Presentations -
-
Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy International conference
K. Shiojima, N. Mishina, N. Ichikawa, M. Kato
the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Sendai International Center
-
Microscopic FCA System for Depth-Resolved Carrier Lifetime Measurement International conference
Shinichi Mae, Takeshi Tawara, Hidekazu Tsuchida, Masashi Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Washington, D.C.
-
Decay Time of Photoluminescence from 1SSFs and PDs in 4H-SiC International conference
Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, Tsunenobu Kimoto
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Washington, D.C.
-
Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation International conference
Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Washington, D.C.
-
Observation of Carrier Distribution in SiC PiN Diodes by Using Optical Transmission International conference
Masashi Kato, Shinichi Mae, Yoshiyuki Yonezawa, Tomohisa Kato
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Washington, D.C.
-
4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
石川 由加里、須藤 正喜、姚 永昭、菅原 義弘、加藤 正史
第78回応用物理学会 秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
-
4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度
加藤 正史、小濱 公洋、Zhang Xinchi、市村 正也、木本 恒暢
第78回応用物理学会 秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
-
NbドープTiO2単結晶における光触媒活性とキャリアライフタイムの関係
小澤 貴也、名嶋 駿、加藤 正史
第78回応用物理学会 秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
-
Characterization of GaN epilayers on GaN substrates by a microwave photoconductivity decay method International conference
Masashi Kato, Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
Event date： 2017.08
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Hotel Kyocera, Kirishima, Kyushuu, Japan
-
SiC photocathode for a solar to hydrogen conversion technology Invited International conference
Masashi Kato
Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017
Event date： 2017.06
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：International Convention Center (ICC) Jeju
-
SiCのキャリアライフタイム測定手法と結果の解釈 Invited
加藤 正史
日本セミラボテクニカルセミナー 日本セミラボ
Event date： 2017.06
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：ザ・グランドティアラ名古屋駅前
-
GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗、市川義人、伊藤健治、冨田一義、成田哲生、加地 徹、加藤正史
電子情報通信学会電子デバイス研究会
Event date： 2017.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋大学VBLベンチャーホール
-
水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
加藤正史、市川義人、市村正也、木本恒暢
電子情報通信学会電子デバイス研究会
Event date： 2017.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋大学VBLベンチャーホール
-
Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers International conference
Kenji Shiojima, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
Compound Semiconductor Week 2017
Event date： 2017.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Berlin, Germany
-
4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性
片平 真哉、市川 義人、原田 俊太、木本 恒暢、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：パシフィコ横浜
-
GaN基板上GaNホモエピ層に対する過剰キャリアライフタイム評価
浅田 貴斗、市川 義人、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：パシフィコ横浜
-
界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
塩島 謙次、三品 直樹、市川 尚澄、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：パシフィコ横浜
-
顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定
前 伸一、俵 武志、土田 秀一、加藤 正史
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：パシフィコ横浜
-
光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定
加藤 正史、前 伸一、米澤 喜幸、加藤 智久
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：パシフィコ横浜
-
High performance 3C-SiC photocathode with surface pn-junction International conference
Masashi KATO, Naoto ICHIKAWA, Masaya ICHIMURA
2017 International Conference on Artificial Photosynthesis
Event date： 2017.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Ritsumeikan University, Kyoto
