Presentations -
-
GaNエピ層キャリアライフタイムの遅い成分の電気的特性への寄与
前田 卓人, 浅田 貴斗, 伊藤 健治, 冨田 一義, 成田 哲生, 加地 徹, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
Event date： 2021.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
-
4H-SiC結晶のオージェ再結合係数の高品質品再評価
田中 和裕, 長屋 圭祐, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
Event date： 2021.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
-
イオン注入により作成した4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるキャリアライフタイム評価
福井 琢也, 石井 達也, 俵 武志, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
Event date： 2021.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
-
4H-SiCバイポーラ劣化抑制に求められるドリフト層内キャリアライフタイムの評価
三井 俊樹, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会第8回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
Event date： 2021.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
-
顕微自由キャリア吸収法によるSiCデバイス内キャリア寿命評価
加藤正史, 福井琢也, 俵 武志
第41回 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2021 ナノテスティング学会
Event date： 2021.10
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
-
[10p-S202-8] 高品質 4H-SiC 結晶を用いたオージェ再結合係数の再検討
田中 和裕、長屋 圭祐、加藤 正史
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
-
[10p-S202-7] 4H-SiCバイポーラ劣化抑制に向けたドリフト層内のキャリアライフタイムの検討
三井 俊樹、加藤 正史
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2021.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
-
[D-4-07] Effects of the ion implantation process on carrier lifetimes in 4H-SiC SJ-MOSFET International conference
Takuya Fukui, Takeshi Tawara, Masashi Kato
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials The Japan Society of Applied Physics.
Event date： 2021.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：online
-
[F-2-04] Estimation of surface recombination velocities of SrTiO3 for optimum structures as a photocatalyst International conference
Masashi Kato, Takaya Ozawa, Yoshihito Ichikawa
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials The Japan Society of Applied Physics.
Event date： 2021.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：online
-
イクメンという言葉を乗り越えて Invited
加藤正史
第２回サプリトーク（愛知県サテライトセミナー共催事業） 大府市
Event date： 2021.07
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：大府市役所地下多目的ホール
-
[H2.4] Effects of crystalline defects on degradation of SiC devices International conference
Masashi Kato
EVTeC 2021 JSAE
Event date： 2021.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Virtual
-
[P23] Mapping Of Schottky Contacts On P-4H-SiC Wafers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy International conference
Kenji Shiojima, Masashi Kato
Compound Semiconductor Week 2021
Event date： 2021.05
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：online
-
[18a-Z15-9] GaNエピ層キャリア再結合の遅い成分の電気的特性への寄与
前田 卓人、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
-
[17a-Z28-10] 4H-SiC SJ-UMOSFETにおけるイオン注入プロセスがキャリアライフタイムへ与える影響
福井 琢也、俵 武志、加藤 正史
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2021.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：オンライン
-
IB-05 4H-SiC SJ-UMOSFET内部のキャリアライフタイム分布測定
福井 琢也、長屋 圭祐、俵 武志、加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 応用物理学会先進パワー半導体分科会
Event date： 2020.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：オンライン
-
[14a-A410-9] 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定
福井 琢也、長屋 圭祐、俵 武志、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学
-
[13a-PA6-11] 界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価
塩島 謙次、Nabilah Fatin、松田 稜、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：上智大学
-
[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価
深谷 周平、米澤 喜幸、加藤 智久、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学
-
[14a-A410-7] SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較
加藤 正史、片平 真哉
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学
-
[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性
韓 磊、加藤 智久、加藤 正史
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2020.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：上智大学
