論文 - 市村 正也
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Atomistic Study of Dislocation Nucleation in Ge/(001)Si Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Phil. Mag. A 72 ( 2 ) 281 - 295 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of GaAs Heterolayers by Micro-Raman Spectroscopy 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, M. Tabuchi, and A. Sasaki
J. Cryst. Growth 149 ( 10 ) 167 - 174 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman Study of Strain Relaxation in Ge on Si 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, A. Wakahara, and A. Sasaki
J. Appl. Phys. 77 ( 10 ) 5144 - 5148 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman Spectra of GaAs with Ultrathin InAs Layers Inserted 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, M. Tabuchi, and A. Sasaki
Phys. Rev. B 51 ( 19 ) 13231 - 13237 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Role of Surface Step on Misfit Dislocation Nucleation and Critical Thickness in Semiconductor Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Mater. Sci. Eng. B 31 ( 2 ) 299 - 303 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Negative Surface Energy Change Associated with Step Formation Caused by Misfit Dislocation Nucleation in Semiconductor Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Phil. Mag. A 72 ( 2 ) 297 - 304 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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ラマン分光法によるヘテロエピタキシャル成長層の不整歪緩和の研究 査読あり
市村正也、宇佐美晶、和田隆夫、佐々木昭夫
日本結晶成長学会誌 Vol.21 ( 5 ) S415 - S419 1994年04月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Liquid-Phase Epitaxy of Highly-Lattice-Mismatched InxGa1-xAs Layers on (001) GaAs Substrates 査読あり
M. Ichimura, S. Nakatani, A. Usami, and T. Wada
Mater. Lett. Vol.18 ( 12 ) 269 - 272 1994年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A. Usami, M. Ichimura, T. Wada, and S. Ishigami
J. Appl. Phys. 75 ( 12 ) 7866 - 7868 1994年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Optical Characterization of GaSb-Based Ternary and Quaternary Alloys Grown by Liquid Phase Epitaxy at Low Temperatures 査読あり
M. Ichimura, K. Kato, H. Uekita, N. Kitamura, A. Usami, and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 32 ( 9 ) 3707 - 37112 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Stabilization of Li Acceptors in ZnSe by Above-Band-Gap Photoirradiation 査読あり
M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
J. Appl. Phys. 73 ( 11 ) 7225 - 7228 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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M. Ichimura, A. Usami, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
Appl. Phys. Lett. 62 ( 15 ) 1800 - 1802 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Thermodynamic Model for the Annealing Process of Si-Implanted GaAs 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, and T. Wada
Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 1 ( 7 ) 529 - 538 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Characterization of Molecular-Beam Epitaxial Ge Heterolayers on Si Substrates 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, T. Wada, A. Wakahara and A. Sasaki
J. Electron. Mater. 22 ( 7 ) 779 - 784 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Study on GaAs Layers Directly Grown on (100) Si by Molecular Beam Epitaxy 査読あり
A. Ito, M. Ichimura, A. Usami, T. Wada, and H. Kano
J. Appl. Phys. 72 ( 6 ) 2531 - 2533 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Characterization of a Ge/Si Heterostructure Grown by Chemical Vapor Deposition 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, and T. Wada
IEICE Trans. Electron. E75-C ( 9 ) 1056 - 1062 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Extremely Low-Temperature LPE Growth of AlxGa1-x-yInySb 査読あり
K. Kato, H. Uekita, M. Ichimura, N. Kitamura, A. Usami, and T. Wada
Materials Letters 13 ( 3 ) 93 - 95 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Reduction of Compensating Defects in ZnSe and ZnS by Photo-Irradiation 査読あり
M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
J. Cryst. Growth 117 ( 3 ) 689 - 693 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Study of Heteroepitaxial InGaAs Layers 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, T. Wada, M. Tabuchi, and A. Sasaki
J. Cryst. Growth 121 ( 3 ) 423 - 428 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Point Defect Concentrations in GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Appl. Phys. 72 ( 3 ) 1200 - 1202 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
