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  • Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation International conference

    Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato

    INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024  2024.10 

     More details

    Event date: 2024.09 - 2024.10

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601   Country:United States  

  • Controlled domain in 3C-SiC epitaxial growth on off-oriented 4H-SiC substrate for water splitting International conference

    Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato

    INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024  2024.10 

     More details

    Event date: 2024.09 - 2024.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601   Country:United States  

  • Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment International conference

    Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato

    INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024  2024.09 

     More details

    Event date: 2024.09 - 2024.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Raleigh Convention Center 500 S Salisbury St, Raleigh, NC 27601   Country:United States  

  • Toward Eliminating SiC Bipolar Degradation by Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method Invited International conference

    Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato

    24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 (24th IIT 2024)  2024.09 

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    Event date: 2024.09

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Country:Japan  

  • [20p-C32-7] シリコン界面のパッシベーションに及ぼすPEDOT:PSSの微細構造の影響

    山中 健吾、黒川 康良、加藤 正史、曾我 哲夫、加藤 慎也

    2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.09 

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    Event date: 2024.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ  

  • [18a-C41-3] 単一ドメインエピタキシャル成長による3C-SiC光陰極性能向上

    加藤 正史、Rho Kongshik、藤田 隼

    2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.09 

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    Event date: 2024.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ  

  • [18a-C41-2] 高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析

    原田 俊太、坂根 仁、加藤 正史

    2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.09 

     More details

    Event date: 2024.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ  

  • [19p-C41-3] 水素・ヘリウムイオン注入SiCダイオードにおける点欠陥深さ方向分布

    加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁

    2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.09 

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    Event date: 2024.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ  

  • [19p-C41-2] ヘリウムイオン注入によるSiC積層欠陥拡張抑制

    加藤 正史、Li Tong、原田 俊太、坂根 仁

    2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024.09 

     More details

    Event date: 2024.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:朱鷺メッセ  

  • 高エネルギーイオン注入(SF-KHII) によるSiC のバイポーラ劣化抑制 Invited

    加藤 正史、 原田 俊太、坂根 仁

    応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第7回研究会  2024.09 

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    Event date: 2024.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:明治大学駿河台キャンパス  

  • [Y-98] OCVD法を用いたパワーデバイスの信頼性評価装置の基礎検討

    新見 渉・松盛裕明・加藤正史

    2024年電気学会産業応用部門大会ヤングエンジニアポスター コンペティション(YPC)  2024.08 

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    Event date: 2024.08

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:水戸市民会館(茨城県水戸市泉町)  

  • 高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合

    加藤 正史、田中 和裕

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03 

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    Event date: 2024.03

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果

    加藤 正史、渡邉 王雅、原田 俊太、坂根 仁

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03 

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    Event date: 2024.03

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • 4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入

    リ トウ、坂根 仁、原田 俊太、黒川 康良、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03 

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    Event date: 2024.03

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • CeO2単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析 International coauthorship

    Zhang Endong、Brabec Christoph、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03 

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    Event date: 2024.03

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価

    古橋 優1、石井 達也、宇佐美 茂佳、森 勇介、渡邉 浩崇、新田 州吾、本田 善央、天野 浩、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03 

     More details

    Event date: 2024.03

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • 4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価

    牧野 隼宜、鈴木 健吾、加藤 正史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.03 

     More details

    Event date: 2024.03

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

  • 人工光合成 -太陽光から燃料を作る夢の技術- Invited

    加藤 正史

    なごや環境大学 共育講座 ごきそテクノカフェ ~技術者と共に人類と地球の未来~  2023.12  名古屋市

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    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:オンライン  

  • Evaluation of omnidirectional photoluminescence and carrier lifetime of 4H-SiC freestanding epilayers

    2023.11 

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    Event date: 2023.11 - 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

  • Effects of H+ implantation into SiC substrates before epi growth on PiN diodes

    2023.12 

     More details

    Event date: 2023.11 - 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

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