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Temperature dependent carrier lifetime measurements on free-standing 4H-SiC epilayer International conference
Jan Beyer, Masashi Kato, Nadine Schüler, Kay Dornich, Johannes Heitmann
European Materials Research Society 2019 Spring Meeting
Event date： 2019.05
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Nice, France
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[9p-S321-7] Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and 3C-SiC in tandem structure
Zhenhang Liu、Masashi Kato
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
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[11a-PB4-14] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動
石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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[10a-PB1-18] ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定
河根 拓哉、Matt Gebhard、Osvet Andres、Shrestha Shreetu、Jevgen Levchuk、Brabec Christoph、Kanak Andrii、Fochuk Petro、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：東京工業大学
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[11p-70A-10] 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測
長屋 圭祐、平山 貴史、俵 武志、村田 晃一、土田 秀一、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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[11p-70A-9] 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング
長屋 圭祐、平山 貴史、加藤 正史
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2019.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：東京工業大学
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Characterization and Suppression of Defects in Silicon Carbide Crystal for Power Semiconductors Invited International conference
Masashi Kato
Semiconductor Power Devices National Chiao-Tung University
Event date： 2018.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：National Chiao-Tung University
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SiC結晶のキャリア寿命評価 Invited
加藤 正史
第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会 日本学術振興会 結晶加工と評価技術第１４５委員会
Event date： 2018.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：電力中央研究所
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SiC結晶の応用分野と評価技術 ーパワーデバイス・光触媒とキャリア寿命を中心にー Invited
加藤正史
応用物理学会東海支部 第4回ニューフロンティアリサーチワークショップ
Event date： 2018.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：名古屋工業大学
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CR6-4 Analysis of slow decays in TR-PL signals from a GaN homoepitaxial layer International conference
Masashi Kato, Takato Asada, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：The Ishikawa Ongakudo, the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, Japan
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IIB-25 Hydrogen generation by water Splitting using TiO2 and SiC in tandem structure
LIU Zhenhang, Masashi Kato
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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IA-5 GaN 基板上GaNエピ層の遅いキャリア再結合測定による結晶欠陥評価
浅田貴斗, 伊藤健治, 冨田一義, 成田哲生,加地徹, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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IIA-6 4H-SiC厚膜エピにおけるライフタイム深さ分布の測定
平山貴史, 櫛部光弘, 宮坂晶, 児島一聡, 加藤智久, 奥村元, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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IIA-7 4H-SiCウェハ表面におけるライフタイムの二次元マッピング
長屋圭祐, 平山貴史, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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IIA-9 キャリアライフタイム測定によるGaN基板上n型およびp型エピ層の比較
朱帥,浅田貴斗,伊藤健治,冨田一義,成田哲生,加地徹,加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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IIA-18 平均表面粗さ増加による3C-SiC光電極の性能向上
安部友裕, 加藤正史
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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IIB-11 4H-SiC極性面及び非極性面における表面再結合速度の解析
Zhang Xinchi，加藤正史，小濱公洋，市村正也
先進パワー半導体分科会第5回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Event date： 2018.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：京都テルサ
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[C5-1] Carrier lifetime measurements for wide gap semiconductors SiC and GaN International conference
Masashi Kato
EVS31 & EVTeC 2018
Event date： 2018.09 - 2018.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Kobe Convention Center
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[20a-331-2] GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較
朱 帥、浅田 貴斗、伊藤 健治、冨田 一義、成田 哲生、加地 徹、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
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[21a-141-5] 4H-SiC厚膜エピにおける深さ分解ライフタイム測定
平山 貴史、櫛部 光弘、宮坂 晶、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元、加藤 正史
2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2018.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
