Presentations -
-
3C-SiCウェハーにおける過剰キャリアライフタイムマッピングによる歪みとライフタイムの相関性の評価
吉田敦史、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
Event date： 2010.10
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
-
n型4H-SiCショットキーダイオード整流特性の陽極酸化法による改善
木村允哉、加藤正史、市村正也
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
Event date： 2010.10
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
-
Characterization of plasma etching damage in GaN by electrical methods International conference
Masashi Kato, Masaya Ichimura
Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices (JWNSD 2010)
Event date： 2010.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
-
Improvement of Schottky contact characteristics by anodic oxidation on 4H-SiC International conference
Kimura M., Kato M., Ichimura M.
The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Event date： 2010.08 - 2010.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Oslo, Norway
-
Electrical parameters of bulk 3C crystals determ ined by Hall effect, magnetoresistivity, and contactless time-resolved optical techniques International conference
Scajev P., Mekys A., Malinovskis P., Storasta J., Kato M., Jarašiunas K.
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Event date： 2010.08 - 2010.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Oslo, Norway
-
Comparative studies of carrier dynamics in 3C-SiC layers grown on Si and 4H-SiC substrates International conference
J. Hassana, P. Ščajeva, K. Jarašiūnasa, M. Kato, A. Henry, and J. P. Bergman
Electronic Materials Conference 2010
Event date： 2010.06
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Notere Dame, USA
-
Internal Stresses in Free-Standing 3C-SiC Grown on Si and Their Relation to Carrier Lifetime International conference
V. Grivickas, G. Manolis, K. Gulbinas, J. Linnros, M. Kato
E-MRS 2010 Spring Meeting
Event date： 2010.06
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Congress Center - Place de Bordeaux - Wacken, Strasbourg, France
-
Observation of crystal defects lowering the Schottky barrier in 4H-SiC by the electrochemical deposition International conference
14th National Seminar on Crystal Growth
Event date： 2010.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
-
電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム
加藤正史、松下由憲、市村正也
2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
Event date： 2010.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
-
水素イオン注入したSi単結晶のサブバンドギャップ光導電性とキャリアライフタイム
和田 耕司，加藤 正史，市村 正也, 鵜野, 坂根, 西原
2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
Event date： 2010.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
-
Four wave mixingによるSiC中のキャリアライフタイムおよび拡散係数の評価
-
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
Event date： 2009.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
-
Correlation between Schottky contact characteristics and regions with a low barrier height revealed by the electrochemical deposition on 4H-SiC International conference
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009
Event date： 2009.10
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
-
Characterization of deep level and carrier lifetime in silicon carbide International conference
The 11-th International Conference-School, ADVANCED MATERIALS AND TECHNOLOGIES
Event date： 2009.08
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
-
Structural and electrical characterization for 3C-SiC homoepitaxial layers International conference
HETERO SiC 2009
Event date： 2009.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
-
アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
-
電子情報通信学会 応用音響/信号処理/音声 研究会
Event date： 2009.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
