論文 - 加藤 正史
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Correlation between Microwave Reflectivity and Excess Carrier Concentrations in 4H-SiC 査読あり
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 778-780 293 - 296 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Identification of structures of the deep levels in 4H-SiC 査読あり
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima
Materials Science Forum 778-780 277 - 280 2014年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Efficiency of a solar cell with intermediate energy levels: An example study on hydrogen implanted Si solar cells 査読あり
Masaya Ichimura, Hiromu Sakakibara, Koji Wada, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 114 ( 11 ) 114505-1 - 114505-6 2013年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.4821286
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Excess carrier lifetime and strain distributions in a 3C-SiC wafer grown on an undulant Si substrate 査読あり
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura, Hiroyuki Nagasawa
Physica Status Solidi A 210 ( 9 ) 1719 - 1725 2013年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Performance Improvement of the Analog ANC Circuit for a Duct by Insertion of an All-Pass Filter 査読あり
Tatsuki HYODO,Gaku ASAKURA,Kiwamu TSUKADA,Masashi KATO
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences E96-A ( 4 ) 824 - 825 2013年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Leakage Current Suppression Using Passivation of Defect by Anodic Oxidation for 4H-SiC Schottky Contacts 査読あり
Masashi Kato, Masaya Kimura, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 52 04CP02-1 - 04CP02-5 2013年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Solar-to-hydrogen conversion efficiency of water photolysis with epitaxially grown p-type SiC 査読あり
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama
Materials Science Forum 740-742 859 - 862 2013年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 査読あり
Kazuki YOSHIHARA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA, Takeshi OHSHIMA
Materials Science Forum 740-742 373 - 376 2013年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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構築型スライドの事前提供と学生指名によるインタラクティブ授業の試み 査読あり
加藤正史
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 132 ( 12 ) 1120 - 1121 2012年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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アンケート調査に基づく高校生を対象とした啓発活動に関する一検討 査読あり
平田晃正,加藤正史,江龍修,丸田章博
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 132 ( 12 ) 1124 - 1125 2012年12月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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卒業研究記録ノートの導入による卒業研究実施状況および達成度の把握 査読あり
加藤正史,江龍修,大原繁男
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 132 ( 12 ) 1122 - 1123 2012年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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SiC photoelectrodes for a self-driven water-splitting cell 査読あり
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama
APPLIED PHYSICS LETTERS 101 053902-1 - 053902-3 2012年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.4740079
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Characterization of Photoelectrochemical Properties of SiC as a Water Splitting Material 査読あり
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 717-720 585 - 588 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Carrier Diffusivity in Highly Excited Bulk SiC, GaN, and Diamond Crystals by Optical Probes 査読あり
K. Jarašiūnas, P. Ščajev, T. Malinauskas, M. Kato, E. Ivakin, M. Nesladek, K. Haenen, Ü. Özgür, H. Morkoç
Materials Science Forum 717-720 309 - 312 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Correlation between Strain and Excess Carrier Lifetime in a 3C-SiC Wafer 査読あり
Atsushi Yoshida, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 717-720 305 - 308 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation 査読あり
Masashi Kato, Yoshinori Matsushita, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 2 ) 028006 2012年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Estimation of Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC Epilayers 査読あり
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 2 ) 02BP12-1 - 02BP12-6 2012年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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On applicability of time-resolved optical techniques for characterization of differently grown 3C-SiC crystals and heterostructures 査読あり
P. Ščajev, P. Onufrijevs, G. Manolis, M. Karaliūnas, S. Nargelas, N. Jegenyes, J. Lorenzzi, G. Ferro, M. Beshkova, R. Vasiliauskas, M. Syväjärvi, R. Yakimova, M. Kato, and K. Jarašiūnas
Materials Science Forum 711 159 - 163 2012年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Active Noise Control in a Duct by an Analog Neural Network Circuit 査読あり
Masashi Kato
Applied Acoustics 72 ( 10 ) 732 - 736 2011年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A diffraction-based technique for determination of interband absorption coefficients in bulk 3C-, 4H- and 6H-SiC crystals 査読あり
Patrik Scajev, Masashi Kato, and Kestutis Jarasiunas
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS 44 365402-1 - 365402-8 2011年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
