論文 - 加藤　正史

分割表示  146 件中 41 - 60 件目  ／  全件表示 >>

  • Contribution of the carbon-originated hole trap to slow decays of photoluminescence and photoconductivity in homoepitaxial n-type GaN layers 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Takato Asada, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

    Journal of Applied Physics   129 ( 11 )   115701   2021年03月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0041287

    その他リンク： https://doi.org/10.1063/5.0041287

  • Nondestructive measurements of depth distribution of carrier lifetimes in 4H-SiC thick epitaxial layers using time-resolved free carrier absorption with intersectional lights 査読あり 国際誌

    Takashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato

    Review of Scientific Instruments   91 ( 12 )   123902   2020年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing LLC  

    DOI： 10.1063/5.0018080

  • Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌

    Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Masaki Sudo, Masashi Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    CrystEngComm   22   8299 - 8312   2020年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Royal Society of Chemistry  

    DOI： 10.1039/D0CE01344G

  • Observation of carrier lifetime distribution in 4H-SiC thick epilayers using microscopic time-resolved free carrier absorption system 査読あり 国際誌

    K. Nagaya, T. Hirayama, T. Tawara, K. Murata, H. Tsuchida, A. Miyasaka, K. Kojima, T. Kato, H. Okumura, M. Kato

    Journal of Applied Physics   128   105702-1 - 105702-7   2020年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0015199

  • Mapping of large structural defects in SiC Schottky contacts using internal photoemission microscopy 査読あり 国際誌

    Kenji Shiojima, Masashi Kato

    Materials Science in Semiconductor Processing   118   105182-1 - 105182-12   2020年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2020.105182

  • Surface recombination velocities for 4H-SiC: Temperature dependence and difference in conductivity type at several crystal faces 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Zhang Xinchi, Kimihiro Kohama, Shuhei Fukaya, Masaya Ichimura

    Journal of Applied Physics   127   195702-1 - 195702-7   2020年05月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0007900

  • Highly efficient 3C-SiC photocathodes with texture structures formed by electrochemical etching 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Tomohiro Ambe

    Applied Physics Express   13   026506   2020年02月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1882-0786/ab6f29

  • Heat shock protein 70 is a key molecule to rescue imbalance caused by low‑frequency noise 査読あり 国際共著 国際誌

    Reina Negishi‑Oshino, Nobutaka Ohgami, Tingchao He, Xiang Li, Masashi Kato, Masayoshi Kobayashi, Yishuo Gu, Kanako Komuro, Charalampos E. Angelidis, Masashi Kato

    Archives of Toxicology   2019年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1007/s00204-019-02587-3

  • Characterisation of defects in p-type 4H-, 6H- and 3C-SiC epilayers grown on SiC substrates 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Naoto Ichikawa, Yoshitaka Nakano

    Materials Letters   254   96 - 98   2019年07月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.matlet.2019.07.043

  • Effects of Nb Doping on the Photocatalytic Performance of Rutile TiO2 Single Crystals 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Hayao Najima, Takaya Ozawa

    Journal of The Electrochemical Society   166 ( 10 )   H468 - H472   2019年06月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1149/2.1231910jes

  • Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method 招待あり 査読あり 国際誌

    Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Masashi Kato

    Journal of Visualized Experiments   146   e59007   2019年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3791/59007

  • RECOMBINATION AND DIFFUSION PROCESSES IN ELECTRONIC GRADE 4H SILICON CARBIDE 査読あり 国際共著 国際誌

    P. Ščajev, L. Subačius, K. Jarašiūnas, M. Kato

    Lithuanian Journal of Physics   59 ( 1 )   26 - 34   2019年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3952/physics.v59i1.3938

  • Ultraviolet light induced electrical hysteresis effect in graphene-GaN heterojunction 査読あり 国際誌

    Ajinkya K. Ranade, Rakesh D. Mahyavanshi, Pradeep Desai, Masashi Kato, Masaki Tanemura, Golap Kalita

    Applied Physics Letters   114   151102   2019年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5084190

  • Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, free-carrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques 査読あり 国際共著 国際誌

    Patrik Ščajev, Saulius Miasojedovas, Liudvikas Subačius, Kęstutis Jarašiūnas, Alexander V. Mazanik , Olga V. Korolik, Masashi Kato

    Journal of Luminescence   212   92 - 98   2019年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jlumin.2019.04.018

  • Observation of carrier recombination in single Shockley stacking faults and at partial dislocations in 4H-SiC 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, and Tsunenobu Kimoto

    Journal of Applied Physics   124 ( 9 )   095702   2018年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5042561

  • Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions 査読あり 国際誌

    Yoshihito Ichikawa, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto, Masashi Kato

    the ECS Journal of Solid State Science and Technology   7 ( 8 )   Q127 - Q130   2018年06月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1149/2.0031808jss

  • Expansion of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC (1120) epitaxial layer caused by electron beam irradiation 査読あり 国際誌

    Yukari Ishikawa, Masaki Sudo, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123   225101-1 - 225101-6   2018年06月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5026448

  • Increased expression level of Hsp70 in the inner ears of mice by exposure to low frequency noise 査読あり 国際共著 国際誌

    Hiromasa Ninomiya, Nobutaka Ohgami, Reina Oshino, Masashi Kato, Kyoko Ohgami, Xiang Li, Dandan Shen, Machiko Iida, Ichiro Yajima, Charalampos E. Angelidis, Hiroaki Adachi, Masahisa Katsuno, Gen Sobue, Masashi Kato

    Hearing Research   363   49 - 54   2018年06月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.heares.2018.02.006

  • Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation 査読あり 国際誌

    Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yong Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato

    Materials Science Forum   924   151 - 154   2018年06月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.151

  • Microscopic FCA System for Depth-Resolved Carrier Lifetime Measurement in SiC 査読あり 国際誌

    Shinichi Mae, Takeshi Tawara, Hidekazu Tsuchida, Masashi Kato

    Materials Science Forum   924   269 - 272   2018年06月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.269

< 前のページ - 次のページ >

このページの先頭へ▲