Presentations -
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SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム
原田俊太, 坂根 仁, Li Tong, 加藤正史
電気学会 電子デバイス研究会「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」 2025.04
Event date： 2025.04
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：絹の渓谷 碧流 会議室 Country：Japan
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[第46回優秀論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制 Invited
原田 俊太、坂根 仁、三井 俊樹、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の深い準位の評価
古橋 優、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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低BPD密度ウェハによるバイポーラ劣化の抑制
Zhang Endong、稲吉 晴子、杉山 智彦、松島 潔、吉川 潤、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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Trench形成した4H-SiC基板上の3C-SiC/4H-SiC積層エピ層に対する ラマン分光法を用いたポリタイプ比率分析
長谷川 拓裕、長澤 弘幸、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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4H-SiCエピ層における全方位フォトルミネッセンススペクトルの膜厚依存性
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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4H-SiCへの<0001>方向チャネリングイオン注入:Si面とC面は同じか？
加藤 正史
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.03
Event date： 2025.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京理科大学野田キャンパス Country：Japan
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Observation of Point Defect and Carrier Lifetime Distributions in Ion Implanted SiC PiN Diodes International conference
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 2025.03
Event date： 2025.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：CHUBU UNIVERSITY Country：Japan
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Evaluation of deep levels in GaN epilayers on HVPE and OVPE substrates
2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Country：Japan
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Performance improvement of 3C-SiC photocathodes by domain control epitaxial growth
2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Country：Japan
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Effect of CoOx cocatalyst loading on charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Country：Japan
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Evaluation of recombination processes for 4H-SiC freestanding epilayers using omnidirectional photoluminescence
2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Country：Japan
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Suppression of stacking-fault expansion in SiC by helium implantation
2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Country：Japan
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Polytype ratio analysis of 3C-SiC/4H-SiC stacked epilayer on trenched 4H-SiC substrate by Raman spectroscopy
2024.11
Event date： 2024.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Country：Japan
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: impact of CoOx cocatalyst loading International conference
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
the 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) 2024.11
Event date： 2024.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Numazu Country：Japan
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Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) M Invited International conference
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2024.10 Korea Society of LEDs and Optoelectronics (KSLOE)
Event date： 2024.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Hanwha Resorts Haeundae, Busan, Korea Country：Korea, Republic of
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Proton implantation into substrate and stacking faults in epitaxial layers International conference
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.10
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer International conference
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.10
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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Demonstration of Suppressing 1SSF Expansion Using Energy Filtered Ion Implantation International conference
Hitesh Jayaprakash, Constantin Csato, Masashi Kato, Tong Li, Florian Krippendorf, Michael Rueb, Joerg Schulze
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.10
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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