論文 - 加藤 正史
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Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes 査読あり
Masashi KATO, Kazuki MIKAMO, Masaya ICHIMURA, Masakazu KANECHIKA, Osamu ISHIGURO, Tetsu KACHI
Technical Digest of 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2007年06月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements 査読あり
Masashi KATO, Keisuke FUKUSHIMA, Masaya ICHIMURA, Masakazu KANECHIKA, Osamu ISHIGURO, Tetsu KACHI
Technical Digest of 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2007年06月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Excess Carrier Lifetimes in a Bulk p-type SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Masahiko KAWAI, Tatsuhiro MORI, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIZUME
Materials Science Forum 556-557 2007年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Measurement for Plasma-Etched GaN by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Hideki Watanabe, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Eisuke Arai, Masakazu Kanechika, Osamu Ishiguro, Tetsu Kachi
Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 1 ) 35 - 39 2007年01月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Optical cross sections of deep levels in 4H-SiC 査読あり
M. KATO, S. TANAKA, M. ICHIMURA, E. ARAI, S. NAKAMURA, T. KIMOTO, R. PAESSLER
Journal of Applied Physics 100 53708 2006年09月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Measurement of Bulk SiC Wafers and Its Relationship with Structural Defect Distribution 査読あり
Tatsuhiro MORI, Masashi KATO, Hideki WATANABE, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIZUME
Japanese Journal of Applied Physics 44 8333 - 8339 2005年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Measurements for GaN on Sapphire Substrates with Various Doping Concentrations and Surface Conditions by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Masashi Kato, Hideki Watanabe, Masaya Ichimura, and Eisuke Arai
Proceedings of Materials Research Society 831 E3.3.107 - 111 2005年04月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy Study for Deep Levels in 4H-SiC Epilayer Grown by Cold Wall Chemical Vapor Deposition 査読あり
Masashi KATO, Shoichi TANAKA, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shun-ichi NAKAMURA, Tsunenobu KIMOTO
Materials Science Forum 483-485 381 - 384 2005年01月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime Mapping for Bulk SiC Wafers by Microwave Photoconductivity Decay Method and Its Relationship with Structural Defect Distribution 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIDUME
Materials Science Forum 457-460 505 - 508 2004年06月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical oxidation and etching of 6H-SiC
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Recent Res. Devel. Electrochem. 7 45 - 70 2004年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of deep levels in 6H-SiC by optical-capacitance-transient spectroscopy 査読あり
Yohei NAKAKURA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA, Shigehiro NISHINO
Journal of Applied Physics 94 ( 5 ) 3233 - 3238 2003年09月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep Level Characterization and its Passivation in 3C-SiC Monitored by Capacitance Transient Methods
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA
Defect and Diffusion Forum 218-220 2003年08月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical Etching of 6H-SiC Using Aqueous KOH Solutions with Low Surface Roughness 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Perumalsamy RAMASAMY
Japanese Journal of Applied Physics 42 ( 7A ) 4233 - 4236 2003年07月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrochemical etching of n-type 6H-SiC using aqueous KOH solutions 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Perumalsamy RAMASAMY
Materials Science Forum 433-436 665 - 668 2003年07月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Etch pit observation for 6H-SiC by electrochemical etching using an Aqueous KOH solution 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Perumalsamy RAMASAMY
Journal of Electrochemical Society 150 C208 2003年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Deep center passivation in 3C-SiC by hydrogen plasma with a grid for damage suppression 査読あり
Masashi KATO, Fumitaka SOBUE, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Noboru YAMADA, Yutaka TOKUDA, Tsugunori OKUMURA
Solid-State Electronics 46 2099 2002年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of deep levels in 3C-SiC by optical-capacitance-transient spectroscopy 査読あり
Yohei NAKAKURA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Yutaka TOKUDA
Proceedings of Materials Research Society Symposium 719 167 2002年10月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Deep level study in epitaxial 4H-SiC grown on substrates inclined toward <1100> 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI, Shigehiro NISHINO
Proceedings of Materials Research Society Symposium 719 457 2002年10月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Characteristics of Schottky diodes on 6H-SiC surfaces after sacrificial anodic oxidation 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Materials Science Forum 389-393 933 2002年01月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Sacrificial Anodic Oxidation of 6H-SiC 査読あり
Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Eisuke ARAI
Japanese Journal of Applied Physics 40 L1145 2001年11月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
