Presentations -
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Demonstration of Suppressing 1SSF Expansion Using Energy Filtered Ion Implantation International conference
Hitesh Jayaprakash, Constantin Csato, Masashi Kato, Tong Li, Florian Krippendorf, Michael Rueb, Joerg Schulze
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.10
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation International conference
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.10
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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Controlled domain in 3C-SiC epitaxial growth on off-oriented 4H-SiC substrate for water splitting International conference
Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.10
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment International conference
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato
INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024.09
Event date： 2024.09 - 2024.10
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601 Country：United States
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Toward Eliminating SiC Bipolar Degradation by Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method Invited International conference
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 (24th IIT 2024) 2024.09
Event date： 2024.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Country：Japan
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[20p-C32-7] シリコン界面のパッシベーションに及ぼすPEDOT:PSSの微細構造の影響
山中 健吾、黒川 康良、加藤 正史、曾我 哲夫、加藤 慎也
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ
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[18a-C41-3] 単一ドメインエピタキシャル成長による3C-SiC光陰極性能向上
加藤 正史、Rho Kongshik、藤田 隼
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ
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[18a-C41-2] 高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析
原田 俊太、坂根 仁、加藤 正史
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ
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[19p-C41-3] 水素・ヘリウムイオン注入SiCダイオードにおける点欠陥深さ方向分布
加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ
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[19p-C41-2] ヘリウムイオン注入によるSiC積層欠陥拡張抑制
加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：朱鷺メッセ
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高エネルギーイオン注入(SF-KHII) によるSiC のバイポーラ劣化抑制 Invited
加藤 正史、 原田 俊太、坂根 仁
応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第7回研究会 2024.09
Event date： 2024.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：明治大学駿河台キャンパス
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[Y-98] OCVD法を用いたパワーデバイスの信頼性評価装置の基礎検討
新見 渉・松盛裕明・加藤正史
2024年電気学会産業応用部門大会ヤングエンジニアポスター コンペティション（YPC） 2024.08
Event date： 2024.08
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：水戸市民会館（茨城県水戸市泉町）
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高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合
加藤 正史、田中 和裕
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果
加藤 正史、渡邉 王雅、原田 俊太、坂根 仁
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入
リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、黒川 康良、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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CeO2単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析 International coauthorship
Zhang Endong、Brabec Christoph、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価
古橋 優1、石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価
牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.03
Event date： 2024.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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人工光合成 －太陽光から燃料を作る夢の技術－ Invited
加藤 正史
なごや環境大学 共育講座 ごきそテクノカフェ ～技術者と共に人類と地球の未来～ 2023.12 名古屋市
Event date： 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：オンライン
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Evaluation of omnidirectional photoluminescence and carrier lifetime of 4H-SiC freestanding epilayers
2023.11
Event date： 2023.11 - 2023.12
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
