Presentations -
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Improvement of forward characteristics for n-type 4H-SiC Schottky diode using passivation of defects by anodic oxidation International conference
Event date： 2011.12
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Observation of deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation International conference
Event date： 2011.12
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Estimation of the surface recombination velocity for 4H-SiC by observing thickness dependence of the carrier lifetime
Event date： 2011.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Improvement of forward characteristics for n-type 4H-SiC Schottky diode using passivation of defects by anodic oxidation
Event date： 2011.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Cross sectional observation of strains and excess carrier lifetimes in a 3C-SiC wafer
Event date： 2011.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Polytype and crystalline quality dependence of SiC for a water splitting application
Event date： 2011.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Observation of deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation
Event date： 2011.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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Estimation of the Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of the Carrier Lifetime in n-type 4H-SiC Epilayers International conference
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
Event date： 2011.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Aichi Industry & Labor Center
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Characterization of deep levels in semi-insulating SiC International conference
Masashi Kato
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON MATERIALS CHARACTERISATION Crystal Growth Centre, Anna University
Event date： 2011.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Crystal Growth Centre, Anna University
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Correlation Between Strain and Excess Carrier Lifetime in a 3C-SiC Wafer International conference
Atsushi Yoshida, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2011 Chairs
Event date： 2011.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Cleveland, Ohio
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Characterization of Photoelectrochemical Properties of SiC as a Water Splitting Material International conference
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2011 Chairs
Event date： 2011.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Cleveland, Ohio
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自立4H-SiC エピ膜のキャリアライフタイム測定による表面再結合速度評価
加藤正史，吉田敦史，市村正也
第72回 応用物理学会学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
Event date： 2011.08 - 2011.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：山形大学
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水の光分解材料としての4H-SiCバルク結晶とエピタキシャル膜の特性比較
安田智成，加藤正史，市村正也，畑山智亮
第72回 応用物理学会学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
Event date： 2011.08 - 2011.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：山形大学
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自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性
加藤正史、吉田敦史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2011.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2011.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価
安田智成、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2011.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価
吉田敦史、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2011.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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水の光分解材料としてのSiC光電気化学特性評価
安田智成，加藤正史，市村正也
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
Event date： 2011.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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3C-SiCウェハー内の歪みとキャリアライフタイムの相関性評価
吉田敦史，加藤正史，市村正也
2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
Event date： 2011.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Observation of Nano-Scale Killer Defects on Silicon Carbide by Electrochemical Deposition of ZnO International conference
Masashi Kato
NANO-SciTech 2011
Event date： 2011.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
