論文 - 加藤 正史
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電気電子工学系大学生の入学動機の時系列変化および大学間における相違の調査 査読あり
加藤 正史,平田 晃正,大原 繁男,江龍 修,丸田 章博
電気学会論文誌A 131 ( 8 ) 635 - 636 2011年08月
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Comparative studies of carrier dynamics in 3C-SiC layers grown on Si and 4H-SiC substrates 査読あり
P. Ščajev, J. Hassan, K. Jarašiūnas, M. Kato, A. Henry, J. P. Bergman
Journal of Electronic Materials 40 ( 4 ) 394 - 399 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Electrical parameters of bulk 3C-SiC crystals determined by Hall effect, magnetoresistivity, and contactless time-resolved optical techniques 査読あり
P. Ščajev, A. Mekys, P. Malinovskis, J. Storasta, M. Kato, K. Jarašiūnas
Materials Science Forum 679-680 157 - 160 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Improvement of Schottky contact characteristics by anodic oxidation of 4H-SiC 査読あり
Masaya Kimura, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 679-680 461 - 464 2011年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Observation of Defects that Reduce Schottky Barrier Height in 4H-SiC Schottky Contacts Using Electrochemical Deposition of ZnO 査読あり
Masashi Kato, Hidenori Ono, Masaya Ichimura, Gan Feng, Tsunenobu Kimoto
Japanese Journal of Applied Physics 50 ( 3 ) 036603-1 - 036603-4 2011年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Internal Stresses in Free-Standing 3C-SiC Grown on Si and Their Relation to Carrier Lifetime 査読あり
V. Grivickas, G. Manolis, K. Gulbinas, J. Linnros, M. Kato
AIP Conf. Proc. 1292 91 - 94 2010年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Deep levels affecting the resistivity in semi-insulating 6H–SiC 査読あり
M. Kato (加藤正史), K. Kito (鬼頭孝輔), and M. Ichimura (市村正也)
Journal of Applied Physics 108 ( 5 ) 053718 2010年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.3481095
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Correlation between Schottky contact characteristics and regions with a low barrier height revealed by the electrochemical deposition on 4H-SiC 査読あり
M. Kato, H. Ono and M. Ichimura
Materials Science Forum 645-648 669 - 672 2010年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method 査読あり
Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA and Takeshi OHSHIMA
Materials Science Forum 645-648 207 - 210 2010年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Nonequilibrium carrier recombination in highly excited bulk SiC crystals 査読あり
K. Jarašiūnas, P. Ščajev, V. Gudelis, P. B. Klein, and M. Kato
Materials Science Forum 645-648 215 - 218 2010年04月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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学習・教育目標を利用した要素別GPA分析による学修指導の試み 査読あり
大原繁男、森田良文、平田晃正、加藤正史、江龍修
電気学会論文誌Ａ 基礎・材料・共通部門誌 130 ( 1 ) 123 - 124 2010年01月
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess carrier recombination lifetime of bulk n-type 3C-SiC 査読あり
Vytautas Grivickas, Georgios Manolis, Karolis Gulbinas, Kestutis Jarašiūnas, Masashi KATO
APPLIED PHYSICS LETTERS 95 242110 2009年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Annealing Study of the electrochemically Deposited InSxOy Thin Film and Its Photovoltaic Application 査読あり
Ashraf M. Abdel HALEEM, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA
IEICE TRANS. ELECTRON. E92C ( 12 ) 1464 - 1469 2009年12月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Delineation of Defects Reducing Schottky Barrier Heights on 4H-SiC by the Electrochemical Deposition 査読あり
Masashi KATO, Kazuya OGAWA, Masaya ICHIMURA
Materials Science Forum 600-603 373 - 376 2009年04月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Characterization of Deep Levels in High-Resistive 6H-SiC by Current Deep Level Transient Spectroscopy 査読あり
Masashi KATO, Kosuke KITO, Masaya ICHIMURA
Materials Science Forum 615-617 381 - 384 2009年04月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Characterization of plasma etching damage on p-type GaN using Schottky diodes 査読あり
Masashi KATO, Kazuki MIKAMO, Masaya ICHIMURA, Masakazu KANECHIKA, Osamu ISHIGURO, Tetsu KACHI
Journal of Applied Physics 103 93701 2008年05月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of Regions with Low Schottky Barrier Height in 4H-SiC by the Electrochemical Deposition
Masashi KATO, Hidenori ONO, Kazuya OGAWA, Masaya ICHIMURA
Technical Digest of 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 357 - 361 2008年04月
掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
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Low-Power Switched Current Memory Cell with CMOS-type Configuration 査読あり
Masashi KATO, Nobuyuki TERADA, Hirofumi OHATA, Eisuke ARAI
IEICE Transaction on Electronics E91C ( 1 ) 120 - 121 2008年01月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of Inhomogeneity of Schottky Barrier Height on 4H-SiC Using the Electrochemical Deposition 査読あり
Masashi Kato, Kazuya Ogawa, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 41 ) L997–L999 2007年10月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Excess Carrier Lifetime in a Bulk p-type 4H-SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method 査読あり
Masashi KATO, Masahiko KAWAI, Tatsuhiro MORI, Masaya ICHIMURA, Shingo SUMIE, Hidehisa HASHIZUME
Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 8 ) 5057 - 5061 2007年08月
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
