論文 - 市村 正也
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Control of Surface Recombination of Si Wafers by an External Electrode 査読あり
M. Ichimura, M. Hirano, N. Kato, E. Arai, H. Takamatsu, and S. Sumie
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ( 3B ) L292 - L294 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Structural and Optical Characterization of CdS Films Grown by Photochemical Deposition 査読あり
M. Ichimura, F. Goto, and E. Ara
J. Appl. Phys. 85 ( 10 ) 7411 - 7417 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Search for Midgap Levels in 3C-SiC Grown on Si Substrates 査読あり
N. Yamada, M. Kato, M. Ichimura, E. Arai, and Y. Tokuda
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ( 10A ) L1094 - L1095 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Defect Reduction in Electrochemically Deposited CdS Thin Films by Annealing in O2 査読あり
F. Goto, K. Shirai, and M. Ichimura
Solar Energy Mater. & Solar Cells 50 ( 1 ) 147 - 153 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Study of Carrier Emission and Capture Processes at Electron Traps in 3C-SiC 査読あり
M. Ichimura, Y. Koga, N. Yamada, T. Abe, E. Arai, and Y. Tokuda
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ( 1 ) L18 - L20 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Measurement of Minority Carrier Recombination Lifetime in Silicon Wafers by Measurement of Photoconductivity Decay by MicrowaveReflectance: Results of Round Robin Test 査読あり
M. Miyazaki, K. Kawai, and M. Ichimura
Recombination Lifetime Measurements in Silicon 84 ( 5 ) 347 - 366 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Slow Photoconductivity Decay in 3C-SiC on Si Substrates 査読あり
M. Ichimura, N. Yamada, H. Tajiri, and E. Arai
J. Appl. Phys. 84 ( 5 ) 2727 - 2731 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Temperature Dependence of Carrier Recombination Lifetime in Si Wafers 査読あり
M. Ichimura, H. Tajiri, T. Ito, and E. Arai
J. Electrochem. Soc. 145 ( 9 ) 3265 - 3271 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime of 3C-SiC Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
M. Ichimura, H. Tajiri, Y. Morita, N. Yamada, and A. Usami
Appl. Phys. Lett. 70 ( 13 ) 1745 - 1747 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of Thin Bonded Silicon-on-Insulator Structures by the Microwave Photoconductivity Decay Method
M. Ichimura, T. Makino, H. Asakura, A. Usami, E. Morita, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ( 7A ) L839 - L841 1997年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Contactless Evaluation of the Surface Recombination Velocity at High-Low Junction Surface Fabricated by the Ion-Implantation Technique 査読あり
T. Makino, M. Ichimura, H. Yoshida, E. Morita, and A. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ( 2 ) 601 - 604 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A New Technique of Compound Semiconductor Deposition from an Aqueous Solution by Photochemical Reactions 査読あり
F. Goto, M. Ichimura, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ( 9 ) L1146 - L1149 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman and Photoluminescence Characterizations of Electrochemically Deposited ZnxCd1-xS Layers 査読あり
M. Ichimura, T. Furukawa, K. Shirai, and F. Goto
Mater. Lett. 33 ( 1 ) 51 - 55 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Stillinger-Weber Potentials for III-V Compound Semiconductors and Their Application to the Critical Thickness Calculation for InAs/GaAs 査読あり
M. Ichimura
Phys. Stat. Sol. (a) 153 ( 3 ) 431 - 437 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Atomistic Study of Partial Dislocations in Ge/Si (001) Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Phil. Mag. A 73 ( 3 ) 767 - 778 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Relationship between Raman Spectra and Crystallinity of CdS Films Grown by Cathodic Electrodeposition 査読あり
K. Shirai, Y. Moriguchi, M. Ichimura, A. Usami, and M. Saji
Jpn. J. Appl. Phys. 35 ( 4 ) 2057 - 2060 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of an Ultrathin Inserted Si Layer on Dislocation Nucleation in Ge/Si Heterostructures 査読あり
M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 35 ( 5B ) L609 - L611 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Surface Condition of Si Implanted GaAs Revealed by the Noncontact Laser/Microwave Method 査読あり
M. Ichimura, H. Yoshida, and A. Usami
J. Electron. Mater. 25 ( 7 ) 1088 - 1092 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photoluminescence and Raman Scattering of Electrochemically Deposited CdS Films 査読あり
K. Shirai, F. Goto, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 35 ( 11B ) L1483 - L1485 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Evaluation of the Bonded Silicon on Insulator (SOI) Wafer and the Characteristics of PIN Photodiodes on the Bonded SOI Wafer 査読あり
A. Usami, K. Kaneko, Y. Fujii, and M. Ichimura
IEEE Trans. Electron Devices, 42 ( 2 ) 239 - 243 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
