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p型4H-SiC中に存在する価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴，加藤正史，市村正也
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2014.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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4H-SiCにおける表面再結合速度の温度依存性の評価
小濱公洋，森佑人，加藤正史，市村正也
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2014.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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エピタキシャルSiC光陰極による太陽光−水素変換効率
加藤正史、安田智成、三宅景子、市村正也、畑山智亮
第23回日本MRS年次大会 日本MRS
Event date： 2013.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：万国橋会議センター
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高水準注入条件におけるμ-PCD信号：高水準キャリアライフタイム評価への提案
加藤 正史、森 祐人、市村 正也
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体研究会
Event date： 2013.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：埼玉会館
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自由キャリア吸収を用いたキャリアライフタイム測定装置の開発とSiCの評価
森祐人、 グェンスァンチュン、 加藤正史、 市村正也
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
Event date： 2013.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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電子線照射を施した4H-SiC中に存在する深い準位と欠陥構造の同定 International conference
中根 浩貴、加藤 正史、市村 正也、大島 武
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
Event date： 2013.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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SiCによる水の光分解におけるキャリアライフタイムの影響
三宅景子、安田智成、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
第 5回薄膜太陽電池セミナー
Event date： 2013.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋大学
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SiC水素発生光触媒における効率制限因子
加藤正史
新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」第2回公開シンポジウム 新学術領域研究「人工光合成による太陽光エネルギーの物質変換：実用化に向けての異分野融合」
Event date： 2013.10
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：立命館大学朱雀キャンパス
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Identification of Structures of Deep Levels in 4H-SiC International conference
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
Event date： 2013.09 - 2013.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Impact of Carrier Lifetime on Efficiency of Photolytic Hydrogen Generation by SiC International conference
Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
Event date： 2013.09 - 2013.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Correlation between Microwave Reflectivity and Exxcess Carrier Concentrations in 4H-SiC International conference
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
International Conference on Silicon Carbide and Related Material 2013
Event date： 2013.09 - 2013.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Estimation of Surface Recombination Velocities for n-type 4H-SiC Surfaces Treated by Various Processes International conference
Yuto Mori, Masashi Kato, Masaya Ichimura
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
Event date： 2013.09 - 2013.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
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Observation of Deep Levels and Their Hole Capture Behavior in p-type 4H-SiC Epilayers with and without Electron Irradiation International conference
Masashi Kato, Kazuki Yoshihara, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2013
Event date： 2013.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
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電子線照射を利用した4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定
加藤正史,中根浩貴,市村正也,大島武
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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FCA測定装置の開発とSiCのキャリアライフタイム評価への適用
森祐人,チュングェン加藤正史,市村正也
第７４回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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高耐圧バイポーラSiCデバイス開発のためのp型SiCエピ層の評価
加藤正史
自動車技術会2013年春季大会
Event date： 2013.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：パシフィコ横浜
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高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価
三宅景子、安田智成、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島 武
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2013.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：静岡大学創造科学技術大学院
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4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み
中根浩貴、加藤正史、市村正也、大島 武
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2013.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：静岡大学創造科学技術大学院
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様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価
森 祐人、加藤正史、市村正也
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
Event date： 2013.05
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：静岡大学創造科学技術大学院
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p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性
吉原一輝，加藤正史，市村正也，畑山智亮，大島武
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2013.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
