講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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D4-12-O03 Difference in carrier lifetimes for SiC measured by microwave photoconductivity decay and time-resolved photoluminescence methods 国際会議
Masashi KATO
MATERIALS RESEARCH MEETING 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：YOKOHAMA SYMPOSIA
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D4-11-I08 Carrier Recombination Velocity in 4H-SiC: at Surfaces and Defects 招待あり 国際会議
Masashi KATO
MATERIALS RESEARCH MEETING 2019
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：YOKOHAMA SYMPOSIA
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顕微 FCA 装置による 4H-SiC 深さ方向高空間分解能ライフタイム測定
長屋圭祐, 平山貴史, 俵武志, 村田晃一, 土田秀一, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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TR-PL・EL測定によるGaN縦型pnダイオードの評価
安田優斗, 宇佐美茂佳, 田中敦之, 天野浩, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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4H-SiC における高濃度 Al イオン注入による p++領域の深い準位の評価
深谷周平, 米澤喜幸, 加藤智久, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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4H-SiCの表面再結合速度の注入フォトン数依存性
Lei HAN，加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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4H-SiC厚膜エピにおける非破壊・高空間分解能ライフタイム深さ分布測定
平山貴史, 長屋圭祐, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
開催年月日： 2019年12月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島国際会議場
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WP2-9 Mapping of Large Structural Defects in SiC Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy 国際会議
Kenji Shiojima, Masashi Kato
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
開催年月日： 2019年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sendai
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[Fr-1B-03] High Performance 3C-SiC Photocathode with Texture Structure Formed by Electrochemical Etching 国際会議
Masashi Kato, Tomohiro Ambe
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
開催年月日： 2019年09月 - 2019年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto ICC
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[Fr-3B-05LN] Microscopic FCA system for carrier lifetime measurement in SiC with high spatial resolution 国際会議
Keisuke Nagaya, Takashi Hirayama, Takeshi Tawara, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
開催年月日： 2019年09月 - 2019年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kyoto ICC
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[Th-P-51LN] Nondestructive depth distribution measurements of carrier lifetime in 4H-SiC thick epitaxial layers with high spatial resolution 国際会議
akashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
開催年月日： 2019年09月 - 2019年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto ICC
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[19p-PB4-2] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価
塩島 謙次、松田 稜、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学
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[19a-E301-4] GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布
安田 優斗、宇佐美 茂佳、田中 敦之、天野 浩、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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[18p-N302-1] GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存
加藤 正史、浅田 貴斗、朱 帥、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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[20p-E311-14] 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定
長屋 圭祐、平山 貴史、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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[A-1-03] Observation of Photoexcited Carrier Recombination in Metal Halide Perovskite Materials with Single and Poly crystalline structures 国際会議
T. Kawane, G.J. Matt, S. Shrestha, L. Jevgen, C.J. Brabec, A. Kanak, P. Fochuk, M. Kato
SSDM2019 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University
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[PS-4-22] Observation of Slow Carrier Recombination in p-type GaN Epilayers on GaN Substrates 国際会議
S. Zhu, K. Ito, K. Tomita, T. Narita, T. Kachi, M. Kato
SSDM2019 JSAP
開催年月日： 2019年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya University
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エピ成膜したOn axis SiCのX線トポグラフィ観察
石地耕太郎,加藤正史
X線トポグラフィ研究会
開催年月日： 2019年08月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 吹田キャンパス
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パワーデバイス材料のウェハー評価法 －SiC・GaNを例に－ 招待あり
加藤 正史
一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム ２０１９年度第１回研究会「ダイヤモンドのパワーデバイス応用：今後への期待」 一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム
開催年月日： 2019年06月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地： 東京理科大学 森戸記念館
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Fr-P14 SiCにおけるキャリア寿命評価手法比較
加藤 正史
日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
開催年月日： 2019年06月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：広島大学
