論文 - 市村 正也
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Unveiling the dynamics of phase-transition from ferroelectric to relaxor behavior in Nd-doped BNT-based lead-free piezoelectric ceramics 査読あり
J. Eom, G. Lee, M. Saleem, M. Ichimura, M. Zubair Khan, M. Bilal Hanif, R. Ahmed Malikg, and J. H. Koh
J. Mater. Chem. C 12 19463 - 19475 2024年12月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
DOI: 10.1039/d4tc03664f
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Concentrations Influence of Complexing Agents on the Physicochemical Properties of Chemical Bath Deposited n-type FeSxOy for Homostructure Solar Cell 査読あり 国際共著
A. A. Ariff, A. Supee, M. Ichimura, M. Z. Mohd Yusop, A. Abdul Jalil
Physica Status Solidi (a) 221 2400376 2024年10月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-dry deposition of SnO2 using Na2SnO3 and fabrication of SnO2/NiO transparent solar cells 査読あり
M. Ichimura, T. Okada, A. Fukuda, T. Li
J. Electron. Mater. 53 5265 - 5272 2024年09月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Low-temperature deposition of β-Ga2O3 thin films employing in situ pulsed laser-assisted RF sputtering system 査読あり 国際共著
Y.Y. Huh, C.H. Jo, M. Ichimura, J.H. Koh
Mat. Sci. Semicond. Proc. 179 108428 2024年08月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Enhanced soft piezoelectric properties of Sb2O3 doped 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 materials 査読あり 国際共著
T.W. Kim, G. Lee, M. Ichimura, J.H. Koh
J. Alloy Comp. 987 174163 2024年06月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Dip-dry deposition of semiconducting aluminum oxide-hydroxide thin films 査読あり
M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
Jpn. J. Appl. Phys. 63 018001 2024年01月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Theoretical study of doping in GaOOH for electronics applications 査読あり
Electron. Mater. 4 ( 4 ) 148 - 157 2023年11月
担当区分:筆頭著者, 責任著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-Dry Deposition of SnO2 Using a Complexing Agent and Fabrication of Heterojunctions with Co3O4 査読あり
T. Li, M. Ichimura
Materials 16 5273 2023年08月
担当区分:最終著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Low temperature processed CO2 laser-assisted RF-sputtered GaN thin film for wide bandgap semiconductors 査読あり 国際共著
S.-H. Kim, C.-H. Jo, M.-S. Bae, M. Ichimura and J.-H. Koh
J. Asian Ceramic Soc. 10 ( 1 ) 68 - 79 2023年01月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 査読あり
M. Ichimura, M. Tanaka, T. Li
Solid St. Electron. 198 108479 2022年12月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-dry deposition of Ni(OH)2 precursors for fabrication of NiO thin films 査読あり
T. Li, T. Okada, M. Ichimura
Materials 15 4513 2022年07月
担当区分:責任著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC 査読あり
M. Kato, J. Di, Y. Ohkouchi, T. Mizuno, M. Ichimura, K. Kojima
Mater. Today Commun. 31 103648 2022年04月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Fabrication of a Co3O4/ZnO Heterostructure by Electrochemical Deposition 査読あり 国際誌
M. Ichimura, Y. Tomita
Int. J. Electrochem. Sci. 16 ( 12 ) 211223 2021年12月
担当区分:筆頭著者 記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunction Solar Cells with Electrochemically Deposited ZnO 査読あり 国際誌
T. Li, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 36 095030 2021年09月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Galvanostatic electrochemical deposition of Cu-doped Mg(OH)2 thin films and fabrication of p-n homojunction 査読あり 国際共著 国際誌
J. Kang, M. Keikhaei, T. Li, M. Ichimura
Mater. Res. Bull. 137 111207 2021年05月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Fabrication of transparent Mg(OH)2 thin films by drop-dry deposition 査読あり 国際誌
T. Li, M. Ichimura
Materials 14 724 2021年04月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Pulse electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films and fabrication of n-Fe-O/p-Fe-O solar cells 査読あり
R. Takayanagi, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 59 ( 11 ) 111002 2020年11月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Fabrication of Transparent ZnO/(CuZn)O Heterojunction Solar Cells by Electrochemical Deposition 査読あり 国際誌
M. Keikhaei, M. Tanaka, M. Ichimura
Mater. Res. Exp. 7 106411 2020年11月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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Impurity Doping in Mg(OH)2 for n-Type and p-Type Conductivity Control 査読あり 国際誌
M. Ichimura
Materials 13 2972 2020年07月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
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M. Kato, Z. Xinchi, K. Kohama, S. Fukaya, M. Ichimura
J. Appl. Phys. 127 195702 2020年05月
記述言語:英語 掲載種別:研究論文(学術雑誌)
DOI: 10.1063/5.0007900