論文 - 加藤　正史

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  • 4H-SiC Auger recombination coefficient under the high injection condition 査読あり 国際誌

    Kazuhiro Tanaka, Keisuke Nagaya, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   62   SC1017-1 - SC1017-4   2023年01月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   出版者・発行元：IOP Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acaca8

    DOI： 10.35848/1347-4065/acaca8

  • Vascular endothelium as a target tissue for short-term exposure to low-frequency noise that increases cutaneous blood flow 査読あり 国際誌

    Yuqi Deng, Nobutaka Ohgami, Takumi Kagawa, Fitri Kurniasari, Dijie Chen, Masashi Kato, Akira Tazaki, Masayo Aoki, Hiroki Katsuta, Keming Tong, Yishuo Gu, Masashi Kato

    Science of The Total Environment   851 ( 1 )   158828   2022年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.scitotenv.2022.158828

    DOI： 10.1016/j.scitotenv.2022.158828

  • Surface recombination velocities for the (100) and (001) crystal faces of bismuth vanadate single crystals 査読あり 国際誌

    Endong Zhang, Masashi Kato

    Journal of Physics D: Applied Physics   56   025103-1 - 025103-5   2022年12月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1088/1361-6463/aca6f7

    DOI： 10.1088/1361-6463/aca6f7

  • Mechanochemical Synthesis of Cesium Titanium Halide Perovskites Cs2TiBr6-xIx (x = 0, 2, 4, 6) 査読あり 国際共著 国際誌

    Christian Kupfer, Jack Elia, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec

    Crystal Research Technology   2200150-1 - 2200150-6   2022年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/crat.202200150

    DOI： 10.1002/crat.202200150

  • Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada

    Scientific Reports   12   18790   2022年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/s41598-022-23691-y

    DOI： 10.1038/s41598-022-23691-y

    その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-022-23691-y

  • Trapping effects and surface/interface recombination of carrier recombination in single- or poly-crystalline metal halide perovskites 査読あり 国際共著 国際誌

    Ntumba Lobo, Takuya Kawane, Gebhard Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Levchuk Ievgen, Christoph Brabec, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Masashi Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   2022年11月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/aca05b

    DOI： 10.35848/1347-4065/aca05b

  • Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation 査読あり 国際誌

    Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato

    Materials Science in Semiconductor Processing   153   107126-1 - 107126-5   2022年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mssp.2022.107126

  • Metal Organic Frameworks as Synthetic Precursors for SILAR: A Tale of Two Oxides 査読あり 国際共著 国際誌

    Noseung Myung, Kongshik Rho, Eun Bee Shon, Tae Wan Park, Soo Yeon Kim, Masashi Kato, Krishnan Rajeshwar

    ECS Journal of Solid State Science and Technology   11   093007   2022年09月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1149/2162-8777/ac8fb3

  • Estimation of surface recombination velocities and bulk carrier lifetime for SrTiO3 using angle-lapped structures 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Yosuke Kato

    Chemical Physics Letters   805   139955-1 - 139955-3   2022年08月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1016/j.cplett.2022.139955

  • Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation 査読あり 国際誌

    Shunta Harada, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato

    Scientific Reports   12   13542   2022年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/s41598-022-17060-y

  • Relationship of carbon concentration and slow decays of photoluminescence in homoepitaxial n-type GaN layers 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

    Japanese Journal of Applied Physics   61   078004-1 - 078004-4   2022年07月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac79ec

  • Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Jing Di, Yutaro Ohkouchi, Taisuke Mizuno, Masaya Ichimura, Kazutoshi Kojima

    Materials Today Communications   31   103648-1 - 103648-3   2022年05月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mtcomm.2022.103648

  • Characterization of Defect Structure in Epilayer Grown on On‑Axis SiC by Synchrotron X‑ray Topography 査読あり 国際誌

    Kotaro Ishiji, Masashi Kato, Ryuichi Sugie

    Journal of Electronic Materials   51   1541 - 1547   2022年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1007/s11664-021-09423-4

  • Depth Distribution of Defects in SiC PiN Diodes FormedUsing Ion Implantation or Epitaxial Growth 査読あり 国際誌

    Shuhei Fukaya,Yoshiyuki Yonezawa,Tomohisa Kato,Masashi Kato

    Physica Status Solidi B   2100419-1 - 2100419-6   2021年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley-VCH GmbH  

    DOI： 10.1002/pssb.202100419

  • Deep levels related to the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC 査読あり 国際共著 国際誌

    Hiroki Nakane, Masashi Kato, Yutaro Ohkouchi, Xuan Thang Trinh, Ivan G. Ivanov, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son

    Journal of Applied Physics   130   065703   2021年08月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0059953

  • Durable and efficient photoelectrochemical water splitting using TiO2 and 3C–SiC single crystals in a tandem structure 査読あり 国際誌

    Endong Zhang, Zhenhang Liu, Masashi Kato

    Solar Energy Materials and Solar Cells   230 ( 15 )   111260   2021年06月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2021.111260

  • Carrier recombination in SrTiO3 single crystals: impacts of crystal faces and Nb doping 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Takaya Ozawa, Yoshihito Ichikawa

    Journal of Physics D: Applied Physics   54 ( 34 )   345106   2021年06月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Science  

    DOI： 10.1088/1361-6463/ac073e

  • Flexible Photocatalytic Electrode Using Graphene, Non-noble Metal, and Organic Semiconductors for Hydrogen Evolution Reaction 査読あり 国際共著 国際誌

    Kohei Kondo, Yusuke Watanabe, Junya Kuno, Yosuke Ishii, Shinji Kawasaki, Masashi Kato, Golap Kalita, Yoshiyuki Hattori, Oleksandr Mashkov, Mykhailo Sytnyk, Wolfgang Heiss

    Energy Technology   9 ( 8 )   2100123   2021年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/ente.202100123

  • Contribution of the carbon-originated hole trap to slow decays of photoluminescence and photoconductivity in homoepitaxial n-type GaN layers 査読あり 国際誌

    Masashi Kato, Takato Asada, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

    Journal of Applied Physics   129 ( 11 )   115701   2021年03月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0041287

    その他リンク： https://doi.org/10.1063/5.0041287

  • Nondestructive measurements of depth distribution of carrier lifetimes in 4H-SiC thick epitaxial layers using time-resolved free carrier absorption with intersectional lights 査読あり 国際誌

    Takashi Hirayama, Keisuke Nagaya, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Hajime Okumura, Masashi Kato

    Review of Scientific Instruments   91 ( 12 )   123902   2020年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing LLC  

    DOI： 10.1063/5.0018080

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