論文 - 加藤 正史
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P-Type 3C-SiC Photocathode for Solar to Hydrogen Energy Conversion 招待あり 査読あり 国際誌
Masashi Kato
ECS Transactions 80 ( 4 ) 43 - 55 2017年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction 査読あり 国際誌
Naoto Ichikawa, Masaya Ichimura, Masashi Kato
International Journal of Hydrogen Energy 42 ( 36 ) 22698 - 22703 2017年09月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Effects of thermal aging on Cu nanoparticle/Bi-Sn solder hybrid bonding 査読あり 国際誌
M. Usui, T. Satoh, H. Kimura, S. Tajima, Y. Hayashi, D. Setoyama, M. Kato
Microelectronics Reliability 78 93 - 99 2017年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Risk Assessment of Neonatal Exposure to Low Frequency Noise Based on Balance in Mice 査読あり 国際誌
Nobutaka Ohgami, Reina Oshino, Hiromasa Ninomiya, Xiang Li, Masashi Kato, Ichiro Yajima, Masashi Kato
Frontiers in Behavioral Neuroscience 11 30 2017年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions 査読あり
Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
Japanese Journal of Applied Physics 56 04CR06 2017年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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The enhanced performance of 3C-SiC photocathodes for the generation of hydrogen through the use of cocatalysts 査読あり 国際誌
Naoto Ichikawa, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Applied Physics Letters 109 153904-1 - 153904-4 2016年10月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1063/1.4964825
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Evaluation of surface recombination of SiC for development of bipolar devices 招待あり 査読あり 国際誌
Masashi Kato
Proc. SPIE 9957, Wide Bandgap Power Devices and Applications 995703-1 - 995703-9 2016年09月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI： 10.1117/12.2240471
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Degradation of a sintered Cu nanoparticle layer studied by synchrotron radiation computed laminography 査読あり 国際誌
Masanori Usui, Hidehiko Kimura, Toshikazu Satoh, Takashi Asada, Satoshi Yamaguchi, Masashi Kato
Microelectronics Reliability 63 152 - 158 2016年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Improved performance of InGaN/GaN multilayer solar cells with an atomic-layer-deposited Al2O3 passivation film 査読あり 国際誌
M. Miyoshi, T. Kabata, T. Tsutsumi, T. Mori, M. Kato, T. Egawa
Electronics Letters 52 ( 14 ) 1246 - 1248 2016年06月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Institution of Engineering and Technology
DOI： 10.1049/el.2016.1574
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Development of a microwave photoconductance measurement technique for the study of carrier dynamics in highly-excited 4H-SiC 査読あり
L Subačius, K Jarašiūnas, P Ščajev, M Kato
Measurement Science and Technology 26 125014-1 - 125014-8 2015年11月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Spectral response, carrier lifetime, and photocurrents of SiC photocathodes 査読あり
Masashi Kato, Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Japanese Journal of Applied Physics 55 01AC02-1 - 01AC02-4 2015年10月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Naoto Ichikawa, Masashi Kato, and Masaya Ichimura
Applied Physics Express 8 091301-1 - 091301-3 2015年08月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Carrier lifetime measurements on various crystal faces of rutile TiO2 single crystals 査読あり
Masashi Kato, Kimihiro Kohama,Yoshihito Ichikawa,Masaya Ichimura
MaterialsLetters 160 397 - 399 2015年08月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Microwave reflectivity from 4H-SiC under a high-injection condition: impacts of electron–hole scattering 査読あり
Masashi Kato, Yuto Mori, Masaya Ichimura
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 4S ) 04DP14-1 - 04DP14-4 2015年03月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Surface recombination velocities for n-type 4H-SiC treated by various processes 査読あり
Yuto Mori, Masashi Kato, Masaya Ichimura
J. Phys. D: Appl. Phys. 47 335102-1 - 335102-5 2014年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Howling reduction by analog phase-locked loop and active noise control circuits 査読あり
Manami Kubo, Junki Taniguchi, Masashi Kato
Applied Acoustics 87 174 - 182 2014年07月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Observation of deep levels and their hole capture behavior in p-type 4H-SiC epilayers with and without electron irradiation 査読あり
Masashi Kato, Kazuki Yoshihara, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Japanese Journal of Applied Physics 53 04EP09 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Epitaxial p-type SiC as a self-driven photocathode for water splitting 査読あり
Masashi Kato, Tomonari Yasuda, Keiko Miyake, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama
International Journal of Hydrogen Energy 39 4845 - 4849 2014年02月
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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Impact of carrier lifetime on efficiency of photolytic hydrogen generation by p-type SiC 査読あり
Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima
Materials Science Forum 778-780 503 - 506 2014年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Estimation of surface recombination velocities for n-type 4H-SiC surfaces treated by various processes 査読あり
Yuto Mori, Masashi Kato, Masaya Ichimura
Materials Science Forum 778-780 432 - 435 2014年02月
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
