論文 - 市村 正也
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Raman Spectra of Cubic Zn1-xCdxS 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, T. Wada, M. Funato, K. Ichino, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
Phys. Rev. B 72 ( 7 ) 4273 - 4276 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Point Defect Concentrations in InGaAsP Quaternary Alloys 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Appl. Phys. 69 ( 7 ) 4140 - 4142 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Crystalline Quality of Extremely-Low-Temperature Grown LPE-GaSb
N. Kitamura, H. Uekita, M. Ichimura, A. Usami, and T. Wada
Materials Letters 10 ( 9 ) 10,417 - 420 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Thermodynamic Calculation of Native Defect Concentrations in III-V Alloy Semiconductors Grown by Halide Transport Vapor-Phase Epitaxy 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Electrochem. Soc. 138 ( 7 ) 2097 - 2102 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A Defect Model for Photoirradiated Semiconductors －Suppression of the Self-compensation in II-VI Materials－ 査読あり
M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
Jpn. J. Appl. Phys. 30 ( 12 ) 3475 - 3481 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Native Defect Concentrations in GaAs Grown by Organometallic Vapor-Phase Epitaxy 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Cryst. Growth 115 ( 3 ) 479 - 483 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Native Defects in AlxGa1-xSb Alloy Semiconductor 査読あり
M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, and N. Kitamura,
J. Appl. Phys. 68 ( 12 ) 6153 - 6158 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photoluminescence Study of AlxGa1-xSb Grown by Liquid-Phase Epitaxy 査読あり
N. Kitamura, K. Higuchi, H. Uekita, M. Ichimura, A. Usami, and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 29 ( 8 ) 1403 - 1407 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Bond Lengths in Si1-xGex Alloys Based on the Valence-Force-Field Model 査読あり
M. Ichimura, Y. Nishino, H. Kajiyama, and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 29 ( 5 ) 842 - 843 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Native Defects in III-V Ternary Alloy Semiconductors Grown from Liquid- Solutions 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 291515 ( 8 ) 1515 - 1520 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Crystalline Microstructure of III-V Quaternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
J. Cryst. Growth 98 ( 5 ) 18 - 26 1989年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Chemical Potentials of Constituent Compounds in III-V Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Cryst. Growth 97 ( 5 ) 542 - 550 1989年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Average Lengths and Statistics of Bonds in In1-xGaxAs1-yPy Quaternary Alloy Semiconductor 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 10 ) 1910 - 1915 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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混晶半導体のミクロの世界 査読あり
佐々木昭夫、市村正也
日本結晶学会誌 Vol.30 ( 6 ) 311 - 321 1988年04月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Solution Hardening due to a Nonrandom Atom Arrangement in III-V Ternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 2 ) L176 - L178 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Atom Arrangement in III-V Quaternary Alloy Semiconductors of (ABC)D Type 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 4 ) 642 - 648 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Bond Statistics and Their Influences on Materials Properties of III-V Quaternary Alloys of Type (AB)III(CD)V
M. Ichimura and A. Sasaki
J. Electron. Mater. 17 ( 4 ) 305 - 310 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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AlGaSb Single, Double and Multiple Heterostructures Grown by Liquid-Phase Epitaxy and Their Photoluminescence Properties 査読あり
M. Ichimura, Y. Takeda, and A. Sasaki,
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 8 ) 1464 - 1468 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Bonds in III-V Quaternary Alloy Semiconductors of A1-xBxC1-yDy Type 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Phys. Rev. B 36 ( 18 ) 9694 - 9702 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Bond Lengths in InGaAsP Quaternary Alloy Semiconductor 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 26 ( 2 ) 246 - 251 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
