講演・口頭発表等 - 加藤 正史
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SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム
原田俊太, 坂根 仁, Li Tong, 加藤正史
電気学会 電子デバイス研究会「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」 2025年04月
開催年月日： 2025年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：絹の渓谷 碧流 会議室 国名：日本国
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[第46回優秀論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制 招待あり
原田 俊太、坂根 仁、三井 俊樹、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の深い準位の評価
古橋 優、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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低BPD密度ウェハによるバイポーラ劣化の抑制
Zhang Endong、稲吉 晴子、杉山 智彦、松島 潔、吉川 潤、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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Trench形成した4H-SiC基板上の3C-SiC/4H-SiC積層エピ層に対する ラマン分光法を用いたポリタイプ比率分析
長谷川 拓裕、長澤 弘幸、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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4H-SiCエピ層における全方位フォトルミネッセンススペクトルの膜厚依存性
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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4H-SiCへの<0001>方向チャネリングイオン注入:Si面とC面は同じか？
加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学野田キャンパス 国名：日本国
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Observation of Point Defect and Carrier Lifetime Distributions in Ion Implanted SiC PiN Diodes 国際会議
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 2025年03月
開催年月日： 2025年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：CHUBU UNIVERSITY 国名：日本国
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HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の深い準位の評価
古橋 優, 宇佐美 茂佳, 森 勇介, 渡邉 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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ドメイン制御エピタキシャル成長による 3C-SiC 光陰極性能向上
加藤 正史, Rho Kongshik, 藤田 隼
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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CoOx 助触媒担持による TiO2および SrTiO3単結晶におけるキャリア再結合に及ぼす影響
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスを用いた再結合過程の評価
牧野 隼宜, 鈴木 健吾, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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ヘリウムイオン注入による SiC 積層欠陥拡張抑制
Li Tong, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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溝形成した 4H-SiC 基板上の 3C-SiC/4H-SiC 積層エピ層に対するラマン分光法を用いたポリタ イプ比率分析
長谷川 拓裕, 長澤 弘幸, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024年11月 公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gメッセ群馬 国名：日本国
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: impact of CoOx cocatalyst loading 国際会議
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
the 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) 2024年11月
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Numazu 国名：日本国
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Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) M 招待あり 国際会議
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2024年10月
開催年月日： 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
国名：大韓民国
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Proton implantation into substrate and stacking faults in epitaxial layers 国際会議
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer 国際会議
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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Demonstration of Suppressing 1SSF Expansion Using Energy Filtered Ion Implantation 国際会議
Hitesh Jayaprakash, Constantin Csato, Masashi Kato, Tong Li, Florian Krippendorf, Michael Rueb, Joerg Schulze
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024年10月
開催年月日： 2024年09月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 国名：アメリカ合衆国
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