論文 - 加藤 正史
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment 査読あり 国際誌
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa and Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 64 051003-1 - 051003-5 2025年05月
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Investigating surface recombination velocity and bulk carrier lifetime in lithium tantalate using micro-photoconductance decay techniques 査読あり 国際誌
Ntumba Lobo, Liu Huan Xiu, Endong Zhang, Masashi Kato
Chemical Physics Letters 869 142061-1 - 142061-6 2025年03月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of point defect and carrier lifetime distributions in hydrogen or helium ion implanted SiC PiN diodes for suppression of bipolar degradation 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada
Japanese Journal of Applied Physics 64 010901-1 - 010901-4 2025年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Controlled Domain in 3C-SiC Epitaxial Growth on Off-Oriented 4H-SiC Substrates for Improvement of Photocathode Performance 査読あり 国際誌
Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato
ECS Journal of Solid State Science and Technology 13 125002-1 - 125002-5 2024年12月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: Impact of CoOx cocatalyst loading 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 136 205303-1 - 205303-5 2024年11月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation 査読あり 国際誌
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
Applied Physics Express 17 086503-1 - 086503-4 2024年08月
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Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications 査読あり 国際共著 国際誌
Endong Zhang, Christoph J Brabec, Masashi Kato
Journal of Physics D: Applied Physics 57 305104-1 - 305104-7 2024年05月
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Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV 査読あり 国際共著 国際誌
Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Koji Nakayama, Ulrike Grossner
Materials Science in Semiconductor Processing 179 108461-1 - 108461-8 2024年05月
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Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts 査読あり 国際誌
Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 4 ) 04SP71-1 - 04SP71-6 2024年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Materials Science in Semiconductor Processing 175 108264-1 - 108264-5 2024年02月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Mitigation of carrier trapping effects on carrier lifetime measurements with continuous-wave laser illumination for Pb-based metal halide perovskite materials 査読あり 国際共著 国際誌
Ntumba Lobo, Gebhard J. Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J. Brabec, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 074905-1 - 074905-7 2024年02月
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Effect of dislocations on carrier recombination and photoelectrochemical activity in polished and unpolished TiO2 and SrTiO3 crystals 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Mingxin Zhang, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 045102-1 - 045102-9 2024年01月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Japanese Journal of Applied Physics 63 020804-1 - 020804-6 2024年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier recombination in highly Al doped 4H-SiC: dependence on the injection conditions 査読あり 国際誌
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 63 011002-1 - 011002-5 2024年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Unravelling material properties of halide perovskites by combined microwave photoconductivity and time-resolved photoluminescence spectroscopy 査読あり 国際共著 国際誌
Christian Kupfer, Vincent M. Le Corre, Chaohui Li, Larry Luer, Karen Forberich, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec
Journal of Materials Chemistry C 2023年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1039/d3tc03867j
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Surface recombination velocities for 4H–SiC: Dependence of excited carrier concentration and surface passivation 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Ayato Ogawa, Lei Han, Tomohisa Kato
Materials Science in Semiconductor Processing 170 107980-1 - 107980-5 2023年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Analysis of carrier recombination coefficients of 3C-and 6H-SiC: Insights into recombination mechanisms in stacking faults of 4H-SiC 査読あり 国際誌
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
AIP Advances 13 085220 2023年08月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/5.0157696
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Development of an angle detection system for channeling implantation to the c-axis of SiC using birefringence phenomenon 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Takumi Maruhashi, Hisaya Sato, Yoshiyuki Yonezawa
Japanese Journal of Applied Physics 62 068003-1 - 068003-3 2023年06月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation 査読あり 国際誌
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Toshiki Mii, Masashi Kato
Applied Physics Express 16 021001-1 - 021001-4 2023年02月
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Effects of ion implantation process on defect distribution in SiC SJ-MOSFET 査読あり 国際誌
Takuya Fukui, Tatsuya Ishii, Takeshi Tawara, Kensuke Takenaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 62 016508-1 - 016508-6 2023年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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4H-SiC Auger recombination coefficient under the high injection condition 査読あり 国際誌
Kazuhiro Tanaka, Keisuke Nagaya, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 62 SC1017-1 - SC1017-4 2023年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 出版者・発行元：IOP Publishing
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Vascular endothelium as a target tissue for short-term exposure to low-frequency noise that increases cutaneous blood flow 査読あり 国際誌
Yuqi Deng, Nobutaka Ohgami, Takumi Kagawa, Fitri Kurniasari, Dijie Chen, Masashi Kato, Akira Tazaki, Masayo Aoki, Hiroki Katsuta, Keming Tong, Yishuo Gu, Masashi Kato
Science of The Total Environment 851 ( 1 ) 158828 2022年12月
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Surface recombination velocities for the (100) and (001) crystal faces of bismuth vanadate single crystals 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Masashi Kato
Journal of Physics D: Applied Physics 56 025103-1 - 025103-5 2022年12月
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Mechanochemical Synthesis of Cesium Titanium Halide Perovskites Cs2TiBr6-xIx (x = 0, 2, 4, 6) 査読あり 国際共著 国際誌
Christian Kupfer, Jack Elia, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec
Crystal Research Technology 2200150-1 - 2200150-6 2022年11月
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada
Scientific Reports 12 18790 2022年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1038/s41598-022-23691-y
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Trapping effects and surface/interface recombination of carrier recombination in single- or poly-crystalline metal halide perovskites 査読あり 国際共著 国際誌
Ntumba Lobo, Takuya Kawane, Gebhard Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Levchuk Ievgen, Christoph Brabec, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 2022年11月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation 査読あり 国際誌
Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
Materials Science in Semiconductor Processing 153 107126-1 - 107126-5 2022年09月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Metal Organic Frameworks as Synthetic Precursors for SILAR: A Tale of Two Oxides 査読あり 国際共著 国際誌
Noseung Myung, Kongshik Rho, Eun Bee Shon, Tae Wan Park, Soo Yeon Kim, Masashi Kato, Krishnan Rajeshwar
ECS Journal of Solid State Science and Technology 11 093007 2022年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Estimation of surface recombination velocities and bulk carrier lifetime for SrTiO3 using angle-lapped structures 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Yosuke Kato
Chemical Physics Letters 805 139955-1 - 139955-3 2022年08月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation 査読あり 国際誌
Shunta Harada, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
Scientific Reports 12 13542 2022年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Relationship of carbon concentration and slow decays of photoluminescence in homoepitaxial n-type GaN layers 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
Japanese Journal of Applied Physics 61 078004-1 - 078004-4 2022年07月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Jing Di, Yutaro Ohkouchi, Taisuke Mizuno, Masaya Ichimura, Kazutoshi Kojima
Materials Today Communications 31 103648-1 - 103648-3 2022年05月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of Defect Structure in Epilayer Grown on On‑Axis SiC by Synchrotron X‑ray Topography 査読あり 国際誌
Kotaro Ishiji, Masashi Kato, Ryuichi Sugie
Journal of Electronic Materials 51 1541 - 1547 2022年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Depth Distribution of Defects in SiC PiN Diodes FormedUsing Ion Implantation or Epitaxial Growth 査読あり 国際誌
Shuhei Fukaya,Yoshiyuki Yonezawa,Tomohisa Kato,Masashi Kato
Physica Status Solidi B 2100419-1 - 2100419-6 2021年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Wiley-VCH GmbH
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Deep levels related to the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC 査読あり 国際共著 国際誌
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Yutaro Ohkouchi, Xuan Thang Trinh, Ivan G. Ivanov, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son
Journal of Applied Physics 130 065703 2021年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/5.0059953
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Durable and efficient photoelectrochemical water splitting using TiO2 and 3C–SiC single crystals in a tandem structure 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Zhenhang Liu, Masashi Kato
Solar Energy Materials and Solar Cells 230 ( 15 ) 111260 2021年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier recombination in SrTiO3 single crystals: impacts of crystal faces and Nb doping 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Takaya Ozawa, Yoshihito Ichikawa
Journal of Physics D: Applied Physics 54 ( 34 ) 345106 2021年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：IOP Science
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Flexible Photocatalytic Electrode Using Graphene, Non-noble Metal, and Organic Semiconductors for Hydrogen Evolution Reaction 査読あり 国際共著 国際誌
Kohei Kondo, Yusuke Watanabe, Junya Kuno, Yosuke Ishii, Shinji Kawasaki, Masashi Kato, Golap Kalita, Yoshiyuki Hattori, Oleksandr Mashkov, Mykhailo Sytnyk, Wolfgang Heiss
Energy Technology 9 ( 8 ) 2100123 2021年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Masashi Kato, Takato Asada, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi
Journal of Applied Physics 129 ( 11 ) 115701 2021年03月
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Takashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato
Review of Scientific Instruments 91 ( 12 ) 123902 2020年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：AIP Publishing LLC
DOI： 10.1063/5.0018080
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Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy 査読あり 国際誌
Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Koji Sato, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Masaki Sudo, Masashi Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
CrystEngComm 22 8299 - 8312 2020年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Royal Society of Chemistry
DOI： 10.1039/D0CE01344G
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K. Nagaya, T. Hirayama, T. Tawara, K. Murata, H. Tsuchida, A. Miyasaka, K. Kojima, T. Kato, H. Okumura, M. Kato
Journal of Applied Physics 128 105702-1 - 105702-7 2020年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/5.0015199
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Mapping of large structural defects in SiC Schottky contacts using internal photoemission microscopy 査読あり 国際誌
Kenji Shiojima, Masashi Kato
Materials Science in Semiconductor Processing 118 105182-1 - 105182-12 2020年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Masashi Kato, Zhang Xinchi, Kimihiro Kohama, Shuhei Fukaya, Masaya Ichimura
Journal of Applied Physics 127 195702-1 - 195702-7 2020年05月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/5.0007900
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Highly efficient 3C-SiC photocathodes with texture structures formed by electrochemical etching 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Tomohiro Ambe
Applied Physics Express 13 026506 2020年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Heat shock protein 70 is a key molecule to rescue imbalance caused by low‑frequency noise 査読あり 国際共著 国際誌
Reina Negishi‑Oshino, Nobutaka Ohgami, Tingchao He, Xiang Li, Masashi Kato, Masayoshi Kobayashi, Yishuo Gu, Kanako Komuro, Charalampos E. Angelidis, Masashi Kato
Archives of Toxicology 2019年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterisation of defects in p-type 4H-, 6H- and 3C-SiC epilayers grown on SiC substrates 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Naoto Ichikawa, Yoshitaka Nakano
Materials Letters 254 96 - 98 2019年07月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of Nb Doping on the Photocatalytic Performance of Rutile TiO2 Single Crystals 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Hayao Najima, Takaya Ozawa
Journal of The Electrochemical Society 166 ( 10 ) H468 - H472 2019年06月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1149/2.1231910jes
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Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method 招待あり 査読あり 国際誌
Takato Asada, Yoshihito Ichikawa, Masashi Kato
Journal of Visualized Experiments 146 e59007 2019年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.3791/59007
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RECOMBINATION AND DIFFUSION PROCESSES IN ELECTRONIC GRADE 4H SILICON CARBIDE 査読あり 国際共著 国際誌
P. Ščajev, L. Subačius, K. Jarašiūnas, M. Kato
Lithuanian Journal of Physics 59 ( 1 ) 26 - 34 2019年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Ultraviolet light induced electrical hysteresis effect in graphene-GaN heterojunction 査読あり 国際誌
Ajinkya K. Ranade, Rakesh D. Mahyavanshi, Pradeep Desai, Masashi Kato, Masaki Tanemura, Golap Kalita
Applied Physics Letters 114 151102 2019年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.5084190
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Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, free-carrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques 査読あり 国際共著 国際誌
Patrik Ščajev, Saulius Miasojedovas, Liudvikas Subačius, Kęstutis Jarašiūnas, Alexander V. Mazanik , Olga V. Korolik, Masashi Kato
Journal of Luminescence 212 92 - 98 2019年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, and Tsunenobu Kimoto
Journal of Applied Physics 124 ( 9 ) 095702 2018年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.5042561
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Passivation of surface recombination at the Si-face of 4H-SiC by acidic solutions 査読あり 国際誌
Yoshihito Ichikawa, Masaya Ichimura, Tsunenobu Kimoto, Masashi Kato
the ECS Journal of Solid State Science and Technology 7 ( 8 ) Q127 - Q130 2018年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1149/2.0031808jss
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Expansion of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC (1120) epitaxial layer caused by electron beam irradiation 査読あり 国際誌
Yukari Ishikawa, Masaki Sudo, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 123 225101-1 - 225101-6 2018年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.5026448
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Increased expression level of Hsp70 in the inner ears of mice by exposure to low frequency noise 査読あり 国際共著 国際誌
Hiromasa Ninomiya, Nobutaka Ohgami, Reina Oshino, Masashi Kato, Kyoko Ohgami, Xiang Li, Dandan Shen, Machiko Iida, Ichiro Yajima, Charalampos E. Angelidis, Hiroaki Adachi, Masahisa Katsuno, Gen Sobue, Masashi Kato
Hearing Research 363 49 - 54 2018年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation 査読あり 国際誌
Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yong Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Masashi Kato
Materials Science Forum 924 151 - 154 2018年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Microscopic FCA System for Depth-Resolved Carrier Lifetime Measurement in SiC 査読あり 国際誌
Shinichi Mae, Takeshi Tawara, Hidekazu Tsuchida, Masashi Kato
Materials Science Forum 924 269 - 272 2018年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 査読あり
Kenji Shiojima, Naoki Mishina, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 57 04FR06 2018年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Solar Water Splitting Utilizing a SiC Photocathode, a BiVO4 Photoanode, and a Perovskite Solar Cell 査読あり 国際誌
Akihide Iwase, Akihiko Kudo, Youhei Numata, Masashi Ikegami, Tsutomu Miyasaka, Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Hideki Hashimoto, Haruo Inoue, Osamu Ishitani, Hitoshi Tamiaki
ChemSusChem 10 ( 22 ) 4420 - 4423 2017年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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P-Type 3C-SiC Photocathode for Solar to Hydrogen Energy Conversion 招待あり 査読あり 国際誌
Masashi Kato
ECS Transactions 80 ( 4 ) 43 - 55 2017年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction 査読あり 国際誌
Naoto Ichikawa, Masaya Ichimura, Masashi Kato
International Journal of Hydrogen Energy 42 ( 36 ) 22698 - 22703 2017年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of thermal aging on Cu nanoparticle/Bi-Sn solder hybrid bonding 査読あり 国際誌
M. Usui, T. Satoh, H. Kimura, S. Tajima, Y. Hayashi, D. Setoyama, M. Kato
Microelectronics Reliability 78 93 - 99 2017年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Risk Assessment of Neonatal Exposure to Low Frequency Noise Based on Balance in Mice 査読あり 国際誌
Nobutaka Ohgami, Reina Oshino, Hiromasa Ninomiya, Xiang Li, Masashi Kato, Ichiro Yajima, Masashi Kato
Frontiers in Behavioral Neuroscience 11 30 2017年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions 査読あり
Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 56 04CR06 2017年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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The enhanced performance of 3C-SiC photocathodes for the generation of hydrogen through the use of cocatalysts 査読あり 国際誌
Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Applied Physics Letters 109 153904-1 - 153904-4 2016年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.4964825
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Evaluation of surface recombination of SiC for development of bipolar devices 招待あり 査読あり 国際誌
Masashi Kato
Proc. SPIE 9957, Wide Bandgap Power Devices and Applications 995703-1 - 995703-9 2016年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI： 10.1117/12.2240471
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Degradation of a sintered Cu nanoparticle layer studied by synchrotron radiation computed laminography 査読あり 国際誌
Masanori Usui, Hidehiko Kimura, Toshikazu Satoh, Takashi Asada, Satoshi Yamaguchi, Masashi Kato
Microelectronics Reliability 63 152 - 158 2016年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improved performance of InGaN/GaN multilayer solar cells with an atomic-layer-deposited Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌
M. Miyoshi, T. Kabata, T. Tsutsumi, T. Mori, M. Kato, T. Egawa
Electronics Letters 52 ( 14 ) 1246 - 1248 2016年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology
DOI： 10.1049/el.2016.1574
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Development of a microwave photoconductance measurement technique for the study of carrier dynamics in highly-excited 4H-SiC 査読あり
L Subačius, K Jarašiūnas, P Ščajev, M Kato
Measurement Science and Technology 26 125014-1 - 125014-8 2015年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Spectral response, carrier lifetime, and photocurrents of SiC photocathodes 査読あり
Masashi Kato, Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Japanese Journal of Applied Physics 55 01AC02-1 - 01AC02-4 2015年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Naoto Ichikawa, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
Applied Physics Express 8 091301-1 - 091301-3 2015年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier lifetime measurements on various crystal faces of rutile TiO2 single crystals 査読あり
Masashi Kato, Kimihiro Kohama,Yoshihito Ichikawa,Masaya Ichimura
MaterialsLetters 160 397 - 399 2015年08月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Microwave reflectivity from 4H-SiC under a high-injection condition: impacts of electron–hole scattering 査読あり
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 4S ) 04DP14-1 - 04DP14-4 2015年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Surface recombination velocities for n-type 4H-SiC treated by various processes 査読あり
Yuto Mori, Masashi Kato, Masaya Ichimura
J. Phys. D: Appl. Phys. 47 335102-1 - 335102-5 2014年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Howling reduction by analog phase-locked loop and active noise control circuits 査読あり
Manami Kubo, Junki Taniguchi, Masashi Kato
Applied Acoustics 87 174 - 182 2014年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of deep levels and their hole capture behavior in p-type 4H-SiC epilayers with and without electron irradiation 査読あり
Masashi Kato, Kazuki Yoshihara, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Japanese Journal of Applied Physics 53 04EP09 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Epitaxial p-type SiC as a self-driven photocathode for water splitting 査読あり
Masashi Kato, Tomonari Yasuda, Keiko Miyake, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama
International Journal of Hydrogen Energy 39 4845 - 4849 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Impact of carrier lifetime on efficiency of photolytic hydrogen generation by p-type SiC 査読あり
Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Materials Science Forum 778-780 503 - 506 2014年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Estimation of surface recombination velocities for n-type 4H-SiC surfaces treated by various processes 査読あり
Yuto Mori, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 778-780 432 - 435 2014年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Correlation between Microwave Reflectivity and Excess Carrier Concentrations in 4H-SiC 査読あり
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 778-780 293 - 296 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Identification of structures of the deep levels in 4H-SiC 査読あり
Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima
Materials Science Forum 778-780 277 - 280 2014年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Efficiency of a solar cell with intermediate energy levels: An example study on hydrogen implanted Si solar cells 査読あり
Masaya Ichimura, Hiromu Sakakibara, Koji Wada, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 114 ( 11 ) 114505-1 - 114505-6 2013年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.4821286
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Excess carrier lifetime and strain distributions in a 3C-SiC wafer grown on an undulant Si substrate 査読あり
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura, Hiroyuki Nagasawa
Physica Status Solidi A 210 ( 9 ) 1719 - 1725 2013年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Performance Improvement of the Analog ANC Circuit for a Duct by Insertion of an All-Pass Filter 査読あり
Tatsuki HYODO,Gaku ASAKURA,Kiwamu TSUKADA,Masashi KATO
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences E96-A ( 4 ) 824 - 825 2013年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Leakage Current Suppression Using Passivation of Defect by Anodic Oxidation for 4H-SiC Schottky Contacts 査読あり
Masashi Kato, Masaya Kimura, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 52 04CP02-1 - 04CP02-5 2013年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Solar-to-hydrogen conversion efficiency of water photolysis with epitaxially grown p-type SiC 査読あり
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama
Materials Science Forum 740-742 859 - 862 2013年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 査読あり
Kazuki YOSHIHARA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA, Takeshi OHSHIMA
Materials Science Forum 740-742 373 - 376 2013年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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構築型スライドの事前提供と学生指名によるインタラクティブ授業の試み 査読あり
加藤正史
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 132 ( 12 ) 1120 - 1121 2012年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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アンケート調査に基づく高校生を対象とした啓発活動に関する一検討 査読あり
平田晃正,加藤正史,江龍修,丸田章博
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 132 ( 12 ) 1124 - 1125 2012年12月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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卒業研究記録ノートの導入による卒業研究実施状況および達成度の把握 査読あり
加藤正史,江龍修,大原繁男
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 132 ( 12 ) 1122 - 1123 2012年12月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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SiC photoelectrodes for a self-driven water-splitting cell 査読あり
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama
APPLIED PHYSICS LETTERS 101 053902-1 - 053902-3 2012年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.4740079
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Characterization of Photoelectrochemical Properties of SiC as a Water Splitting Material 査読あり
Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 717-720 585 - 588 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Carrier Diffusivity in Highly Excited Bulk SiC, GaN, and Diamond Crystals by Optical Probes 査読あり
K. Jarašiūnas, P. Ščajev, T. Malinauskas, M. Kato, E. Ivakin, M. Nesladek, K. Haenen, Ü. Özgür, H. Morkoç
Materials Science Forum 717-720 309 - 312 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Correlation between Strain and Excess Carrier Lifetime in a 3C-SiC Wafer 査読あり
Atsushi Yoshida, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 717-720 305 - 308 2012年05月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation 査読あり
Masashi Kato, Yoshinori Matsushita, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 2 ) 028006 2012年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Estimation of Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC Epilayers 査読あり
Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 2 ) 02BP12-1 - 02BP12-6 2012年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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On applicability of time-resolved optical techniques for characterization of differently grown 3C-SiC crystals and heterostructures 査読あり
P. Ščajev, P. Onufrijevs, G. Manolis, M. Karaliūnas, S. Nargelas, N. Jegenyes, J. Lorenzzi, G. Ferro, M. Beshkova, R. Vasiliauskas, M. Syväjärvi, R. Yakimova, M. Kato, and K. Jarašiūnas
Materials Science Forum 711 159 - 163 2012年01月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Active Noise Control in a Duct by an Analog Neural Network Circuit 査読あり
Masashi Kato
Applied Acoustics 72 ( 10 ) 732 - 736 2011年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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A diffraction-based technique for determination of interband absorption coefficients in bulk 3C-, 4H- and 6H-SiC crystals 査読あり
Patrik Scajev, Masashi Kato, and Kestutis Jarasiunas
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS 44 365402-1 - 365402-8 2011年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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電気電子工学系大学生の入学動機の時系列変化および大学間における相違の調査 査読あり
加藤 正史,平田 晃正,大原 繁男,江龍 修,丸田 章博
電気学会論文誌A 131 ( 8 ) 635 - 636 2011年08月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Comparative studies of carrier dynamics in 3C-SiC layers grown on Si and 4H-SiC substrates 査読あり
P. Ščajev, J. Hassan, K. Jarašiūnas, M. Kato, A. Henry, J. P. Bergman
Journal of Electronic Materials 40 ( 4 ) 394 - 399 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrical parameters of bulk 3C-SiC crystals determined by Hall effect, magnetoresistivity, and contactless time-resolved optical techniques 査読あり
P. Ščajev, A. Mekys, P. Malinovskis, J. Storasta, M. Kato, K. Jarašiūnas
Materials Science Forum 679-680 157 - 160 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Improvement of Schottky contact characteristics by anodic oxidation of 4H-SiC 査読あり
Masaya Kimura, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 679-680 461 - 464 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Observation of Defects that Reduce Schottky Barrier Height in 4H-SiC Schottky Contacts Using Electrochemical Deposition of ZnO 査読あり
Masashi Kato, Hidenori Ono, Masaya Ichimura, Gan Feng, Tsunenobu Kimoto
Japanese Journal of Applied Physics 50 ( 3 ) 036603-1 - 036603-4 2011年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Internal Stresses in Free-Standing 3C-SiC Grown on Si and Their Relation to Carrier Lifetime 査読あり
V. Grivickas, G. Manolis, K. Gulbinas, J. Linnros, M. Kato
AIP Conf. Proc. 1292 91 - 94 2010年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Deep levels affecting the resistivity in semi-insulating 6H–SiC 査読あり
M. Kato (加藤正史), K. Kito (鬼頭孝輔), and M. Ichimura (市村正也)
Journal of Applied Physics 108 ( 5 ) 053718 2010年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.3481095
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Correlation between Schottky contact characteristics and regions with a low barrier height revealed by the electrochemical deposition on 4H-SiC 査読あり
M. Kato, H. Ono and M. Ichimura
Materials Science Forum 645-648 669 - 672 2010年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method 査読あり
Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA and Takeshi OHSHIMA
Materials Science Forum 645-648 207 - 210 2010年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Nonequilibrium carrier recombination in highly excited bulk SiC crystals 査読あり
K. Jarašiūnas, P. Ščajev, V. Gudelis, P. B. Klein, and M. Kato
Materials Science Forum 645-648 215 - 218 2010年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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学習・教育目標を利用した要素別GPA分析による学修指導の試み 査読あり
大原繁男、森田良文、平田晃正、加藤正史、江龍修
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 130 ( 1 ) 123 - 124 2010年01月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess carrier recombination lifetime of bulk n-type 3C-SiC 査読あり
Vytautas Grivickas, Georgios Manolis, Karolis Gulbinas, Kestutis Jarašiūnas, Masashi KATO
APPLIED PHYSICS LETTERS 95 242110 2009年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Annealing Study of the electrochemically Deposited InSxOy Thin Film and Its Photovoltaic Application 査読あり
Ashraf M. Abdel HALEEM, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA
IEICE TRANS. ELECTRON. E92C ( 12 ) 1464 - 1469 2009年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Delineation of Defects Reducing Schottky Barrier Heights on 4H-SiC by the Electrochemical Deposition 査読あり
Masashi KATO, Kazuya OGAWA, Masaya ICHIMURA
Materials Science Forum 600-603 373 - 376 2009年04月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Characterization of Deep Levels in High-Resistive 6H-SiC by Current Deep Level Transient Spectroscopy 査読あり
Masashi KATO, Kosuke KITO, Masaya ICHIMURA
Materials Science Forum 615-617 381 - 384 2009年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of plasma etching damage on p-type GaN using Schottky diodes 査読あり
Masashi KATO, Kazuki MIKAMO, Masaya ICHIMURA, Masakazu KANECHIKA, Osamu ISHIGURO, Tetsu KACHI
Journal of Applied Physics 103 93701 2008年05月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of Regions with Low Schottky Barrier Height in 4H-SiC by the Electrochemical Deposition
Masashi KATO, Hidenori ONO, Kazuya OGAWA, Masaya ICHIMURA
Technical Digest of 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 357 - 361 2008年04月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Low-Power Switched Current Memory Cell with CMOS-type Configuration 査読あり
Masashi KATO, Nobuyuki TERADA, Hirofumi OHATA, Eisuke ARAI
IEICE Transaction on Electronics E91C ( 1 ) 120 - 121 2008年01月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of Inhomogeneity of Schottky Barrier Height on 4H-SiC Using the Electrochemical Deposition 査読あり
Masashi Kato, Kazuya Ogawa, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 41 ) L997–L999 2007年10月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime in a Bulk p-type 4H-SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Masashi KATO, Masahiko KAWAI, Tatsuhiro MORI, Masaya ICHIMURA, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIZUME
Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 8 ) 5057 - 5061 2007年08月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes 査読あり
Masashi KATO, Kazuki MIKAMO, Masaya ICHIMURA, Masakazu KANECHIKA, Osamu ISHIGURO, Tetsu KACHI
Technical Digest of 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2007年06月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements 査読あり
Masashi KATO, Keisuke FUKUSHIMA, Masaya ICHIMURA, Masakazu KANECHIKA, Osamu ISHIGURO, Tetsu KACHI
Technical Digest of 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2007年06月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Excess Carrier Lifetimes in a Bulk p-type SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Masahiko KAWAI, Tatsuhiro MORI, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIZUME
Materials Science Forum 556-557 2007年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Measurement for Plasma-Etched GaN by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Hideki Watanabe, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai, Masakazu Kanechika, Osamu Ishiguro, Tetsu Kachi
Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 1 ) 35 - 39 2007年01月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Optical cross sections of deep levels in 4H-SiC 査読あり
M. KATO, S. TANAKA, M. ICHIMURA, E. ARAI, S. NAKAMURA, T. KIMOTO, R. PAESSLER
Journal of Applied Physics 100 53708 2006年09月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Measurement of Bulk SiC Wafers and Its Relationship with Structural Defect Distribution 査読あり
Tatsuhiro MORI, Masashi KATO, Hideki WATANABE, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIZUME
Japanese Journal of Applied Physics 44 8333 - 8339 2005年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Measurements for GaN on Sapphire Substrates with Various Doping Concentrations and Surface Conditions by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Masashi Kato, Hideki Watanabe, Masaya Ichimura, and Eisuke Arai
Proceedings of Materials Research Society 831 E3.3.107 - 111 2005年04月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy Study for Deep Levels in 4H-SiC Epilayer Grown by Cold Wall Chemical Vapor Deposition 査読あり
Masashi KATO, Shoichi TANAKA, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shun-ichi NAKAMURA, Tsunenobu KIMOTO
Materials Science Forum 483-485 381 - 384 2005年01月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Mapping for Bulk SiC Wafers by Microwave Photoconductivity Decay Method and Its Relationship with Structural Defect Distribution 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIDUME
Materials Science Forum 457-460 505 - 508 2004年06月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical oxidation and etching of 6H-SiC
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Recent Res. Devel. Electrochem. 7 45 - 70 2004年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of deep levels in 6H-SiC by optical-capacitance-transient spectroscopy 査読あり
Yohei NAKAKURA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA, Shigehiro NISHINO
Journal of Applied Physics 94 ( 5 ) 3233 - 3238 2003年09月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep Level Characterization and its Passivation in 3C-SiC Monitored by Capacitance Transient Methods
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA
Defect and Diffusion Forum 218-220 2003年08月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical Etching of 6H-SiC Using Aqueous KOH Solutions with Low Surface Roughness 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Perumalsamy RAMASAMY
Japanese Journal of Applied Physics 42 ( 7A ) 4233 - 4236 2003年07月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical etching of n-type 6H-SiC using aqueous KOH solutions 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Perumalsamy RAMASAMY
Materials Science Forum 433-436 665 - 668 2003年07月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Etch pit observation for 6H-SiC by electrochemical etching using an Aqueous KOH solution 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Perumalsamy RAMASAMY
Journal of Electrochemical Society 150 C208 2003年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep center passivation in 3C-SiC by hydrogen plasma with a grid for damage suppression 査読あり
Masashi KATO, Fumitaka SOBUE, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Noboru YAMADA, Yutaka TOKUDA, Tsugunori OKUMURA
Solid-State Electronics 46 2099 2002年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of deep levels in 3C-SiC by optical-capacitance-transient spectroscopy 査読あり
Yohei NAKAKURA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA
Proceedings of Materials Research Society Symposium 719 167 2002年10月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Deep level study in epitaxial 4H-SiC grown on substrates inclined toward <1100> 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shigehiro NISHINO
Proceedings of Materials Research Society Symposium 719 457 2002年10月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Characteristics of Schottky diodes on 6H-SiC surfaces after sacrificial anodic oxidation 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Materials Science Forum 389-393 933 2002年01月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Sacrificial Anodic Oxidation of 6H-SiC 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Japanese Journal of Applied Physics 40 L1145 2001年11月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep Level Study in Heteroepitaxial 3C-SiC Grown on Si by Hexamethyldisilane 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yasuichi MASUDA, Yi CHEN, Shigehiro NISHINO, Yutaka TOKUDA
Japanese Journal of Applied Physics 40 4943 2001年08月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Passivation of Deep Levels in 3C-SiC on Si by a Hydrogen Plasma Treatment 査読あり
Masashi KATO, Fumitaka SOBUE, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Noboru YAMADA, Yutaka TOKUDA, Tsugunori OKUMURA
Japanese Journal of Applied Physics 40 2983 2001年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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DLTS study of 3C-SiC grown on Si using hexamethyldisilane 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yasuichi MASUDA, Yi CHEN, Shigehiro NISHINI, Yutaka TOKUDA
Proceedings of Materials Research Society Symposium 622 T - 4.3 2000年10月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Search for midgap levels in 3C-SiC grown on Si substrates 査読あり
Noboru YAMADA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA
Japanese Journal of Applied Physics 38 L1094 1999年10月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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