論文 - 加藤 正史
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Characteristics of Schottky diodes on 6H-SiC surfaces after sacrificial anodic oxidation 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Materials Science Forum 389-393 933 2002年01月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Sacrificial Anodic Oxidation of 6H-SiC 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Japanese Journal of Applied Physics 40 L1145 2001年11月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep Level Study in Heteroepitaxial 3C-SiC Grown on Si by Hexamethyldisilane 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yasuichi MASUDA, Yi CHEN, Shigehiro NISHINO, Yutaka TOKUDA
Japanese Journal of Applied Physics 40 4943 2001年08月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Passivation of Deep Levels in 3C-SiC on Si by a Hydrogen Plasma Treatment 査読あり
Masashi KATO, Fumitaka SOBUE, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Noboru YAMADA, Yutaka TOKUDA, Tsugunori OKUMURA
Japanese Journal of Applied Physics 40 2983 2001年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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DLTS study of 3C-SiC grown on Si using hexamethyldisilane 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yasuichi MASUDA, Yi CHEN, Shigehiro NISHINI, Yutaka TOKUDA
Proceedings of Materials Research Society Symposium 622 T - 4.3 2000年10月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Search for midgap levels in 3C-SiC grown on Si substrates 査読あり
Noboru YAMADA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA
Japanese Journal of Applied Physics 38 L1094 1999年10月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
