講演・口頭発表等 - 三好　実人

InGaN MQW太陽電池における光応答波長の広域化に関する研究

原田 紘希、森 拓磨、Dorjdagva Bilguun、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志

第65回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2018年03月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学　西早稲田キャンパス  

XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価

久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 

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開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学  

サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較

森 拓磨、 太田 美希、 原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志

電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 

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開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学  

Device design for avalanche operation of solar-blind AlGaN-based PiN type UV photodiodes 国際会議

Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017) 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Kyushu University, Japan  

Performance improvements of AlGaN deep ultraviolet light emitter via a 20-nm-thick n-AlGaN underlying layer 国際会議

Lei Li, Yuta Miyachi, Tatsuya Tsutsumi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017) 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Kyushu University, Japan  

ヘテロ界面平坦性改善による InAlN/AlGaN HFET 構造の移動度向上

細見 大樹、宮地 祐太、江川 孝志、三好 実人

先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：名古屋国際会議場  

Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface 国際会議

Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 

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開催年月日： 2017年09月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sendai International Center, Japan  

格子整合系InAlN/AlGaNヘテロ構造を用いた電界効果UVフォトトランジスタ

細見 大樹、岡田 真由子、李 磊、江川 孝志、三好 実人

第78回　応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年09月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス  

MOCVD法によるp-down構造InGaN/GaN MQW太陽電池の作製

森 拓磨、原田 紘希、三好 実人、江川 孝志

第78回　応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年09月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス  

AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の結晶評価～ヘテロ界面平坦性とAlGaN初期成長条件との関係～

細見 大樹、江川 孝志、三好 実人

第78回　応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年09月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス  

プラズマエッチング処理ならびにAl2O3-ALD成膜プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定

中島 陸、森 拓磨、細見 大樹、江川孝志、三好 実人

第78回　応用物理学会秋季学術講演会 

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開催年月日： 2017年09月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス  

Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN 2DEG heterostructures and filed-effect transistors for high power applications 国際会議

Makoto Miyoshi, Daiki Hosomi, Mayuko Okada, Riku Nakashima, Joseph J. Freedsman, Takashi Egawa

12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 

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開催年月日： 2017年07月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Strasbourg Convention Center, France  

High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films 国際会議

Lei Li, Daiki Hosomi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 

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開催年月日： 2017年07月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Strasbourg Convention Center, France  

Influence of underlying substrates on material and device properties of MOCVD-grown InGaN/GaN MQW solar cells 国際会議

Makoto Miyoshi, Miki Ohta, Takuma Mori, Takashi Egawa

12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 

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開催年月日： 2017年07月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Strasbourg Convention Center, France  

MOCVD法によって成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における成長基板の影響

太田 美希、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志

第64回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：パシフィコ横浜  

Niパターン凝集を用いて作成したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作成

有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志

第64回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：パシフィコ横浜  

ヘテロ界面平坦性改善によるInAlN/AlGaN HFET構造の移動度向上

細見 大樹, 宮地 祐太, 三好 実人, 江川 孝志

第64回　応用物理学会春季学術講演会 

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：パシフィコ横浜  

Self-forming Graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique 国際会議

Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2017) 

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開催年月日： 2017年03月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Chubu University, Japan  

MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用

森 拓磨、三好 実人、江川 孝志

電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 

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開催年月日： 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：京都大学 桂キャンパス  

Si基板上に歪層超格子を介して成長したGaN結晶内における転位反応

菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志

2016 真空・表面科学合同講演会   日本表面科学会

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋国際会議場