論文 - 市村 正也
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n-type and p-type semiconducting Cu-doped Mg (OH)2 thin films 査読あり 国際誌
M. Keikhaei, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 35 ( 3 ) 035020 2020年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of p-type Transparent (CuZn)O Thin Films by the Electrochemical Deposition Method 査読あり 国際誌
M. Keikhaei and M. Ichimura
Int. J. Electrochem. Sci. 2020年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of ZnO/NiO transparent solar cells by electrochemical deposition 査読あり
M. Koyama, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 58 128003 2019年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Mg(OH)2 Thin Films by Electrochemical Deposition with Cu Catalyst 査読あり
M. Keikhaei, M. Ichimura
Thin Solid Films 681 41 - 46 2019年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of photovoltaic FeSxOy/ZnO heterostructures by electrochemical deposition
W. Ji, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 58 050922 2019年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Semiconducting Cu-doped AlOx films fabricated by drop-photochemical deposition 査読あり 国際誌
M. Umemura, M. Ichimura
Mater. Res. Express 6 035904 2019年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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On the Possibility of Valence Control of Aluminum Oxide for Electronics Applications 査読あり 国際誌
M. Ichimura
J. Electron. Mater. 6 ( 1 ) 583 - 588 2019年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Pyrite FeS2 Films from Electrochemically Deposited FeOOH by Sulfur Annealing 査読あり 国際誌
S. Maki, N. Takeda, M. Ichimura
Int. J. Electrochem. Sci. 13 10829 - 10836 2018年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Copper Oxide Thin Films by Galvanostatic Deposition from Weakly Acidic Solutions 査読あり 国際誌
M. Keikhaei, M. Ichimura
Int. J. Electrochem. Sci. 13 9931 - 9941 2018年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition of Cu-doped p-type iron oxide thin films 査読あり 国際誌
S. Kobayashi, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 33 ( 9 ) 105006 2018年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions 査読あり 国際誌
Y. Ichikawa, M. Ichimura, T. Kimoto, M. Kato
ECS J. Solid St. Sci. Technol. 7 ( 8 ) Q127 - Q130 2018年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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M. Koyama, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 33 ( 5 ) 055011 2018年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of Complexing Agents on Electrochemical Deposition of FeSxOy in ZnO/FeSxOy Heterostructures 査読あり 国際誌
A. Supee, M. Ichimura
Applied Physics A 123 722 2017年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction 査読あり 国際誌
N. Ichikawa, M. Ichimura, M. Kato
Int. J. Hydrogen Energy 42 22698 - 22703 2017年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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透明p型半導体NiOの電気化学堆積 査読あり
トンバインガルディ、市村
電気学会論文誌A 137 542 - 546 2017年09月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-photochemical deposition of aluminum oxide thin films from aqueous solutions 査読あり 国際誌
S. Sato and M. Ichimura
Materials Research Express 4 046405 2017年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Three-step pulse electrochemical deposition of FeSxOy thin films and their characterization 査読あり 国際誌
A. Supee and M. Ichimura
Materials Research Express 4 036410 2017年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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The enhanced performance of 3C-SiC photocathodes for the generation of hydrogen 査読あり 国際誌
N. Ichikawa, M. Kato, M. Ichimura
Appl. Phys. Lett. 109 153904 2016年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of annealing on properties of electrochemically deposited CuxZnyS thin films 査読あり
Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 41 255 2016年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method 査読あり
Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 55 098004 2016年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
