論文 - 市村 正也
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Unveiling the dynamics of phase-transition from ferroelectric to relaxor behavior in Nd-doped BNT-based lead-free piezoelectric ceramics 査読あり
J. Eom, G. Lee, M. Saleem, M. Ichimura, M. Zubair Khan, M. Bilal Hanif, R. Ahmed Malikg, and J. H. Koh
J. Mater. Chem. C 12 19463 - 19475 2024年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1039/d4tc03664f
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Concentrations Influence of Complexing Agents on the Physicochemical Properties of Chemical Bath Deposited n-type FeSxOy for Homostructure Solar Cell 査読あり 国際共著
A. A. Ariff, A. Supee, M. Ichimura, M. Z. Mohd Yusop, A. Abdul Jalil
Physica Status Solidi (a) 221 2400376 2024年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-dry deposition of SnO2 using Na2SnO3 and fabrication of SnO2/NiO transparent solar cells 査読あり
M. Ichimura, T. Okada, A. Fukuda, T. Li
J. Electron. Mater. 53 5265 - 5272 2024年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Low-temperature deposition of β-Ga2O3 thin films employing in situ pulsed laser-assisted RF sputtering system 査読あり 国際共著
Y.Y. Huh, C.H. Jo, M. Ichimura, J.H. Koh
Mat. Sci. Semicond. Proc. 179 108428 2024年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Enhanced soft piezoelectric properties of Sb2O3 doped 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 materials 査読あり 国際共著
T.W. Kim, G. Lee, M. Ichimura, J.H. Koh
J. Alloy Comp. 987 174163 2024年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Dip-dry deposition of semiconducting aluminum oxide-hydroxide thin films 査読あり
M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
Jpn. J. Appl. Phys. 63 018001 2024年01月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Theoretical study of doping in GaOOH for electronics applications 査読あり
Electron. Mater. 4 ( 4 ) 148 - 157 2023年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-Dry Deposition of SnO2 Using a Complexing Agent and Fabrication of Heterojunctions with Co3O4 査読あり
T. Li, M. Ichimura
Materials 16 5273 2023年08月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Low temperature processed CO2 laser-assisted RF-sputtered GaN thin film for wide bandgap semiconductors 査読あり 国際共著
S.-H. Kim, C.-H. Jo, M.-S. Bae, M. Ichimura and J.-H. Koh
J. Asian Ceramic Soc. 10 ( 1 ) 68 - 79 2023年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition 査読あり
M. Ichimura, M. Tanaka, T. Li
Solid St. Electron. 198 108479 2022年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-dry deposition of Ni(OH)2 precursors for fabrication of NiO thin films 査読あり
T. Li, T. Okada, M. Ichimura
Materials 15 4513 2022年07月
担当区分：責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC 査読あり
M. Kato, J. Di, Y. Ohkouchi, T. Mizuno, M. Ichimura, K. Kojima
Mater. Today Commun. 31 103648 2022年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of a Co3O4/ZnO Heterostructure by Electrochemical Deposition 査読あり 国際誌
M. Ichimura, Y. Tomita
Int. J. Electrochem. Sci. 16 ( 12 ) 211223 2021年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunction Solar Cells with Electrochemically Deposited ZnO 査読あり 国際誌
T. Li, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 36 095030 2021年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Galvanostatic electrochemical deposition of Cu-doped Mg(OH)2 thin films and fabrication of p-n homojunction 査読あり 国際共著 国際誌
J. Kang, M. Keikhaei, T. Li, M. Ichimura
Mater. Res. Bull. 137 111207 2021年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of transparent Mg(OH)2 thin films by drop-dry deposition 査読あり 国際誌
T. Li, M. Ichimura
Materials 14 724 2021年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Pulse electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films and fabrication of n-Fe-O/p-Fe-O solar cells 査読あり
R. Takayanagi, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 59 ( 11 ) 111002 2020年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Transparent ZnO/(CuZn)O Heterojunction Solar Cells by Electrochemical Deposition 査読あり 国際誌
M. Keikhaei, M. Tanaka, M. Ichimura
Mater. Res. Exp. 7 106411 2020年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Impurity Doping in Mg(OH)2 for n-Type and p-Type Conductivity Control 査読あり 国際誌
M. Ichimura
Materials 13 2972 2020年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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M. Kato, Z. Xinchi, K. Kohama, S. Fukaya, M. Ichimura
J. Appl. Phys. 127 195702 2020年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/5.0007900
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n-type and p-type semiconducting Cu-doped Mg (OH)2 thin films 査読あり 国際誌
M. Keikhaei, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 35 ( 3 ) 035020 2020年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of p-type Transparent (CuZn)O Thin Films by the Electrochemical Deposition Method 査読あり 国際誌
M. Keikhaei and M. Ichimura
Int. J. Electrochem. Sci. 2020年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of ZnO/NiO transparent solar cells by electrochemical deposition 査読あり
M. Koyama, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 58 128003 2019年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Mg(OH)2 Thin Films by Electrochemical Deposition with Cu Catalyst 査読あり
M. Keikhaei, M. Ichimura
Thin Solid Films 681 41 - 46 2019年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of photovoltaic FeSxOy/ZnO heterostructures by electrochemical deposition
W. Ji, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 58 050922 2019年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Semiconducting Cu-doped AlOx films fabricated by drop-photochemical deposition 査読あり 国際誌
M. Umemura, M. Ichimura
Mater. Res. Express 6 035904 2019年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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On the Possibility of Valence Control of Aluminum Oxide for Electronics Applications 査読あり 国際誌
M. Ichimura
J. Electron. Mater. 6 ( 1 ) 583 - 588 2019年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Pyrite FeS2 Films from Electrochemically Deposited FeOOH by Sulfur Annealing 査読あり 国際誌
S. Maki, N. Takeda, M. Ichimura
Int. J. Electrochem. Sci. 13 10829 - 10836 2018年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Copper Oxide Thin Films by Galvanostatic Deposition from Weakly Acidic Solutions 査読あり 国際誌
M. Keikhaei, M. Ichimura
Int. J. Electrochem. Sci. 13 9931 - 9941 2018年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition of Cu-doped p-type iron oxide thin films 査読あり 国際誌
S. Kobayashi, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 33 ( 9 ) 105006 2018年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions 査読あり 国際誌
Y. Ichikawa, M. Ichimura, T. Kimoto, M. Kato
ECS J. Solid St. Sci. Technol. 7 ( 8 ) Q127 - Q130 2018年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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M. Koyama, M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 33 ( 5 ) 055011 2018年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of Complexing Agents on Electrochemical Deposition of FeSxOy in ZnO/FeSxOy Heterostructures 査読あり 国際誌
A. Supee, M. Ichimura
Applied Physics A 123 722 2017年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction 査読あり 国際誌
N. Ichikawa, M. Ichimura, M. Kato
Int. J. Hydrogen Energy 42 22698 - 22703 2017年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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透明p型半導体NiOの電気化学堆積 査読あり
トンバインガルディ、市村
電気学会論文誌A 137 542 - 546 2017年09月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Drop-photochemical deposition of aluminum oxide thin films from aqueous solutions 査読あり 国際誌
S. Sato and M. Ichimura
Materials Research Express 4 046405 2017年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Three-step pulse electrochemical deposition of FeSxOy thin films and their characterization 査読あり 国際誌
A. Supee and M. Ichimura
Materials Research Express 4 036410 2017年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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The enhanced performance of 3C-SiC photocathodes for the generation of hydrogen 査読あり 国際誌
N. Ichikawa, M. Kato, M. Ichimura
Appl. Phys. Lett. 109 153904 2016年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of annealing on properties of electrochemically deposited CuxZnyS thin films 査読あり
Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 41 255 2016年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method 査読あり
Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 55 098004 2016年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of complexing agents on electrochemical deposition of FeSxOy thin films 査読あり
A. Supee and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 55 081202 2016年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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J. J. M. Vequizo, M. Yokoyama, M. Ichimura, and A. Yamakata
Appl. Phys. Exp. 9 067101 2016年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of Tartaric Acid on Electrochemical Deposition of SnS in ZnO/SnS Heterostructures 査読あり
A. Supee and M. Ichimura
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 41 193 2016年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Mössbauer study of electrochemically deposited amorphous iron-sulfide-oxide thin films 査読あり
M. Ichimura, T. Kajima, S. Kawai, K. Mibu
Jpn. J. Appl. Phys. 55 038006 2016年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Comparison of amorphous Fe-S-O and crystalline FeS2 pyrite for photovoltaic application 査読あり 国際誌
S. Kawai, T. Kajima, M. Ichimura
Materials Research Express 3 025901 2016年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Spectral response, carrier lifetime, and photocurrents of SiC photocathodes 査読あり
M. Kato, K. Miyake, T. Yasuda, M. Ichimura, T. Hatayama, T. Ohshima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 01AC02 2016年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Cu2O/Fe–O heterojunction solar cells by electrodeposition 査読あり 国際誌
J. J. M. Vequizo, C. Zhang, M. Ichimura
Thin Solid Films 597 83 2015年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier lifetime measurements on various crystal faces of rutile TiO2 single crystals 査読あり 国際誌
M. Kato, K. Kohama, Y. Ichikawa, M. Ichimura
Mater. Lett. 160 397 2015年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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M. Ichimura, Y. Maeda
Thin Solid Films 594 277 2015年11月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of Complexing Agents on Three Steps Pulse Electrodeposited SnS Thin Films 査読あり 国際誌
A. Supee, Y. Tanaka, M. Ichimura
Mater. Sci. Semicond. Processing 38 290 2015年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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N. Ichikawa, M. Kato, M. Ichimura
Appl. Phys. Exp. 8 091301 2015年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of transparent CuxZnyS/ZnS heterojunction diodes by photochemical deposition 査読あり 国際誌
M. Ichimura, Y. Maeda
Physica Status Solidi (c) 12 504 2015年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Heterojunctions Based on Photochemically Deposited CuxZnyS and Electrochemically Deposited ZnO 査読あり
M. Ichimura, Y. Maeda
Solid St. Electron. 107 8 2015年05月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Microwave reflectivity from 4H-SiC under a high-injection condition: impacts of electron–hole scattering 査読あり
M. Kato, Y. Mori, M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 54 04DP14 2015年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Band alignment at the CdS/FeS2 interface based on the first-principles calculation 査読あり
M. Ichimura and S. Kawai
Jpn. J. Appl. Phys. 54 ( 3 ) 038002 2015年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Physical properties of rf magnetron sputter deposited NiO:WO3 thin films 査読あり 国際共著 国際誌
K. S. Usha, R Sivakumar, C. Sanjeeviraja, M. Ichimura
Mater. Res. Express 2 016401 2015年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Influence of Secondary Phases in Kesterite-Cu2ZnSnS4 Absorber Material Based on the First-Principles Calculation 査読あり
W. Bao, M. Ichimura
Int. J. Photoenergy 2015 592079 2015年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical Deposition of Fe-S-O Thin Films 査読あり
K. Yang, S. Kawai, M. Ichimura
Thin Solid Films 573 1 - 5 2014年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Surface recombination velocities for n-type 4H-SiC treated by various processes 査読あり
Y. Mori, M. Kato, M. Ichimura
J. Phys. D: Appl. Phys. 47 335102 2014年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition of aluminum oxide thin films from aqueous baths 査読あり
A.M. Abdel Haleem, M. Ichimura
Materials Letters 130 26 - 28 2014年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of deep levels and their hole capture behavior in p-type 4H-SiC epilayers with and without electron irradiation 査読あり
M. Kato, K. Yoshihara, M. Ichimura, T. Hatayama, T. Ohshima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 04EP09 2014年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Cu2O/γ-FeOOH heterojunction solar cells by electrodeposition 査読あり
J. J. M. Vequizo, M. Ichimura
Appl. Phys. Express 7 045501 2014年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Epitaxial p-type SiC as a self-driven photocathode for water splitting 査読あり
M. Kato, T. Yasuda, K. Miyake, M. Ichimura, and T. Hatayama
Int. J. Hydrogen Energy 39 4845 - 4849 2014年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition of iron sulfide thin films and heterojunction diodes with zinc oxide 査読あり
S. Kawai, R. Yamazaki, S. Sobue, E. Okuno, and M. Ichimura
APL Matter 2 ( 3 ) 032108 2014年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrodeposition and Characterization of g-FeOOH Thin Films from Oxygen-Bubbled Aqueous Iron Sulfate Solutions 査読あり
J. J. M. Vequizo and M. Ichimura
Appl. Phys. Express 6 125501 2013年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Efficiency of a solar cell with intermediate energy levels: An example study on hydrogen implanted Si solar cells 査読あり
M. Ichimura, H. Sakakibara, K. Wada, and M. Kato
J. Appl. Phys. 114 ( 11 ) 114505 2013年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess carrier lifetime and strain distributions in a 3C-SiC wafer grown on an undulant Si substrate 査読あり
M. Kato, A. Yoshida, M. Ichimura, H. Nagasawa
Physica Status Solidi A 210 1719 - 1725 2013年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of TiO2/Cu2O heterojunction solar cells by electrophoretic deposition and electrodeposition 査読あり
M. Ichimura and Y. Kato
Mater. Sci. Semicond. Processing 16 1538 - 1541 2013年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrodeposition of Ga-O Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions 査読あり
J. J. M. Vequizo and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 7 ) 075503 2013年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Heterostructure Solar Cells Based on Sol-Gel Deposited SnO2 and Electrochemically Deposited Cu2O 査読あり
A. Fukuda and M. Ichimura
Mater. Sci. Appl. 4 ( 6A ) 1 - 4 2013年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Band Offsets at the ZnO/Cu2ZnSnS4 Interface Based on the First Principles Calculation 査読あり
Wujisiguleng Bao and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 6 ) 061203 2013年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Leakage Current Suppression by Passivation of Defects by Anodic Oxidation of 4H-SiC Schottky Contacts 査読あり
M. Kato, M. Kimura, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 4 ) 04CP02 2013年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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H2O2 treatment of electrochemically deposited Cu2O thin films for enhancing optical absorption 査読あり
Y. Song and M. Ichimura
Int. J. Photoenergy 2013 738063 2013年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Structural, Optical, and Electrical Characterization of Spray Pyrolysed Indium Sulfide Thin Films 査読あり
F. Rahman, J. Podder, and M. Ichimura
Surface Review and Letters 20 ( 2 ) 1350014 2013年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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光化学堆積SnO2薄膜を用いた携帯式水素検出器の試作 査読あり
オドンボリル、森口、市村
電気学会論文誌A 133 ( 1 ) 28 - 29 2013年01月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Wujisiguleng Bao, M. Ichimura
Int. J. Photoenergy 2012 619812 2012年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Electrodeposited SnS/SnO2 Heterojunction Solar Cells 査読あり
J. J. M. Vequizo and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 51 10NC38 2012年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Prediction of the Band Offsets at the CdS/Cu2ZnSnS4 Interface Based on the First-Principles Calculation 査読あり
Wujisiguleng Bao and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 51 10NC31 2012年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improvement of Electrochemically Deposited Cu2O/ZnO Heterojunction Solar Cells by Modulation of Deposition Current 査読あり
Y. Song and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 51 10NC39 2012年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photochemical deposition of p-type transparent alloy semiconductor CuxZnyS 査読あり
Mandula, K. Yang, and M. Ichimura
Semicond. Sci. Technol. 27 125007 2012年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deposition of Fe doped nanocrystalline SnO2 thin films by the photochemical deposition method 査読あり
Dengbaoleer Ao and M. Ichimura
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 37 377 - 380 2012年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Dengbaoleer Ao and M. Ichimura
J. Non-Crystalline Solids 358 2470 - 2473 2012年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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K. Yang and M. Ichimura
Int. J. Photoenergy 2012 154704 2012年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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SiC photoelectrodes for a self-driven water-splitting cell 査読あり
T. Yasuda, M. Kato, M. Ichimura, and T. Hatayama
Appl. Phys. Lett. 101 053902 2012年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Copper Oxide Thin Films by the Drop Chemical Deposition Technique 査読あり
M. Muhibbullah and M. Ichimura
Mater. Res. Bull. 47 1968 - 1972 2012年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Y. Nakashima and M. Ichimura
Int. J. Photoenergy 2012 171432 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Dengbaoleer Ao and M. Ichimura
Solid St. Electron. 69 1 - 3 2012年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical Deposition of CuxS and CuxZnyS Thin Films with p-Type Conduction and Photosensitivity 査読あり
K. Yang, Y. Nakashima, and M. Ichimura
J. Electrochem. Soc. 159 ( 3 ) H250 - H254 2012年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition of Estimation of Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC Epilayers 査読あり
M. Kato, A. Yoshida, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 51 ( 2 ) 02BP12 2012年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Structural, electrical and optical characterization of CuInS2 thin films deposited by spray pyrolysis 査読あり
K. M. A. Hussain, J. Podder, D. K. Saha, and M. Ichimura
Indian J. Pure Appl. Phys. 50 117 - 122 2012年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation 査読あり
M. Kato, Y. Matsushita, M. Ichimura, T. Hatayama, and T. Ohshima
Jpn. J. Appl. Phys. 51 ( 2 ) 028006 2012年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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New approach for generating Cu2O/TiO2 composite films for solar cell applications 査読あり
A. R. Zainun, T. Sakamoto, U. M. Noor, M. Rusop, M. Ichimura
Mater. Lett. 66 254 - 256 2012年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Heterojunctions Based on Chemically Deposited Copper Oxide Thin Films for Solar Cell Application 査読あり
M. Muhibbullah and M. Ichimura
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 36 195 - 198 2011年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characteristics of Ferroelectric Electron Emitters with Three-dimensional Emission Sites Formed by Chemical Etching 査読あり
T. Sugiyama, I. Ohwada, T. Nanataki, O. Eryu, M. Ichimura, and M. Gomi
J. Vac. Sci. Technol. B 92 ( 5 ) 032210 2011年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Band Alignment at the Cu2O/ZnO Heterojunction 査読あり
M. Ichimura and Y. Song
Jpn. J. Appl. Phys. 50 ( 5 ) 051002 2011年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Transparent p-Type CuxZnyS Thin Films by the Electrochemical Deposition Method 査読あり
K. Yang and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 20 ( 4 ) 040202 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of Defects that Reduce Schottky Barrier Height in 4H-SiC Schottky Contacts Using Electrochemical Deposition of ZnO 査読あり
M. Kato, H. Ono, M. Ichimura, G. Feng, T. Kimoto
Jpn. J. Appl. Phys. 50 ( 3 ) 036603 - 036603 2011年03月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrodeposition of SnO2 Thin Films from Aqueous Tin Sulfate Solutions 査読あり
J. M. Vequizo, J. Wang, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 49 125502 2010年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition and characterization of CuGaxSyOz 査読あり
S. Chowdhury, M. Ichimura
Mater. Sci. Semicond. Processing 13 ( 4 ) 252 - 256 2010年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Pulsed electrodeposition of oxygen-free tin monosulfide thin films using lactic acid/sodium lactate buffered electrolytes 査読あり
F. Kang and M. Ichimura
Thin Solid Films 519 725 - 728 2010年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep levels affecting the resistivity in semi-insulating 6H–SiC 査読あり
M. Kato, K. Kito, and M. Ichimura
J. Appl. Phys. 108 053718 2010年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Fabrication of Photoconductive Copper Oxide Thin Films by the Chemical Bath Deposition Technique 査読あり
M. Muhibbullah and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 49 081102 2010年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photochemical Deposition of GaSxOy Thin Films from Aqueous Solutions 査読あり
S. Chowdhury and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 49 062302 2010年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improved emission of ferroelectric electron emitter by surface treatments in gas atmosphere 査読あり
T. Sugiyama, I. Ohwada, T. Nanataki, O. Eryu, M. Ichimura, and M. Gomi
J. Appl. Phys. 107 114109 2010年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deposition of ZnS1-xOx thin films by the photochemical dip coating method and application for heterojunction solar cells 査読あり
M. Ichimura, K. Akita
Phys. Status Solidi C 7 ( 3-4 ) 929 - 932 2010年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Properties of gas sensors based on photochemically deposited nanocrystalline SnO2 films 査読あり
M. Ichimura, Aodengbaoleer, T. Sueyoshi
Phys. Status Solidi C 7 ( 3-4 ) 1168 - 1171 2010年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Experimental determination of band offsets at the SnS/CdS and SnS/InSxOy heterojunctions 査読あり
A. M. Abdel Haleem, M. Ichimura
J. Appl. Phys. 107 034507 2010年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Annealing Study of the electrochemically deposited InSxOy Thin Film and its Photovoltaic Application
A.M. Abdel Haleem, M. Ichimura
IEICE Transactions on Electronics E92-C ( 12 ) 1464 - 1469 2009年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrodeposition of wide band gap InGaxSyOz thin films for solar cell applications 査読あり
A.M. Abdel Haleem, M. Ichimura
Mater. Sci. Eng. B 164 180 - 185 2009年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Analysis of Atomic and Electronic Structures of Cu2ZnSnS4 Based on First-Principle Calculation 査読あり
M. Ichimura, Y. Nakashima
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 9 ) 090202 2009年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Room Temperature Gas Sensor with a High Sensitivity to Hydrogen Based on SnO2 Films Prepared by Photochemical Techniques 査読あり
M. Ichimura and T. Sueyoshi
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 1 ) 015503 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Annealing Study of the electrochemically deposited InSxOy Thin Film and its Photovoltaic Application 査読あり
A.M. Abdel Haleem, M. Kato, and M. Ichimura
IEICE Transactions on Electronics E92-C ( 12 ) 1464 - 1469 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Electrodeposition of wide band gap InGaxSyOz thin films for solar cell applications 査読あり
A.M. Abdel Haleem and M. Ichimura
Mater. Sci. Eng. B 164 180 - 185 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Analysis of Atomic and Electronic Structures of Cu2ZnSnS4 Based on First-Principle Calculation 査読あり
M. Ichimura and Y. Nakashima
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 9 ) 090202 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Wide Bandgap InS-based Thin Film: Deposition, Characterization, and Application for SnS Solar Cells 査読あり
A. M. Abdel Haleem and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 3 ) 035506 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical deposition of FeSxOy 査読あり
H. Rezagholipour Dizaji and M. Ichimura
Mater. Sci. Eng. B 158 26 - 29 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Band offsets at the CdS/SnS heterojunction 査読あり
M. Ichimura
Solar Energy Mater. Solar Cells 93 375 - 378 2009年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrodeposited ZnO/SnS Heterostructures for Solar Cell Application 査読あり
M. Ichimura and H. Takagi
Jpn. J. Appl. Phys 47 ( 10 ) 7845 - 7847 2008年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Fabrication of ZnO thin films by the photochemical deposition method 査読あり
M. Azuma and M. Ichimura
Mater. Res. Bull. 43 3537 - 3542 2008年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical deposition of indium sulfide thin films using two-step pulse biasing 査読あり
A.M. Abdel Haleem, and M. Ichimura
Thin Solid Films 516 7783 - 7789 2008年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of plasma etching damage on p-type GaN using Schottky diodes 査読あり
M. Kato, K. Mikamo, M. Ichimura, M. Kanechika, O. Ishiguro, and T. Kachi
J. Appl. Phys. 103 093701 2008年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Direct Fabrication of Fine Gold Patterns from an Aqueous Solution by a UV Laser 査読あり
A. Senthil Kumaran and M. Ichimura
J. Electron. Mater. 37 ( 4 ) 523 - 526 2008年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photovoltaic cells based on pulsed electrochemically deposited SnS and photochemically deposited CdS and Cd1-xZnxS 査読あり
M. Gunasekaran and M. Ichimura
Solar Energy Mater. Solar Cells 91 ( 9 ) 774 - 778 2007年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Observation of Inhomogeneity of Schottky Barrier Height on 4H-SiC Using the Electrochemical Deposition 査読あり
M. Kato, K. Ogawa, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 46 L997 - L999 2007年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Excess Carrier Lifetime in a Bulk p-type 4H-SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
M. Kato, M. Kawai, T. Mori, M. Ichimura, S. Sumie, and H. Hashizume
Jpn. J. Appl. Phys. 46 ( 8 ) 5057 - 5061 2007年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Fabrication of ZnS thin films by an improved photochemical deposition method and application to ZnS/SnS heterojunction cells 査読あり
T. Miyawaki and M. Ichimura
Materials Letters 61 4683 - 4686 2007年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical deposition of patterned gold thin films 査読あり
A. Senthil Kumaran,T. Miyawaki, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 45 ( 48 ) L1283 - L1285 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Temperature dependence of a slow component of excess carrier decay curves 査読あり
M. Ichimura
Solid St. Electron. 50 ( 11-12 ) 1761 - 1766 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Optical cross sections of deep levels in 4H-SiC 査読あり
M. Kato, S. Tanaka, M. Ichimura, E. Arai, S. Nakamura T. Kimoto, and R.Passler
J. Appl. Phys. 100 053708 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Room-Temperature Hydrogen Sensing Properties of SnO2 Thin Films Fabricated by the Photochemical Deposition and Doping Methods 査読あり
D. Ito and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 45 ( 9 ) 7094 - 7096 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Electrochemical deposition of ZnO thin films from acidic solutions 査読あり
N. Fathy and M. Ichimura
J. Cryst. Growth 294 ( 2 ) 191 - 196 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Preparation of ternary Cd1-xZnxS alloy by photochemical deposition (PCD) and its application to photovoltaic devices 査読あり
M. Gunasekaran, P. Ramasamy, and M. Ichimura
Phys. Stat. Sol. (c) 3 ( 8 ) 2656 - 2660 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Optical and Electrical Characterization of Photochemically Deposited CdS and Cd1-xZnxS Alloys 査読あり
M. Gunasekaran, P. Ramasamy, and M. Ichimura
J. Electrochem. Soc. 153 ( 7 ) G664 - G668 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Deposition of SnSxOy Films by Electrochemical Deposition Using Three-Step Pulse and Their Characterization 査読あり
K. Omoto, N. Fathy and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 45 ( 3 ) 1500 - 1505 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Deposition of cadmium sulphide and cadmium zinc sulphide thin films by photochemical deposition and their characterisation 査読あり
M. Gunasekaran, R. Gopalakrishnan, R. Sivakumar, P. Ramasamy and M. Ichimura
Surface Engineering 22 73 - 77 2006年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Excess Carrier Lifetime Measurement of Bulk SiC Wafers and Its Relationship with Structural Defect Distribution 査読あり
T. Mori, M. Kato, H. Watanabe, M. Ichimura, E. Arai, S. Sumie and H. Hashizume
Jpn. J. Appl. Phys. 44 ( 12 ) 8333 - 8339 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Electrochemical Deposition of ZnO1-xSx Thin Films Using Three-Step Pulse 査読あり
Naglaa Fathy and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 44 L1295 - L1297 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Deposition of Cd1-xZnxS (0 <x <1) Alloys by Photochemical Deposition Technique 査読あり
M. Gunasekaran and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 44 ( 10 ) 7345 - 7350 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photoelectrical properties of ZnS thin films deposited from aqueous solution using pulsed electrochemical deposition 査読あり
N. Fathy and M. Ichimura
Solar Energy Mater. Solar Cells 87 ( 1-4 ) 747 - 756 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Crystal growth of pure and doped-KGd(WO4)2 and their characterization for laser applications
A.Senthil Kumaran, A.L. Chandru, S.M. Babu, I. Bhaumik, S. Ganesamoorthy, A.K. Karnal, V.K. Wadhawan, and M. Ichimura
J. Cryst. Growth 275 e2117 - e2121 2005年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Growth and characterization of pure and doped KY(WO4)2 crystals 査読あり
A.Senthil Kumaran, A.L. Chandru, S.M. Babu, and M. Ichimura
J. Cryst. Growth 275 e1901 - e1905 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical deposition of CuxS thin films from aqueous solutions 査読あり
J. Podder, R. Kobayashi, and M. Ichimura
J. Cryst. Growth 275 e937 - e942 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Characteriztion of Electrical Properties and Photosensitivity of SnS Thin Films Prepared by the Electrochemical Deposition Method 査読あり
N. Sato, M. Ichimura, E. Arai and Y. Yamazaki
Solar Energy Mater. Solar Cells 85 ( 2 ) 153 - 165 2005年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Fabrication of SnO2 Thin Films by a Photochemical Deposition Method 査読あり
M. Ichimura , K. Shibayama and K. Masui
Thin Solid Films 466 ( 1-2 ) 34 - 36 2004年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical Deposition of ZnS Thin Films by Intermittent Illumination
M. Ichimura,R. Kobayashi, and T. Miyawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 43 ( 9 ) L1196 - L1198 2004年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Preparation of ZnS Thin Films by the Pulsed Electrochemical Deposition 査読あり
N. Fathy, R. Kobayashi, M. Ichimura
Mater. Sci. Eng. B 107 ( 7 ) 271 - 276 2004年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Conduction type change with annealing in thin silicon-on-insulator wafers 査読あり
Y. Shibata , M. Ichimura and E. Arai
Solid-State Electronics 48 ( 7 ) 1249 - 1252 2004年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Growth of ZnSe Thin Films by Electrocrystallization Technique 査読あり
S. Soundeswaran, O. Senthil Kumar, R. Dhanasekaran, P. Ramasamy, R. Kumaresen and M. Ichimura
Materials Chemistry and Physics 82 ( 2 ) 268 - 272 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Characterization of Deep Levels in 6H-SiC by Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy 査読あり
Y. Nakakura, M. Kato, M. Ichimura, E. Arai, Y. Tokuda, and S. Nishino
J. Appl. Phys. 94 ( 7 ) 3233 - 3238 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
T. Kuwayama, M. Ichimura, and E. Arai
Appl. Phys. Lett. 83 ( 7 ) 928 - 930 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
As and Sb Diffusion Profiles in Thin Silicon-On-Insulator Wafers
Y. Shibata, T. Ichino, M. Ichimura and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 42 ( 7 ) 4282 - 4283 2003年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Electrochemical Etching of 6H-SiC Using Aqueous KOH Solutions with Low Surface Roughness 査読あり
M. Kato, M. Ichimura, E. Arai and P. Ramasamy
Jpn. J. Appl. Phys. 42 ( 7 ) 4233 - 4236 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Silicon and Silicon-on-Insulator 査読あり
E. Arai, D. Iida, H. Asai, Y. Ieki, H. Uchida, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 42 ( 5 ) 1503 - 1510 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Etch Pit Observation for 6H-SiC by Electrochemical Etching Using an Aqueous KOH Solution 査読あり
M. Kato, M. Ichimura, E. Arai, and P. Ramasamy
J. Electrochem. Soc 150 ( 4 ) C208 - C211 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Sb Pile-up at Oxide/Si Interface during Drive-in Diffusion after Predeposition Using Doped Oxide Source 査読あり
T. Ichino, H. Uchida, M. Ichimura and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys 42 ( 3 ) 1139 - 1144 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
SnS Thin Films Fabricated by Pulsed and Normal Electrochemical Deposition 査読あり
K. Takeuchi, M. Ichimura, E. Arai, and Y. Yamazaki
Sol. Energy Mat. Sol. Cells 75 ( 6 ) 427 - 432 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical deposition of ZnS thin films from C4H4KNaO6-added solutions 査読あり
R. Kobayashi, N. Sato, M. Ichimura, E. Arai
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 5 ( 4 ) 893 - 898 2003年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Deep Center Passivation in 3C-SiC by Hydrogen Plasma with a Grid for Damage Suppression 査読あり
M. Kato, F. Sobue, M. Ichimura, E. Arai, N. Yamada, Y. Tokuda and T. Okumura
Solid St. Electron. 46 ( 9 ) 2099 - 2104 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Synthesis of PbS in Aqueous Solutions by Photochemical Reactions 査読あり
M. Ichimura, T. Narita, and K. Masui
Mater. Sci. Eng. B 96 ( 9 ) 296 - 299 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Properties of Photochemically Deposited CdSe Films 査読あり
M. Ichimura, N. Sato, A. Nakamura, K. Takeuchi, and E. Arai
Physica Status Solidi (a) 193 ( 9 ) 132 - 138 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Deposition of Amorphous SexTe1-x Thin Film Alloys by a Novel Photochemical Deposition Technique and Their Analysis
R. Kumaresan, M. Ichimura, N. Sato, P. Ramasamy, and E. Arai
J. Electrochem. Soc. 149 ( 9 ) C464 - C468 2002年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Application of Novel Photochemical Deposition Technique for the Deposition of Indium Sulfide 査読あり
R. Kumaresan, M. Ichimura, N. Sato, P. Ramasamy
Mater. Sci. Eng. B 96 ( 7 ) 37 - 42 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical Deposition of ZnSe Polycrystalline Thin Films and Their Characterization 査読あり
R. Kumaresan, M. Ichimura and E. Arai
Thin Solid Films 414 ( 7 ) 25 - 30 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structures and Their Relation to Crystalline Quality 査読あり
H. Uchida, M. Ichimura and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 41 ( 7 ) 4436 - 4441 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
M. Ichimura, A. Tada, E. Arai, H. Takamatsu, S. Sumie
Appl. Phys. Lett. 80 ( 23 ) 4390 - 4392 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Preparation of (Bi, Sb)2S3 Semiconductor Films by Photochemical Deposition Method 査読あり
H. Sasaki, K. Shibayama, M. Ichimura and K. Masui
J. Cryst. Growth 237-239 ( 7A ) 2125 - 2129 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Changes in Carrier Profiles of Bonded SOI Wafers with Thermal Annealing Measured by the Spreading Resistance Method 査読あり
M. Ichimura, S. Ito, and E. Arai
Solid St. Electron 46 ( 7A ) 545 - 553 2002年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Characterization of Si Wafer Surfaces after Wet Chemical Treatment by the Microwave Reflectance Photoconductivity Decay Method withSurface Electric Field 査読あり
A. Tada, M. Ichimura, E. Arai, H. Takamatsu, and S. Sumie
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ( 5A ) 3069 - 3074 2001年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Photochemical Deposition of Se and CdSe from Aqueous Solutions 査読あり
M. Ichimura, A. Nakamura, K. Takeuchi, and E. Arai
Thin Solid Films 384 ( 4B ) 157 - 159 2001年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Passivation of Deep Levels in 3C-SiC on Si by a Hydrogen Plasma Treatment 査読あり
M. Kato, F. Sobue, M. Ichimura, E. Arai, N. Yamada, Y. Tokuda, and T. Okumura
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ( 4B ) 2983 - 2986 2001年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Electrical and Optical Properties of CdS Films Grown by Photochemical Deposition from Aqueous Solutions 査読あり
R. Kumaresan, M. Ichimura, K. Takahashi, K. Takeuchi, F. Goto, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ( 5A ) 3161 - 3162 2001年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Deep Level Study in Heteroepitaxial 3C-SiC Grown on Si by Hexamethyldisilane 査読あり
M. Kato, M. Ichimura, E. Arai, Y. Masuda, Y. Chen, S. Nishino, and Y. Tokuda
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ( 8 ) 4943 - 4947 2001年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Sacrificial Anodic Oxidation of 6H-SiC 査読あり
M. Kato, M. Ichimura, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ( 11A ) L1145 - L1147 2001年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Quality Assessment of Bridgman Grown CdTe Single Crystals using Double Crystal X-ray Diffractometry (DCD) and Synchrotron Radiation
R Kumaresan, R. Gopalakrishnan, S. Moorth Babu, P. Ramasamy, P. Zaumseil, and, M Ichimura
J. Crystal. Growth 210 ( 11 ) 193 - 197 2000年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Retarded Diffusion of Phosphorus in Silicon-on-Insulator Structures 査読あり
H. Uchida, Y. Ieki, M. Ichimura, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ( 2B ) L137 - L140 2000年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical Deposition of SnS Thin Films 査読あり
M. Ichimura, K. Takeuchi, Y. Ono, and E. Arai
Thin Solid Films 361-362 ( 12A ) 98 - 101 2000年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of Si Wafers by μ-PCD with Surface Electric Field 査読あり
M. Ichimura, M. Hirano, A. Tada, E. Arai, H. Takamatsu, and S. Sumie
Mater. Sci. Eng. B 73 ( 12A ) 230 - 234 2000年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Slow Decay of Excess Carrier Concentration in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers 査読あり
M. Hirano, M. Ichimura, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ( 12A ) 6513 - 6514 2000年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deposition of CdS and ZnS from Aqueous Solutions by a New Photochemical Technique 査読あり
M. Ichimura, F. Goto, Y. Ono, and E. Arai
J. Cryst. Growth 198-199 ( 3 ) 308 - 312 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photochemical Deposition of CdS from Aqueous Solutions 査読あり
M. Ichimura, F. Goto, and E. Arai
J. Electrochem. Soc. 146 ( 3 ) 1028 - 1034 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Control of Surface Recombination of Si Wafers by an External Electrode 査読あり
M. Ichimura, M. Hirano, N. Kato, E. Arai, H. Takamatsu, and S. Sumie
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ( 3B ) L292 - L294 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Structural and Optical Characterization of CdS Films Grown by Photochemical Deposition 査読あり
M. Ichimura, F. Goto, and E. Ara
J. Appl. Phys. 85 ( 10 ) 7411 - 7417 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Search for Midgap Levels in 3C-SiC Grown on Si Substrates 査読あり
N. Yamada, M. Kato, M. Ichimura, E. Arai, and Y. Tokuda
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ( 10A ) L1094 - L1095 1999年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Defect Reduction in Electrochemically Deposited CdS Thin Films by Annealing in O2 査読あり
F. Goto, K. Shirai, and M. Ichimura
Solar Energy Mater. & Solar Cells 50 ( 1 ) 147 - 153 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Study of Carrier Emission and Capture Processes at Electron Traps in 3C-SiC 査読あり
M. Ichimura, Y. Koga, N. Yamada, T. Abe, E. Arai, and Y. Tokuda
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ( 1 ) L18 - L20 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Measurement of Minority Carrier Recombination Lifetime in Silicon Wafers by Measurement of Photoconductivity Decay by MicrowaveReflectance: Results of Round Robin Test 査読あり
M. Miyazaki, K. Kawai, and M. Ichimura
Recombination Lifetime Measurements in Silicon 84 ( 5 ) 347 - 366 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Slow Photoconductivity Decay in 3C-SiC on Si Substrates 査読あり
M. Ichimura, N. Yamada, H. Tajiri, and E. Arai
J. Appl. Phys. 84 ( 5 ) 2727 - 2731 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Temperature Dependence of Carrier Recombination Lifetime in Si Wafers 査読あり
M. Ichimura, H. Tajiri, T. Ito, and E. Arai
J. Electrochem. Soc. 145 ( 9 ) 3265 - 3271 1998年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime of 3C-SiC Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
M. Ichimura, H. Tajiri, Y. Morita, N. Yamada, and A. Usami
Appl. Phys. Lett. 70 ( 13 ) 1745 - 1747 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of Thin Bonded Silicon-on-Insulator Structures by the Microwave Photoconductivity Decay Method
M. Ichimura, T. Makino, H. Asakura, A. Usami, E. Morita, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ( 7A ) L839 - L841 1997年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Contactless Evaluation of the Surface Recombination Velocity at High-Low Junction Surface Fabricated by the Ion-Implantation Technique 査読あり
T. Makino, M. Ichimura, H. Yoshida, E. Morita, and A. Usami
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ( 2 ) 601 - 604 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A New Technique of Compound Semiconductor Deposition from an Aqueous Solution by Photochemical Reactions 査読あり
F. Goto, M. Ichimura, and E. Arai
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ( 9 ) L1146 - L1149 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman and Photoluminescence Characterizations of Electrochemically Deposited ZnxCd1-xS Layers 査読あり
M. Ichimura, T. Furukawa, K. Shirai, and F. Goto
Mater. Lett. 33 ( 1 ) 51 - 55 1997年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Stillinger-Weber Potentials for III-V Compound Semiconductors and Their Application to the Critical Thickness Calculation for InAs/GaAs 査読あり
M. Ichimura
Phys. Stat. Sol. (a) 153 ( 3 ) 431 - 437 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Atomistic Study of Partial Dislocations in Ge/Si (001) Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Phil. Mag. A 73 ( 3 ) 767 - 778 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Relationship between Raman Spectra and Crystallinity of CdS Films Grown by Cathodic Electrodeposition 査読あり
K. Shirai, Y. Moriguchi, M. Ichimura, A. Usami, and M. Saji
Jpn. J. Appl. Phys. 35 ( 4 ) 2057 - 2060 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of an Ultrathin Inserted Si Layer on Dislocation Nucleation in Ge/Si Heterostructures 査読あり
M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 35 ( 5B ) L609 - L611 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Surface Condition of Si Implanted GaAs Revealed by the Noncontact Laser/Microwave Method 査読あり
M. Ichimura, H. Yoshida, and A. Usami
J. Electron. Mater. 25 ( 7 ) 1088 - 1092 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photoluminescence and Raman Scattering of Electrochemically Deposited CdS Films 査読あり
K. Shirai, F. Goto, and M. Ichimura
Jpn. J. Appl. Phys. 35 ( 11B ) L1483 - L1485 1996年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Evaluation of the Bonded Silicon on Insulator (SOI) Wafer and the Characteristics of PIN Photodiodes on the Bonded SOI Wafer 査読あり
A. Usami, K. Kaneko, Y. Fujii, and M. Ichimura
IEEE Trans. Electron Devices, 42 ( 2 ) 239 - 243 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Atomistic Study of Dislocation Nucleation in Ge/(001)Si Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Phil. Mag. A 72 ( 2 ) 281 - 295 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of GaAs Heterolayers by Micro-Raman Spectroscopy 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, M. Tabuchi, and A. Sasaki
J. Cryst. Growth 149 ( 10 ) 167 - 174 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman Study of Strain Relaxation in Ge on Si 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, A. Wakahara, and A. Sasaki
J. Appl. Phys. 77 ( 10 ) 5144 - 5148 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman Spectra of GaAs with Ultrathin InAs Layers Inserted 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, M. Tabuchi, and A. Sasaki
Phys. Rev. B 51 ( 19 ) 13231 - 13237 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Role of Surface Step on Misfit Dislocation Nucleation and Critical Thickness in Semiconductor Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Mater. Sci. Eng. B 31 ( 2 ) 299 - 303 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Negative Surface Energy Change Associated with Step Formation Caused by Misfit Dislocation Nucleation in Semiconductor Heterostructures 査読あり
M. Ichimura and J. Narayan
Phil. Mag. A 72 ( 2 ) 297 - 304 1995年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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ラマン分光法によるヘテロエピタキシャル成長層の不整歪緩和の研究 査読あり
市村正也、宇佐美晶、和田隆夫、佐々木昭夫
日本結晶成長学会誌 Vol.21 ( 5 ) S415 - S419 1994年04月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Liquid-Phase Epitaxy of Highly-Lattice-Mismatched InxGa1-xAs Layers on (001) GaAs Substrates 査読あり
M. Ichimura, S. Nakatani, A. Usami, and T. Wada
Mater. Lett. Vol.18 ( 12 ) 269 - 272 1994年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A. Usami, M. Ichimura, T. Wada, and S. Ishigami
J. Appl. Phys. 75 ( 12 ) 7866 - 7868 1994年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Optical Characterization of GaSb-Based Ternary and Quaternary Alloys Grown by Liquid Phase Epitaxy at Low Temperatures 査読あり
M. Ichimura, K. Kato, H. Uekita, N. Kitamura, A. Usami, and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 32 ( 9 ) 3707 - 37112 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Stabilization of Li Acceptors in ZnSe by Above-Band-Gap Photoirradiation 査読あり
M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
J. Appl. Phys. 73 ( 11 ) 7225 - 7228 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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M. Ichimura, A. Usami, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
Appl. Phys. Lett. 62 ( 15 ) 1800 - 1802 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Thermodynamic Model for the Annealing Process of Si-Implanted GaAs 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, and T. Wada
Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 1 ( 7 ) 529 - 538 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Characterization of Molecular-Beam Epitaxial Ge Heterolayers on Si Substrates 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, T. Wada, A. Wakahara and A. Sasaki
J. Electron. Mater. 22 ( 7 ) 779 - 784 1993年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Study on GaAs Layers Directly Grown on (100) Si by Molecular Beam Epitaxy 査読あり
A. Ito, M. Ichimura, A. Usami, T. Wada, and H. Kano
J. Appl. Phys. 72 ( 6 ) 2531 - 2533 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Characterization of a Ge/Si Heterostructure Grown by Chemical Vapor Deposition 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, and T. Wada
IEICE Trans. Electron. E75-C ( 9 ) 1056 - 1062 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Extremely Low-Temperature LPE Growth of AlxGa1-x-yInySb 査読あり
K. Kato, H. Uekita, M. Ichimura, N. Kitamura, A. Usami, and T. Wada
Materials Letters 13 ( 3 ) 93 - 95 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Reduction of Compensating Defects in ZnSe and ZnS by Photo-Irradiation 査読あり
M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
J. Cryst. Growth 117 ( 3 ) 689 - 693 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Micro-Raman Study of Heteroepitaxial InGaAs Layers 査読あり
M. Ichimura, Y. Moriguchi, A. Usami, T. Wada, M. Tabuchi, and A. Sasaki
J. Cryst. Growth 121 ( 3 ) 423 - 428 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Point Defect Concentrations in GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Appl. Phys. 72 ( 3 ) 1200 - 1202 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Raman Spectra of Cubic Zn1-xCdxS 査読あり
M. Ichimura, A. Usami, T. Wada, M. Funato, K. Ichino, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
Phys. Rev. B 72 ( 7 ) 4273 - 4276 1992年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Point Defect Concentrations in InGaAsP Quaternary Alloys 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Appl. Phys. 69 ( 7 ) 4140 - 4142 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Crystalline Quality of Extremely-Low-Temperature Grown LPE-GaSb
N. Kitamura, H. Uekita, M. Ichimura, A. Usami, and T. Wada
Materials Letters 10 ( 9 ) 10,417 - 420 1991年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Thermodynamic Calculation of Native Defect Concentrations in III-V Alloy Semiconductors Grown by Halide Transport Vapor-Phase Epitaxy 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Electrochem. Soc. 138 ( 7 ) 2097 - 2102 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A Defect Model for Photoirradiated Semiconductors －Suppression of the Self-compensation in II-VI Materials－ 査読あり
M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, and Sg. Fujita
Jpn. J. Appl. Phys. 30 ( 12 ) 3475 - 3481 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Native Defect Concentrations in GaAs Grown by Organometallic Vapor-Phase Epitaxy 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Cryst. Growth 115 ( 3 ) 479 - 483 1991年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Native Defects in AlxGa1-xSb Alloy Semiconductor 査読あり
M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, and N. Kitamura,
J. Appl. Phys. 68 ( 12 ) 6153 - 6158 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Photoluminescence Study of AlxGa1-xSb Grown by Liquid-Phase Epitaxy 査読あり
N. Kitamura, K. Higuchi, H. Uekita, M. Ichimura, A. Usami, and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 29 ( 8 ) 1403 - 1407 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Bond Lengths in Si1-xGex Alloys Based on the Valence-Force-Field Model 査読あり
M. Ichimura, Y. Nishino, H. Kajiyama, and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 29 ( 5 ) 842 - 843 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Native Defects in III-V Ternary Alloy Semiconductors Grown from Liquid- Solutions 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
Jpn. J. Appl. Phys. 291515 ( 8 ) 1515 - 1520 1990年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Crystalline Microstructure of III-V Quaternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
J. Cryst. Growth 98 ( 5 ) 18 - 26 1989年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Chemical Potentials of Constituent Compounds in III-V Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and T. Wada
J. Cryst. Growth 97 ( 5 ) 542 - 550 1989年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Average Lengths and Statistics of Bonds in In1-xGaxAs1-yPy Quaternary Alloy Semiconductor 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 10 ) 1910 - 1915 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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混晶半導体のミクロの世界 査読あり
佐々木昭夫、市村正也
日本結晶学会誌 Vol.30 ( 6 ) 311 - 321 1988年04月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Solution Hardening due to a Nonrandom Atom Arrangement in III-V Ternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 2 ) L176 - L178 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Atom Arrangement in III-V Quaternary Alloy Semiconductors of (ABC)D Type 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 4 ) 642 - 648 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Bond Statistics and Their Influences on Materials Properties of III-V Quaternary Alloys of Type (AB)III(CD)V
M. Ichimura and A. Sasaki
J. Electron. Mater. 17 ( 4 ) 305 - 310 1988年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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AlGaSb Single, Double and Multiple Heterostructures Grown by Liquid-Phase Epitaxy and Their Photoluminescence Properties 査読あり
M. Ichimura, Y. Takeda, and A. Sasaki,
Jpn. J. Appl. Phys. 27 ( 8 ) 1464 - 1468 1988年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Bonds in III-V Quaternary Alloy Semiconductors of A1-xBxC1-yDy Type 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Phys. Rev. B 36 ( 18 ) 9694 - 9702 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Calculation of Bond Lengths in InGaAsP Quaternary Alloy Semiconductor 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 26 ( 2 ) 246 - 251 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Statistics of Primitive Cells in InGaAs and AlGaAs Ternary Alloy Semiconductors
A.Sasaki and M. Ichimura
Superlattices and Microstructures 3 ( 2 ) 127 - 131 1987年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Alloy Scattering Mobility in III-V Ternary Alloy Semiconductors with Nonrandom Atom Arrangement 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 26 ( 5 ) 776 - 777 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Average Bond Lengths and Atom Arrangement in In1-xGaxAs and GaAs1-xPx III-V Ternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 26 ( 8 ) 1296 - 1299 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Bond Lengths in III-V Ternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 26 ( 12 ) 2061 - 2066 1987年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Short-Range Order in III-V Ternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
J. Appl. Phys. 60 ( 11 ) 3850 - 3855 1986年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Free Energies and Equilibrium States of Mono- and Bi-Layer Superstructures of III-V Ternary Alloy Semiconductors 査読あり
M. Ichimura and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 25 ( 7 ) 976 - 980 1986年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Predicted Extremely High Mobilities of Two-Dimensional Electrons in AlGaSb/GaSb and AlInAsSb/InAs Single Heterostructures 査読あり
Y. Takeda, M. Ichimura, and A. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 24 ( 6 ) L455 - L456 1985年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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