論文 - 加藤 正史
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment 査読あり 国際誌
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa and Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 64 051003-1 - 051003-5 2025年05月
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Investigating surface recombination velocity and bulk carrier lifetime in lithium tantalate using micro-photoconductance decay techniques 査読あり 国際誌
Ntumba Lobo, Liu Huan Xiu, Endong Zhang, Masashi Kato
Chemical Physics Letters 869 142061-1 - 142061-6 2025年03月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of point defect and carrier lifetime distributions in hydrogen or helium ion implanted SiC PiN diodes for suppression of bipolar degradation 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada
Japanese Journal of Applied Physics 64 010901-1 - 010901-4 2025年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Controlled Domain in 3C-SiC Epitaxial Growth on Off-Oriented 4H-SiC Substrates for Improvement of Photocathode Performance 査読あり 国際誌
Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato
ECS Journal of Solid State Science and Technology 13 125002-1 - 125002-5 2024年12月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: Impact of CoOx cocatalyst loading 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 136 205303-1 - 205303-5 2024年11月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation 査読あり 国際誌
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
Applied Physics Express 17 086503-1 - 086503-4 2024年08月
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Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications 査読あり 国際共著 国際誌
Endong Zhang, Christoph J Brabec, Masashi Kato
Journal of Physics D: Applied Physics 57 305104-1 - 305104-7 2024年05月
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Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV 査読あり 国際共著 国際誌
Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Koji Nakayama, Ulrike Grossner
Materials Science in Semiconductor Processing 179 108461-1 - 108461-8 2024年05月
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Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts 査読あり 国際誌
Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 4 ) 04SP71-1 - 04SP71-6 2024年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Materials Science in Semiconductor Processing 175 108264-1 - 108264-5 2024年02月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Mitigation of carrier trapping effects on carrier lifetime measurements with continuous-wave laser illumination for Pb-based metal halide perovskite materials 査読あり 国際共著 国際誌
Ntumba Lobo, Gebhard J. Matt, Andres Osvet, Shreetu Shrestha, Andrii Kanak, Petro Fochuk, Christoph J. Brabec, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 074905-1 - 074905-7 2024年02月
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Effect of dislocations on carrier recombination and photoelectrochemical activity in polished and unpolished TiO2 and SrTiO3 crystals 査読あり 国際誌
Endong Zhang, Mingxin Zhang, Masashi Kato
Journal of Applied Physics 135 045102-1 - 045102-9 2024年01月
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
Japanese Journal of Applied Physics 63 020804-1 - 020804-6 2024年01月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier recombination in highly Al doped 4H-SiC: dependence on the injection conditions 査読あり 国際誌
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 63 011002-1 - 011002-5 2024年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Unravelling material properties of halide perovskites by combined microwave photoconductivity and time-resolved photoluminescence spectroscopy 査読あり 国際共著 国際誌
Christian Kupfer, Vincent M. Le Corre, Chaohui Li, Larry Luer, Karen Forberich, Masashi Kato, Andres Osvet, Christoph J. Brabec
Journal of Materials Chemistry C 2023年12月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1039/d3tc03867j
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Surface recombination velocities for 4H–SiC: Dependence of excited carrier concentration and surface passivation 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Ayato Ogawa, Lei Han, Tomohisa Kato
Materials Science in Semiconductor Processing 170 107980-1 - 107980-5 2023年11月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Analysis of carrier recombination coefficients of 3C-and 6H-SiC: Insights into recombination mechanisms in stacking faults of 4H-SiC 査読あり 国際誌
Kazuhiro Tanaka, Masashi Kato
AIP Advances 13 085220 2023年08月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/5.0157696
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Development of an angle detection system for channeling implantation to the c-axis of SiC using birefringence phenomenon 査読あり 国際誌
Masashi Kato, Takumi Maruhashi, Hisaya Sato, Yoshiyuki Yonezawa
Japanese Journal of Applied Physics 62 068003-1 - 068003-3 2023年06月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation 査読あり 国際誌
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Toshiki Mii, Masashi Kato
Applied Physics Express 16 021001-1 - 021001-4 2023年02月
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Effects of ion implantation process on defect distribution in SiC SJ-MOSFET 査読あり 国際誌
Takuya Fukui, Tatsuya Ishii, Takeshi Tawara, Kensuke Takenaka, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 62 016508-1 - 016508-6 2023年01月
担当区分：最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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