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D4-12-O03 Difference in carrier lifetimes for SiC measured by microwave photoconductivity decay and time-resolved photoluminescence methods International conference
Masashi KATO
MATERIALS RESEARCH MEETING 2019
Event date： 2019.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：YOKOHAMA SYMPOSIA
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D4-11-I08 Carrier Recombination Velocity in 4H-SiC: at Surfaces and Defects Invited International conference
Masashi KATO
MATERIALS RESEARCH MEETING 2019
Event date： 2019.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：YOKOHAMA SYMPOSIA
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顕微 FCA 装置による 4H-SiC 深さ方向高空間分解能ライフタイム測定
長屋圭祐, 平山貴史, 俵武志, 村田晃一, 土田秀一, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
Event date： 2019.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：広島国際会議場
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TR-PL・EL測定によるGaN縦型pnダイオードの評価
安田優斗, 宇佐美茂佳, 田中敦之, 天野浩, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
Event date： 2019.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：広島国際会議場
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4H-SiC における高濃度 Al イオン注入による p++領域の深い準位の評価
深谷周平, 米澤喜幸, 加藤智久, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
Event date： 2019.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：広島国際会議場
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4H-SiCの表面再結合速度の注入フォトン数依存性
Lei HAN，加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
Event date： 2019.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：広島国際会議場
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4H-SiC厚膜エピにおける非破壊・高空間分解能ライフタイム深さ分布測定
平山貴史, 長屋圭祐, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第6回講演会
Event date： 2019.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：広島国際会議場
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WP2-9 Mapping of Large Structural Defects in SiC Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy International conference
Kenji Shiojima, Masashi Kato
8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
Event date： 2019.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Sendai
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[Fr-1B-03] High Performance 3C-SiC Photocathode with Texture Structure Formed by Electrochemical Etching International conference
Masashi Kato, Tomohiro Ambe
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
Event date： 2019.09 - 2019.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Kyoto ICC
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[Fr-3B-05LN] Microscopic FCA system for carrier lifetime measurement in SiC with high spatial resolution International conference
Keisuke Nagaya, Takashi Hirayama, Takeshi Tawara, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
Event date： 2019.09 - 2019.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Kyoto ICC
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[Th-P-51LN] Nondestructive depth distribution measurements of carrier lifetime in 4H-SiC thick epitaxial layers with high spatial resolution International conference
akashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
ICSCRM2019 ICSCRM2019 Organizing Committee
Event date： 2019.09 - 2019.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Kyoto ICC
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[19p-PB4-2] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価
塩島 謙次、松田 稜、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：北海道大学
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[19a-E301-4] GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布
安田 優斗、宇佐美 茂佳、田中 敦之、天野 浩、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学
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[18p-N302-1] GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存
加藤 正史、浅田 貴斗、朱 帥、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学
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[20p-E311-14] 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定
長屋 圭祐、平山 貴史、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP
Event date： 2019.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学
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[A-1-03] Observation of Photoexcited Carrier Recombination in Metal Halide Perovskite Materials with Single and Poly crystalline structures International conference
T. Kawane, G.J. Matt, S. Shrestha, L. Jevgen, C.J. Brabec, A. Kanak, P. Fochuk, M. Kato
SSDM2019 JSAP
Event date： 2019.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nagoya University
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[PS-4-22] Observation of Slow Carrier Recombination in p-type GaN Epilayers on GaN Substrates International conference
S. Zhu, K. Ito, K. Tomita, T. Narita, T. Kachi, M. Kato
SSDM2019 JSAP
Event date： 2019.09
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya University
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エピ成膜したOn axis SiCのX線トポグラフィ観察
石地耕太郎,加藤正史
X線トポグラフィ研究会
Event date： 2019.08
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：大阪大学 吹田キャンパス
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パワーデバイス材料のウェハー評価法 －SiC・GaNを例に－ Invited
加藤 正史
一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム ２０１９年度第１回研究会「ダイヤモンドのパワーデバイス応用：今後への期待」 一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム
Event date： 2019.06
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue： 東京理科大学 森戸記念館
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Fr-P14 SiCにおけるキャリア寿命評価手法比較
加藤 正史
日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
Event date： 2019.06
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：広島大学
