN ダイオードへの効果
渡邉 王雅, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023年12月 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ANAクラウンプラザホテル金沢
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HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の光学・電気特性評価
古橋 優, 石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 2023年12月 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ANAクラウンプラザホテル金沢
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3-dimensional observation of dislocations in 4H-SiC using focused light birefringence 国際会議
Masashi Kato, Hisaya Sato, Tomohisa Kato, Koichi Murata, Shunta Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sorrent, Italy
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Excited carrier concentration dependence of surface recombination velocities for 4H-SiC with and without passivation 国際会議
Masashi Kato, Ayato Ogawa, Lei Han and Tomohisa Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sorrent, Italy
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High-energy ion channeling for deep implantation of Al into 4H-SiC 国際共著 国際会議
Manuel Belanche Guadas, Yoshiyuki Yonezawa, Inés Martí Hidalgo, René Heller, Corinna Martinella, Constantin Csato, Michael Rüb, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Tsunenobu Kimoto, Ulrike Grossner
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sorrent, Italy
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Observation of the c-axis direction in 4H-SiC for channeling ion implantation by the optical method 国際会議
Masashi Kato, Takumi Maruhashi, Hisaya Sato and Yoshiyuki Yonezawa
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sorrent, Italy
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Advances in Suppressing Bipolar Degradation in SiC Devices: Carrier Lifetime Control and Proton Implantation 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Sorrent, Italy
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[C-2-01] Mitigation of Carrier Trapping Effects on Carrier Lifetime Measurements with Continuous-Wave Laser Illumination for Metal Halide Perovskite Materials 国際共著 国際会議
NTUMBA LOBO, Gebhard Josef Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Levchuk Ievgen, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J Brabec, Masashi Kato
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Congress center
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[G-4-05] Photoelectrical Characterization of Heavily-doped p-SiC Schottky Contacts 国際会議
Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Congress center
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[N-2-01 (Invited)] Proton implantation: the last resort to solve bipolar degradation of SiC power devices? 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Nagoya Congress center
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[PS-4-04] Recombination coefficients for 3C- and 6H-SiC to analyze carrier recombination at stacking faults in 4H-SiC 国際会議
Kazuhiro TANAKA, Masashi KATO
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Congress center
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[PS-6-07] Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications 国際共著 国際会議
Endong Zhang, Masashi KATO
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials 2023年09月 JSAP
開催年月日： 2023年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Congress center
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3C-SiC 光触媒による高耐久・高効率水素生成と将来展望 招待あり
加藤 正史
公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第２５回研究会「ワイドギャップ半導体の新たな応用」 2023年09月
開催年月日： 2023年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Effects of polishing on carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals 招待あり 国際会議
Masashi Kato
E-MRS 2023 Spring Meeting 2023年05月
開催年月日： 2023年05月 - 2023年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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[15a-A301-5] 集光した偏光レーザーを用いたSiC内部の転位の3次元観測
佐藤 寿弥、加藤 智久、原田 俊太、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[17p-A301-2] HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違
石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[16p-A301-10] 偏光を用いたチャネリングイオン注入の角度検出
丸橋 拓実、佐藤 寿弥、米澤 喜幸、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[16p-PA04-1] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p+-SiCショットキー接触の二次元評価
今林 弘毅、澤崎 仁施、吉村 遥翔、伊藤 夏輝、加藤 正史、塩島 謙次
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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[17a-A408-4] TiO2およびSrTiO3単結晶のキャリア再結合に表面研磨処理が及ぼす影響
張 銘鑫、張 恩棟、加藤 正史
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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SiCパワーデバイスへの水素イオン注入と転位運動抑制
加藤 正史
日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 11回研究会「パワー関連半導体の将来展望」 2023年03月 日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：ZoomによるWEB研究会(ハイブリッド開催), 東京大学生産技術研究所An棟401,402会議室
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SiC epi / sub 界面付近へのプロトン注入による信頼性向上技術 招待あり
加藤正史
SiCアライアンス技術・普及WG第6回会議 2023年02月
開催年月日： 2023年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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IIA-15 酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度の励起強度依存性
小川 斐士, 韓 磊, 加藤 智久, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2022年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場
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IB-11 光学的手法によるチャネリングイオン注入の角度検出
丸橋 拓実, 佐藤 寿弥, 米澤 喜幸, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2022年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場
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IB-12 SiC PiN ダイオードへの H +注入によるバイポーラ劣化の抑制
渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2022年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場
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IB-13 HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する PL 信号の相違
石井 達也, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2022年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場
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IB-15 集光した偏光レーザーを用いた SiC 内部の転位の 3 次元観測
佐藤 寿弥, 加藤 智久, 原田 俊太, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2022年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場
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OTC-06 Observation of carrier lifetimes inside of SiC epilayers and devices 招待あり 国際会議
Masashi Kato
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022年11月
開催年月日： 2022年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan 国名：台湾
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[J-5-03] Auger recombination coefficient in 4H-SiC under the high injection condition 国際会議
Kazuhiro TANAKA, Keisuke NAGAYA , Masashi KATO
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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[C-4-03] Accurate estimation of surface recombination velocities for SrTiO3 using angle-lapped structures 国際会議
Masashi Kato, Yosuke Kato
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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20p-C306-6 酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度
小川 斐士, 韓 磊, 加藤 智久, 加藤 正史
2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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20p-C306-5 H+注入によるSiC PiNダイオード内積層欠陥拡張の抑制
渡邉 王雅, 三井 俊樹, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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20p-C306-4 プロトン注入によるSiCエピタキシャル層の 基底面部分転位の運動抑制
原田 俊太, 坂根 仁, 三井 俊樹, 加藤 正史
2022年 第83回応用物理学会秋春季学術講演会 2022年09月
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Th-1-B.1: Suppression of stacking fault expansion in SiC PiN diodes by H+ implantation 国際会議
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada
19th The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Davos, Switzerland
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Fr-2-A.1: Hole capture cross section of the Al acceptor level at finite temperature 国際会議
Masashi Kato, Jing Di, Yutaro Ohkouchi, Taisuke Mizuno, Masaya Ichimura, Kazutoshi Kojima
19th The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Davos, Switzerland
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Th-1-B.4: Suppression of recombination enhanced dislocation glide motion in 4H-SiC by hydrogen ion implantation 国際会議
Shunta Harada, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
19th The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Davos, Switzerland
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ThA1-3 Single Crystal Photocatalytic Oxides: Carrier Recombination and Solar-to-hydrogen Conversion 招待あり 国際会議
Masashi Kato
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
開催年月日： 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Nagoya University
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[Th2-2] Discussion on carrier lifetime control in a drift layer of 1.2 kV class 4H-SiC devices for suppression of bipolar degradation 国際会議
Toshiki Mii, Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
開催年月日： 2022年08月 - 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Online
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22p-E106-8 局在表面プラズモン共鳴を有するTiO2におけるキャリア再結合
張 銘鑫、張 恩棟、加藤 正史
第69回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2022年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学およびオンライン
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23p-E204-8 斜め研磨構造を利用したSrTiO3表面再結合速度の高精度評価
加藤遥介、加藤正史
第69回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2022年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学およびオンライン
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Effects of defects created by ion implantation on SiC devices 国際会議
Masashi Kato
第4回材料科学フロンティア研究院国際シンポジウム ～材料科学における融合研究～ 名古屋工業大学 材料科学フロンティア研究院
開催年月日： 2022年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学およびオンライン
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Effects of point defects on SiC power devices 招待あり 国際会議
Masashi Kato
International Conference on Recent Advances in Materials and Radiation Measurements (RAMRAM-2022) SSN college of Engineering
開催年月日： 2022年02月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：online
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GaNエピ層キャリアライフタイムの遅い成分の電気的特性への寄与
前田 卓人, 浅田 貴斗, 伊藤 健治, 冨田 一義, 成田 哲生, 加地 徹, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2021年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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4H-SiC結晶のオージェ再結合係数の高品質品再評価
田中 和裕, 長屋 圭祐, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2021年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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イオン注入により作成した4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるキャリアライフタイム評価
福井 琢也, 石井 達也, 俵 武志, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2021年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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4H-SiCバイポーラ劣化抑制に求められるドリフト層内キャリアライフタイムの評価
三井 俊樹, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2021年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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顕微自由キャリア吸収法によるSiCデバイス内キャリア寿命評価
加藤正史, 福井琢也, 俵 武志
第41回 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2021 ナノテスティング学会
開催年月日： 2021年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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[10p-S202-8] 高品質 4H-SiC 結晶を用いたオージェ再結合係数の再検討
田中 和裕、長屋 圭祐、加藤 正史
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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[10p-S202-7] 4H-SiCバイポーラ劣化抑制に向けたドリフト層内のキャリアライフタイムの検討
三井 俊樹、加藤 正史
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2021年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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[D-4-07] Effects of the ion implantation process on carrier lifetimes in 4H-SiC SJ-MOSFET 国際会議
Takuya Fukui, Takeshi Tawara, Masashi Kato
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials The Japan Society of Applied Physics.
開催年月日： 2021年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online
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[F-2-04] Estimation of surface recombination velocities of SrTiO3 for optimum structures as a photocatalyst 国際会議
Masashi Kato, Takaya Ozawa, Yoshihito Ichikawa
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials The Japan Society of Applied Physics.
開催年月日： 2021年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online
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イクメンという言葉を乗り越えて 招待あり
加藤正史
第２回サプリトーク（愛知県サテライトセミナー共催事業） 大府市
開催年月日： 2021年07月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：大府市役所地下多目的ホール
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[H2.4] Effects of crystalline defects on degradation of SiC devices 国際会議
Masashi Kato
EVTeC 2021 JSAE
開催年月日： 2021年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Virtual
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[P23] Mapping Of Schottky Contacts On P-4H-SiC Wafers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国際会議
Kenji Shiojima, Masashi Kato
Compound Semiconductor Week 2021
開催年月日： 2021年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：online
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[18a-Z15-9] GaNエピ層キャリア再結合の遅い成分の電気的特性への寄与
前田 卓人、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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[17a-Z28-10] 4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるイオン注入プロセスがキャリアライフタイムへ与える影響
福井 琢也、俵 武志、加藤 正史
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2021年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン
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IB-05 4H-SiC SJ-UMOSFET内部のキャリアライフタイム分布測定
福井 琢也、長屋 圭祐、俵 武志、加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2020年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：オンライン
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[14a-A410-9] 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定
福井 琢也、長屋 圭祐、俵 武志、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学
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[13a-PA6-11] 界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価
塩島 謙次、Nabilah Fatin、松田 稜、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：上智大学
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[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価
深谷 周平、米澤 喜幸、加藤 智久、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学
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[14a-A410-7] SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較
加藤 正史、片平 真哉
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学
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[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性
韓 磊、加藤 智久、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学
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D4-12-O03 Difference in carrier lifetimes for SiC measured by microwave photoconductivity decay and time-resolved photoluminescence methods 国際会議
Masashi KATO
MATERIALS RESEARCH MEETING 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：YOKOHAMA SYMPOSIA
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D4-11-I08 Carrier Recombination Velocity in 4H-SiC: at Surfaces and Defects 招待あり 国際会議
Masashi KATO
MATERIALS RESEARCH MEETING 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：YOKOHAMA SYMPOSIA
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顕微 FCA 装置による 4H-SiC 深さ方向高空間分解能ライフタイム測定
長屋圭祐, 平山貴史, 俵武志, 村田晃一, 土田秀一, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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TR-PL・EL測定によるGaN縦型pnダイオードの評価
安田優斗, 宇佐美茂佳, 田中敦之, 天野浩, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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4H-SiC における高濃度 Al イオン注入による p++領域の深い準位の評価
深谷周平, 米澤喜幸, 加藤智久, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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4H-SiCの表面再結合速度の注入フォトン数依存性
Lei HAN，加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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4H-SiC厚膜エピにおける非破壊・高空間分解能ライフタイム深さ分布測定
平山貴史, 長屋圭祐, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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WP2-9 Mapping of Large Structural Defects in SiC Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy 国際会議
Kenji Shiojima, Masashi Kato
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
開催年月日： 2019年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai
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[Fr-1B-03] High Performance 3C-SiC Photocathode with Texture Structure Formed by Electrochemical Etching 国際会議
Masashi Kato, Tomohiro Ambe
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
開催年月日： 2019年09月 - 2019年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto ICC
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[Fr-3B-05LN] Microscopic FCA system for carrier lifetime measurement in SiC with high spatial resolution 国際会議
Keisuke Nagaya, Takashi Hirayama, Takeshi Tawara, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
開催年月日： 2019年09月 - 2019年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto ICC
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[Th-P-51LN] Nondestructive depth distribution measurements of carrier lifetime in 4H-SiC thick epitaxial layers with high spatial resolution 国際会議
akashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
開催年月日： 2019年09月 - 2019年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto ICC
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[19p-PB4-2] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価
塩島 謙次、松田 稜、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学
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[19a-E301-4] GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布
安田 優斗、宇佐美 茂佳、田中 敦之、天野 浩、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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[18p-N302-1] GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存
加藤 正史、浅田 貴斗、朱 帥、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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[20p-E311-14] 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定
長屋 圭祐、平山 貴史、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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[A-1-03] Observation of Photoexcited Carrier Recombination in Metal Halide Perovskite Materials with Single and Poly crystalline structures 国際会議
T. Kawane, G.J. Matt, S. Shrestha, L. Jevgen, C.J. Brabec, A. Kanak, P. Fochuk, M. Kato
SSDM2019 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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[PS-4-22] Observation of Slow Carrier Recombination in p-type GaN Epilayers on GaN Substrates 国際会議
S. Zhu, K. Ito, K. Tomita, T. Narita, T. Kachi, M. Kato
SSDM2019 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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エピ成膜したOn axis SiCのX線トポグラフィ観察
石地耕太郎,加藤正史
X線トポグラフィ研究会
開催年月日： 2019年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 吹田キャンパス
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パワーデバイス材料のウェハー評価法 －SiC・GaNを例に－ 招待あり
加藤 正史
一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム ２０１９年度第１回研究会「ダイヤモンドのパワーデバイス応用：今後への期待」 一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム
開催年月日： 2019年06月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地： 東京理科大学 森戸記念館
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Fr-P14 SiCにおけるキャリア寿命評価手法比較
加藤 正史
日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
開催年月日： 2019年06月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島大学
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Temperature dependent carrier lifetime measurements on free-standing 4H-SiC epilayer 国際会議
Jan Beyer, Masashi Kato, Nadine Schüler, Kay Dornich, Johannes Heitmann
European Materials Research Society 2019 Spring Meeting
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nice, France
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[9p-S321-7] Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and 3C-SiC in tandem structure
Zhenhang Liu、Masashi Kato
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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[11a-PB4-14] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動
石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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[10a-PB1-18] ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定
河根 拓哉、Matt Gebhard、Osvet Andres、Shrestha Shreetu、Jevgen Levchuk、Brabec Christoph、Kanak Andrii、Fochuk Petro、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学
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[11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測
長屋 圭祐、平山 貴史、俵 武志、村田 晃一、土田 秀一、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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[11p-70A-9] 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング
長屋 圭祐、平山 貴史、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学
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Characterization and Suppression of Defects in Silicon Carbide Crystal for Power Semiconductors 招待あり 国際会議
Masashi Kato
Semiconductor Power Devices National Chiao-Tung University
開催年月日： 2018年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：National Chiao-Tung University
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SiC結晶のキャリア寿命評価 招待あり
加藤 正史
第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会 日本学術振興会 結晶加工と評価技術第１４５委員会
開催年月日： 2018年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：電力中央研究所
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SiC結晶の応用分野と評価技術 ーパワーデバイス・光触媒とキャリア寿命を中心にー 招待あり
加藤正史
応用物理学会東海支部 第4回ニューフロンティアリサーチワークショップ
開催年月日： 2018年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋工業大学
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CR6-4 Analysis of slow decays in TR-PL signals from a GaN homoepitaxial layer 国際会議
Masashi Kato, Takato Asada, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：The Ishikawa Ongakudo, the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, Japan
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IIB-25 Hydrogen generation by water Splitting using TiO2 and SiC in tandem structure
LIU Zhenhang, Masashi Kato
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IA-5 GaN 基板上GaNエピ層の遅いキャリア再結合測定による結晶欠陥評価
浅田貴斗, 伊藤健治, 冨田一義, 成田哲生,加地徹, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-6 4H-SiC厚膜エピにおけるライフタイム深さ分布の測定
平山貴史, 櫛部光弘, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-7 4H-SiCウェハ表面におけるライフタイムの二次元マッピング
長屋圭祐, 平山貴史, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-9 キャリアライフタイム測定によるGaN基板上n型およびp型エピ層の比較
朱帥,浅田貴斗,伊藤健治,冨田一義,成田哲生,加地徹,加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIA-18 平均表面粗さ増加による3C-SiC光電極の性能向上
安部友裕, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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IIB-11 4H-SiC極性面及び非極性面における表面再結合速度の解析
Zhang Xinchi，加藤正史，小濱公洋，市村正也
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都テルサ
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[C5-1] Carrier lifetime measurements for wide gap semiconductors SiC and GaN 国際会議
Masashi Kato
EVS31 & EVTeC 2018
開催年月日： 2018年09月 - 2018年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kobe Convention Center
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[20a-331-2] GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較
朱 帥、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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[21a-141-5] 4H-SiC厚膜エピにおける深さ分解ライフタイム測定
平山 貴史、櫛部 光弘、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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[21a-141-4] 4H-SiCのSi・C面表面再結合速度 -測定・解析精度向上による再検討-
加藤 正史、Zhang Xinchi、小濱 公洋、市村 正也
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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[20p-221C-5] 表面積拡大による3C-SiC光電極の性能向上
安部 友裕、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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MO.04.01 Modeling Physical Properties of Single Shockley-type Stacking Fault in 4H-SiC PiN Diode 国際会議
K. Nakayama, T. Kimoto, M. Kato, Y. Yonezawa, H. Okumura
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)
開催年月日： 2018年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：The International Conference Centre, Birmingham, UK
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TH.03.03 Surface recombination velocity for non-polar faces of 4H-SiC 国際会議
M. Kato, X. Zhang, K. Kohama, M. Ichimura
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCR 2018)
開催年月日： 2018年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：The International Conference Centre, Birmingham, UK
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第66回年次大会・工学教育研究講演会
関 健太、平田 晃正、王 健青、安井 晋示、加藤 正史、岩崎 誠
第66回年次大会・工学教育研究講演会
開催年月日： 2018年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Carrier lifetime measurements for power semiconductor materials 招待あり 国際会議
Masashi Kato
the Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Songdo Convensia, Korea
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7C-3.4 Slow carrier recombination in a GaN epilayer grown on a GaN substrate 国際会議
Takato Asada, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi, Masashi Kato
The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA
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[19a-C302-5] GaNホモエピ膜のTR-PL信号における遅い時定数成分に対する数値解析
加藤 正史、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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[19a-C302-4] GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰
浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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[19p-D103-14] 4H-SiC非極性面の表面再結合速度の解析
章 心馳、小濱 公洋、市村 正也、加藤 正史
第65回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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SiCショットキー電極研究の歴史と現状 招待あり
加藤 正史
日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会第１０７回研究会
開催年月日： 2018年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：キャンパス・イノベーションセンター（CIC）東京
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4H-SiC 中のAl 準位のPoole-Frenkel 効果定量化の試み
大河内 優太朗，加藤 正史，市村 正也
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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SiC 内の非破壊キャリアライフタイム分布測定
前 伸一, 俵 武志, 土田 秀一, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC 中 1SSF・PD 起因フォトルミネッセンス時間分解測定
片平 真哉，市川 義人，原田 俊太，木本 恒暢，加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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Nb ドープ TiO2 単結晶におけるキャリアライフタイムが光電極性能に及ぼす影響
小澤 貴也, 名嶋 駿, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC A 面電子線励起による基底面転位の拡張挙動
石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC (10-10)m 面及び(11-20)a 面の表面再結合速度
Xinchi Zhang，加藤 正史，小濱 公洋，市村 正也
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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キャリアライフタイム測定によるGaN 基板上GaN エピ層の結晶欠陥評価
浅田 貴斗, 伊藤 健治, 冨田 一義, 成田 哲生, 加地 徹, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第4回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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P-Type 3C-SiC Photocathode for Solar to Hydrogen Energy Conversion 招待あり 国際会議
Masashi Kato
232nd ECS MEETING THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY.
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：National Harbor, MD
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Correlation Between Carrier Lifetime and Photolytic Performance of Nb-Doped TiO2 Single Crystals 国際会議
T. Ozawa, H. Najima, M. Ichimura, M. Kato
232nd ECS MEETING THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY.
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：National Harbor, MD
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Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国際会議
K. Shiojima, N. Mishina, N. Ichikawa, M. Kato
the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
開催年月日： 2017年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai International Center
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Microscopic FCA System for Depth-Resolved Carrier Lifetime Measurement 国際会議
Shinichi Mae, Takeshi Tawara, Hidekazu Tsuchida, Masashi Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
開催年月日： 2017年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Washington, D.C.
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Decay Time of Photoluminescence from 1SSFs and PDs in 4H-SiC 国際会議
Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, Tsunenobu Kimoto
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
開催年月日： 2017年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Washington, D.C.
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Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation 国際会議
Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
開催年月日： 2017年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Washington, D.C.
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Observation of Carrier Distribution in SiC PiN Diodes by Using Optical Transmission 国際会議
Masashi Kato, Shinichi Mae, Yoshiyuki Yonezawa, Tomohisa Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
開催年月日： 2017年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Washington, D.C.
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4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
石川 由加里、須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、加藤 正史
第78回応用物理学会 秋季学術講演会
開催年月日： 2017年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度
加藤 正史、小濱 公洋、Zhang Xinchi、市村 正也、木本 恒暢
第78回応用物理学会 秋季学術講演会
開催年月日： 2017年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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NbドープTiO2単結晶における光触媒活性とキャリアライフタイムの関係
小澤 貴也、名嶋 駿、加藤 正史
第78回応用物理学会 秋季学術講演会
開催年月日： 2017年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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Characterization of GaN epilayers on GaN substrates by a microwave photoconductivity decay method 国際会議
Masashi Kato, Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
開催年月日： 2017年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Kyocera, Kirishima, Kyushuu, Japan
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SiC photocathode for a solar to hydrogen conversion technology 招待あり 国際会議
Masashi Kato
Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017
開催年月日： 2017年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：International Convention Center (ICC) Jeju
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SiCのキャリアライフタイム測定手法と結果の解釈 招待あり
加藤 正史
日本セミラボテクニカルセミナー 日本セミラボ
開催年月日： 2017年06月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ザ・グランドティアラ名古屋駅前
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GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗、市川義人、伊藤健治、冨田一義、成田哲生、加地 徹、加藤正史
電子情報通信学会電子デバイス研究会
開催年月日： 2017年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学VBLベンチャーホール
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水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
加藤正史、市川義人、市村正也、木本恒暢
電子情報通信学会電子デバイス研究会
開催年月日： 2017年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学VBLベンチャーホール
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Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers 国際会議
Kenji Shiojima, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
Compound Semiconductor Week 2017
開催年月日： 2017年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Berlin, Germany
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4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性
片平 真哉、市川 義人、原田 俊太、木本 恒暢、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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GaN基板上GaNホモエピ層に対する過剰キャリアライフタイム評価
浅田 貴斗、市川 義人、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
塩島 謙次、三品 直樹、市川 尚澄、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定
前 伸一、俵 武志、土田 秀一、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定
加藤 正史、前 伸一、米澤 喜幸、加藤 智久
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2017年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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High performance 3C-SiC photocathode with surface pn-junction 国際会議
Masashi KATO, Naoto ICHIKAWA, Masaya ICHIMURA
2017 International Conference on Artificial Photosynthesis
開催年月日： 2017年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Ritsumeikan University, Kyoto
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Fabrication of artificial photosynthesis systems consisting of Pt/SiC photocathode, CoOx/BiVO4:Mo photoanode, and perovskite solar cell 国際会議
Akihiko Kudo, Akihide Iwase, Yohei Numata, Naoto Ichikawa, Masashi Ikegami, Masashi Kato, Tsutomu Miyasaka
Asia-Pacific International Conference on Hybrid and Organic Photovoltaics (AP-HOPV17)
開催年月日： 2017年02月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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酸化物光陽極・SiC光陰極タンデム構成による太陽光－水素変換
加藤正史
新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」第５回最終シンポジウム
開催年月日： 2017年01月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学・大岡山キャンパス
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ＳｒＴｉＯ3単結晶に対するキャリアライフタイム評価
小澤貴也 加藤正史 市村正也
第２１回資源循環型ものづくりシンポジウム
開催年月日： 2016年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋市工業研究所
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A 面n 型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察および構造解析
須藤正喜,姚永昭,菅原義弘,石川由加里,加藤正史
2016 真空・表面科学合同講演会
開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起により発生した積層欠陥の構造解析
須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、石川 由加里、加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：つくば国際会議場
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助触媒の利用による水分解用3C-SiC光電極の性能向上
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：つくば国際会議場
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酸性水溶液による4H-SiC表面パッシベーション効果
市川義人、市村正也、木本恒暢、加藤正史
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：つくば国際会議場
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様々な処理を施した4H-SiCの表面再結合速度の温度依存性解析
小濱 公洋、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第３回講演会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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2-Dimentional Characterization of 3C-SiC Layers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国際会議
K. Shiojima, M. Shingo, N. Ichikawa, M. Kato
SSDM2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Performance improvement of 3C-SiC photocathodes by using co-catalysts 国際会議
Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Greece, in the Porto Carras Grand Resort located in Sithonia, Halkidiki
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Isolated Carbon Interstitial Ci-CC Defects in 4H-SiC 国際会議
N.T. Son, X.T. Trinh, V. Ivady, H. Nakane, M. Kato, T. Ohshima, A. Gali, I. Abrikosov, E. Janzen
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Greece, in the Porto Carras Grand Resort located in Sithonia, Halkidiki
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Dependence of surface recombination velocity for 4H-SiC on contacted aqueous solution 国際会議
Yoshihito Ichikawa, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto, Masashi Kato
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Greece, in the Porto Carras Grand Resort located in Sithonia, Halkidiki
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界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価
橋爪 孝典、畑 裕介、加藤 正史、塩島 謙次
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価
塩島 謙次、市川 尚澄、加藤 正史
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察
須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、石川 由加里、加藤 正史
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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太陽光－水素エネルギー変換効率0.58%を示す3C-SiC光電極
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiC表面再結合の接触水溶液pH依存性
市川 義人、加藤 正史、市村 正也、木本 恒暢
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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n型4H-SiC中SSF起因フォトルミネッセンスの時間分解測定
加藤 正史、片平 真哉、市川 義人、市村 正也、原田 俊太
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Evaluation of surface recombination of SiC for development of bipolar devices 招待あり 国際会議
Masashi Kato
SPIE Optical Engineering + Applications SPIE
開催年月日： 2016年08月 - 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：San Diego
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Electrical properties of p-type 4H-SiC epilayers 国際会議
Masashi Kato
EVTeC 2016 & APE Japan 2016
開催年月日： 2016年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Pacifico Yokohama
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CO2 Reduction with p-Type 3C-SiC Photo-Electrodes 国際会議
Shunnosuke Akabane, Go Sahara, Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Kazuhiko Maeda, Takayuki Iwasaki, Tetsuo Kodera, Mutsuko Hatano
2016 MRS Spring Meeting
開催年月日： 2016年03月 - 2016年04月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Phoenix
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4H-SiC光電極を用いたCO2還元への助触媒効果
赤羽 俊之輔、佐原 豪、市川 尚澄、加藤 正史、前田 和彦、岩崎 孝之、小寺 哲夫、波多野 睦子
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
新郷 正人、市川 尚澄、加藤 正史、塩島 謙次
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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水溶液と接触した4H-SiCにおける表面再結合
市川 義人、加藤 正史、市村 正也
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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4H-SiCにおける表面再結合速度の解析精度向上
小濱 公洋、加藤 正史、市村 正也
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東工大 大岡山キャンパス
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SrTiO3単結晶評価とSiC光陰極性能向上
加藤正史
新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」第4回公開シンポジウム
開催年月日： 2016年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学
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シリコンカーバイドによる太陽光－水素エネルギー変換
加藤 正史
第20回資源循環型ものづくりシンポジウム
開催年月日： 2015年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋市工業研究所
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ＴｉＯ2及びＳｒＴｉＯ3単結晶に対するキャリアライフタイムの測定
市川義人、加藤正史、市村正也
第20回資源循環型ものづくりシンポジウム
開催年月日： 2015年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋市工業研究所
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4H-SiC上の3C-SiC光電極を用いた水分解による効率的な水素生成
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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n型4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の解析
小濵 公洋、森 裕人、加藤 正史、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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DLTS測定による4H-SiC中Al準位の捕獲断面積の評価
景 荻、加藤 正史、市村 正也、児島 一聡
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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Efficient hydrogen generation by a 3C‐SiC on 4H‐SiC photoelectrode 国際会議
Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
開催年月日： 2015年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Giardini Naxos, Italy
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Surface recombination velocities for polished p‐type 4H‐SiC 国際会議
Masashi Kato, Kimihiro Kohama, Hiroto Shibata, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
開催年月日： 2015年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Giardini Naxos, Italy
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Deep level characterization for p‐type SiC photocathodes 国際会議
Masashi Kato, Naoto Ichikawa, Masaya Ichimura, Yoshitaka Nakano
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
開催年月日： 2015年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Giardini Naxos, Italy
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Evaluation of Temperature Dependence of Surface Recombination Velocities for n-type 4H-SiC 国際会議
K. Kohama, Y. Mori, M.Kato, M. Ichimura
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) Japan Society of Applied Physics
開催年月日： 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiC光電極を用いたCO2還元によるメタン生成
赤羽 俊之輔、佐原 豪、市川 尚澄、加藤 正史、前田 和彦、岩崎 孝之、小寺 哲夫、波多野 睦子
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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助触媒担持による3C-SiC光電極の性能向上
市川 尚澄、加藤 正史、市村 正也
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC中Al準位の正孔捕獲断面積
景 荻、加藤 正史、市村 正也、児島 一聡
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価
小濱公洋、森 祐人、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2015年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：豊橋技術科学大学 VBL棟
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Spectral Response, Carrier Lifetime and Photocurrents of SiC Photocathodes 国際会議
Masashi Kato, Keiko Miyake, Masaya Ichimura
ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015
開催年月日： 2015年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiC 表面再結合速度における温度依存性の解析
小濱 公洋，森 祐人，加藤 正史，市村 正也
第62回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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12 mA/W の光電流を示す水分解用 SiC
市川 尚澄, 長谷川 貴大, 加藤 正史, 市村 正也
第62回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人応用物理学会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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n 型 4H-SiC における表面再結合速度の温度依存性に対する評価
小濱公洋、 森祐人、 加藤正史、 市村正也
先進パワー半導体分科会 第 1 回講演会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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p 型 4H-SiC に存在する深い準位の熱処理依存性の評価
景 荻、加藤 正史、中根 浩貴、市村 正也
先進パワー半導体分科会 第１回講演会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ウインクあいち
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電子線照射を施した 4H-SiC 中の深い準位に対する電気的及び光学的手法による構造同定
中根 浩貴、加藤 正史、市村 正也、大島 武 、I. G. Ivanov、X. T. Trinh、N. T. Son、E.Janzen
先進パワー半導体分科会 第１回講演会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ウインクあいち
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Deep levels in electron irradiated semi-insulating 4H-SiC: electronic, optical and structural observation 国際会議
Hiroki NAKANE, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Takeshi OHSHIMA, Ivan IVANOV, Xuan TRINH, Nguyen SON, Erik JANZÉN
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Grenoble
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Temperature dependence of surface recombination velocities for n-type 4H-SiC 国際会議
Masashi KATO, Kimihiro KOHAMA, Yuto MORI, Masaya ICHIMURA
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Grenoble
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SILICON CARBIDE PHOTOCATHODE FOR SOLAR TO HYDROGEN CONVERSION 国際会議
Masashi Kato
UK-Japan Solar Driven Fuel Synthesis Workshop: Materials, Understanding and Reactor Design
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語
開催地：British Embassy Tokyo
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SiC光電極の分光感度特性
加藤正史，三宅景子，市村正也
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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高安定・高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発
赤羽俊之輔，Jun Tae Song，Renato Goes Amici，三宅景子，加藤正史，岩崎孝之，波多野睦子
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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光電極応用に向けたp型SiCエピタキシャル層の欠陥評価
加藤正史，中野由崇
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Microwave reflectivity from 4H-SiC in the high injection condition: Impacts of the electron-hole scattering 国際会議
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
開催年月日： 2014年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tsukuba International Congress Center
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Carrier Lifetimes in Rutile TiO2 Single Crystals Measured by the Microwave Photoconductivity Decay 国際会議
Masashi Kato, Kimihiro Kohama, Masaya Ichimura
IUMRS-ICA 2014 MRS-J
開催年月日： 2014年08月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka University
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Time-Resolved Observation of Free Carrier Absorption for Carrier Lifetime Measurement of SiC 国際会議
Masashi Kato, Yuto Mori, Nguyen Xuan Truyen, Masaya Ichimura
IUMRS-ICA2014 MRS-J
開催年月日： 2014年08月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka University
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異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴,加藤正史,市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2014年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学 VBL
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高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 ～ キャリアライフタイムの正確な評価に向けて ～
加藤正史,森 祐人,市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2014年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Understanding of Structures of the Deep Levels in 4H-SiC: Toward Development of Bipolar SiC Devices for Motor Drives 国際会議
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima
EVTeC & APE Japan 2014 Society of Automotive Engineers of Japan, Inc
開催年月日： 2014年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Pacifico Yokohama
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Silicon Carbide: Not Only for Energy Savings but Also for Energy Generation 国際会議
Masashi Kato
EVTeC & APE Japan 2014 Society of Automotive Engineers of Japan, Inc.
開催年月日： 2014年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Pacifico Yokohama
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SiC 水素発生光触媒の分光感度特性
加藤正史
第4回フォーラム「人工光合成」 科学技術振興機構さきがけ「光エネルギーと物質変換」研究領域 文部科学省科学研究費補助金新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」 総括班
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋大学東山キャンパス 坂田・平田ホール
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p型4H-SiC中に存在する価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴，加藤正史，市村正也
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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4H-SiCにおける表面再結合速度の温度依存性の評価
小濱公洋，森佑人，加藤正史，市村正也
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2014年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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エピタキシャルSiC光陰極による太陽光−水素変換効率
加藤正史、安田智成、三宅景子、市村正也、畑山智亮
第23回日本MRS年次大会 日本MRS
開催年月日： 2013年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：万国橋会議センター
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高水準注入条件におけるμ-PCD信号：高水準キャリアライフタイム評価への提案
加藤 正史、森 祐人、市村 正也
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体研究会
開催年月日： 2013年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：埼玉会館
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自由キャリア吸収を用いたキャリアライフタイム測定装置の開発とSiCの評価
森祐人、 グェンスァンチュン、 加藤正史、 市村正也
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
開催年月日： 2013年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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電子線照射を施した4H-SiC中に存在する深い準位と欠陥構造の同定 国際会議
中根 浩貴、加藤 正史、市村 正也、大島 武
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
開催年月日： 2013年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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SiCによる水の光分解におけるキャリアライフタイムの影響
三宅景子、安田智成、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
第 5回薄膜太陽電池セミナー
開催年月日： 2013年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋大学
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SiC水素発生光触媒における効率制限因子
加藤正史
新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」第2回公開シンポジウム 新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」
開催年月日： 2013年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：立命館大学朱雀キャンパス
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Identification of Structures of Deep Levels in 4H-SiC 国際会議
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
開催年月日： 2013年09月 - 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Impact of Carrier Lifetime on Efficiency of Photolytic Hydrogen Generation by SiC 国際会議
Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
開催年月日： 2013年09月 - 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Correlation between Microwave Reflectivity and Exxcess Carrier Concentrations in 4H-SiC 国際会議
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
International Conference on Silicon Carbide and Related Material 2013
開催年月日： 2013年09月 - 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Estimation of Surface Recombination Velocities for n-type 4H-SiC Surfaces Treated by Various Processes 国際会議
Yuto Mori, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
開催年月日： 2013年09月 - 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
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Observation of Deep Levels and Their Hole Capture Behavior in p-type 4H-SiC Epilayers with and without Electron Irradiation 国際会議
Masashi Kato, Kazuki Yoshihara, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2013
開催年月日： 2013年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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電子線照射を利用した4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定
加藤正史,中根浩貴,市村正也,大島武
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：同志社大学京田辺キャンパス
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FCA測定装置の開発とSiCのキャリアライフタイム評価への適用
森祐人,チュングェン加藤正史,市村正也
第７４回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2013年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：同志社大学京田辺キャンパス
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高耐圧バイポーラSiCデバイス開発のためのp型SiCエピ層の評価
加藤正史
自動車技術会2013年春季大会
開催年月日： 2013年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：パシフィコ横浜
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高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価
三宅景子、安田智成、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島 武
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2013年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：静岡大学創造科学技術大学院
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4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み
中根浩貴、加藤正史、市村正也、大島 武
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2013年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：静岡大学創造科学技術大学院
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様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価
森 祐人、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2013年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：静岡大学創造科学技術大学院
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p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性
吉原一輝，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島武
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
-
反応性イオンエッチングを施した4H-SiC表面のμ-PCD法による評価
森祐人，加藤正史，市村正也
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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SiCにおけるμ-PCD信号と過剰キャリア密度の相関
加藤正史，森祐人，市村正也
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学
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位相同期回路を利用したアナログ回路によるハウリング低減の試み
久保真奈美，谷口淳紀，加藤正史
電子情報通信学会 2013年総合大会 電子情報通信学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：岐阜大学
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ダクト内消音用2入力ニューラルネットワークアナログANC回路
兵藤 樹，加藤正史
電子情報通信学会 2013年総合大会 電子情報通信学会
開催年月日： 2013年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：岐阜大学
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シリコンカーバイドによる太陽光からの水素生成
加藤 正史
第３回次世代エネルギーシステム研究会 名古屋工業大学 曽我研究室
開催年月日： 2013年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋工業大学 １号館 ０１１１（C３）教室
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p型4H-SiC中の深い準位の捕獲断面積に関する考察
吉原一輝,加藤正史,市村正也,畑山智亮,大島武
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪市中央公会堂
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SiCを用いた水素生成応用に対するキャリアライフタイムの影響
三宅 景子,安田 智成,加藤 正史,市村 正也,畑山 智亮,大島 武
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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様々な加工処理を施した4H-SiC表面に対する表面再結合速度の評価
森祐人,加藤正史,市村正也
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪市中央公会堂
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Leakage Current Suppression Using Passivation of Defect by Anodic Oxidation for 4H-SiC Schottky Contacts 国際会議
M. Kato, M. Kimura, M. Ichimura
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
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SiCの水素生成応用における光電流とキャリアライフタイムの相関
三宅景子，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島 武
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学
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キャリアライフタイム測定による4H-SiC表面に対する大気圧プラズマ加工の影響評価
森 祐人，加藤正史，市村正也，佐野泰久
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
開催年月日： 2012年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学
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Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 国際会議
K. Yoshihara, M. Kato, M. Ichimura, T. Hatayama, T. Oshima
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM2012 Organizing committee
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：St. Petersburg, Russia
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Solar-to-hydrogen conversion efficiency of water photolysis with epitaxially grown p-type SiC 国際会議
T. Yasuda, M. Kato, M. Ichimura, T. Hatayama
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM2012 Organizing committee
開催年月日： 2012年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Saint-Petersburg, Russia
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オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上
兵藤 樹、朝倉 岳、塚田 究、加藤正史
電子情報通信学会 信号処理研究会
開催年月日： 2012年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学中之島センター
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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
吉原一輝、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
電子情報通信学会 電子デバイス研究会（ED） 電子情報通信学会
開催年月日： 2012年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：豊橋技術科学大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける価電子帯近傍の深い準位の観測
吉原一輝，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島 武
第５９回応用物理学関連連合講演会 公益社団法人応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：早稲田大学
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SiCによる水の光分解特性の二電極系における評価
安田智成，加藤正史，市村正也，畑山智亮
第５９回応用物理学関連連合講演会 公益社団法人応用物理学会
開催年月日： 2012年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学
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Moodleの活用によるインタラクティブ授業の試み
加藤正史
名工大 平成２３年度 第１回FD研究会 名古屋工業大学 工学教育総合センター 創造教育開発オフィス e-Education推進部会
開催年月日： 2012年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学 2号館 0221講義室
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Possibility of Silicon Carbide as a Photocatalyst Material for Hydrogen Generation 国際会議
Masashi Kato, Tomonari Yasuda, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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Carrier Lifetime Measurement for Observation of Defects in 3C- and 4H-SiC 国際会議
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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Improvement of forward characteristics for n-type 4H-SiC Schottky diode using passivation of defects by anodic oxidation 国際会議
Masaya Kimura, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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Observation of deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 国際会議
Kazuki Yoshihara, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Symposium on EcoTopia Science 2011 Organizing committee of ISETS '11
開催年月日： 2011年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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キャリアライフタイムのエピ厚依存性観測による4H-SiC 表面再結合速度評価
加藤正史,吉田敦史,市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオード順方向特性の改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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3C-SiCウェハーにおける過剰キャリアライフタイムと歪みの断面観察
吉田敦史、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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SiCの水分解応用におけるポリタイプおよび結晶品質依存性の評価
安田智成、加藤正史、市村正也、畑山智亮
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCに存在する深い準位の観測
吉原一輝、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第２０回講演会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
開催年月日： 2011年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：愛知県産業労働センター
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Estimation of the Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of the Carrier Lifetime in n-type 4H-SiC Epilayers 国際会議
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Aichi Industry & Labor Center
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Characterization of deep levels in semi-insulating SiC 国際会議
Masashi Kato
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON MATERIALS CHARACTERISATION Crystal Growth Centre, Anna University
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Crystal Growth Centre, Anna University
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Correlation Between Strain and Excess Carrier Lifetime in a 3C-SiC Wafer 国際会議
Atsushi Yoshida, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2011 Chairs
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Cleveland, Ohio
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Characterization of Photoelectrochemical Properties of SiC as a Water Splitting Material 国際会議
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2011 Chairs
開催年月日： 2011年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Cleveland, Ohio
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自立4H-SiC エピ膜のキャリアライフタイム測定による表面再結合速度評価
加藤正史，吉田敦史，市村正也
第72回 応用物理学会学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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水の光分解材料としての4H-SiCバルク結晶とエピタキシャル膜の特性比較
安田智成，加藤正史，市村正也，畑山智亮
第72回 応用物理学会学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2011年08月 - 2011年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学
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自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性
加藤正史、吉田敦史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価
安田智成、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価
吉田敦史、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
開催年月日： 2011年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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水の光分解材料としてのSiC光電気化学特性評価
安田智成，加藤正史，市村正也
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiCウェハー内の歪みとキャリアライフタイムの相関性評価
吉田敦史，加藤正史，市村正也
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
開催年月日： 2011年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Observation of Nano-Scale Killer Defects on Silicon Carbide by Electrochemical Deposition of ZnO 国際会議
Masashi Kato
NANO-SciTech 2011
開催年月日： 2011年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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3C-SiCウェハーにおける過剰キャリアライフタイムマッピングによる歪みとライフタイムの相関性の評価
吉田敦史、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
開催年月日： 2010年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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n型4H-SiCショットキーダイオード整流特性の陽極酸化法による改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
開催年月日： 2010年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Characterization of plasma etching damage in GaN by electrical methods 国際会議
Masashi Kato, Masaya Ichimura
Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices (JWNSD 2010)
開催年月日： 2010年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Improvement of Schottky contact characteristics by anodic oxidation on 4H-SiC 国際会議
Kimura M., Kato M., Ichimura M.
The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2010年08月 - 2010年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Oslo, Norway
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Electrical parameters of bulk 3C crystals determ ined by Hall effect, magnetoresistivity, and contactless time-resolved optical techniques 国際会議
Scajev P., Mekys A., Malinovskis P., Storasta J., Kato M., Jarašiunas K.
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
開催年月日： 2010年08月 - 2010年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Oslo, Norway
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Comparative studies of carrier dynamics in 3C-SiC layers grown on Si and 4H-SiC substrates 国際会議
J. Hassana, P. Ščajeva, K. Jarašiūnasa, M. Kato, A. Henry, and J. P. Bergman
Electronic Materials Conference 2010
開催年月日： 2010年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Notere Dame, USA
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Internal Stresses in Free-Standing 3C-SiC Grown on Si and Their Relation to Carrier Lifetime 国際会議
V. Grivickas, G. Manolis, K. Gulbinas, J. Linnros, M. Kato
E-MRS 2010 Spring Meeting
開催年月日： 2010年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Congress Center - Place de Bordeaux - Wacken, Strasbourg, France
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Observation of crystal defects lowering the Schottky barrier in 4H-SiC by the electrochemical deposition 国際会議
Masashi Kato
14th National Seminar on Crystal Growth School of Advanced Sciences, VIT University
開催年月日： 2010年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：VIT University, Vellore - 632 014, Tamil Nadu, India
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電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム
加藤正史、松下由憲、市村正也
2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
開催年月日： 2010年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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水素イオン注入したSi単結晶のサブバンドギャップ光導電性とキャリアライフタイム
和田 耕司，加藤 正史，市村 正也, 鵜野, 坂根, 西原
2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
開催年月日： 2010年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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Four wave mixingによるSiC中のキャリアライフタイムおよび拡散係数の評価
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SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
開催年月日： 2009年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Correlation between Schottky contact characteristics and regions with a low barrier height revealed by the electrochemical deposition on 4H-SiC 国際会議
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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009
開催年月日： 2009年10月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
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Characterization of deep level and carrier lifetime in silicon carbide 国際会議
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The 11-th International Conference-School, ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES
開催年月日： 2009年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Structural and electrical characterization for 3C-SiC homoepitaxial layers 国際会議
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HETERO SiC 2009
開催年月日： 2009年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
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電子情報通信学会 応用音響/信号処理/音声 研究会
開催年月日： 2009年05月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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