講演・口頭発表等 - 三好 実人
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Characterization of dislocations in GaN layer deposited on 4-inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattice 国際会議
Y. Sugawara, Y. Ishikawa, A. Watanabe, M. Miyoshi, T. Egawa
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
開催年月日： 2015年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Act City Hamamatsu, Japan
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Analysis of post-deposition annealing effects on insulator/semiconductor interface of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates 国際会議
T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
開催年月日： 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo Convention Center, Japan
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DC characteristics in nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure feld-effect transistors 国際会議
T. Tsutsumi , G. Nishino, J. J. Freedsman, M. Miyoshi, T. Egawa
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
開催年月日： 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Sapporo Convention Center, Japan
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Niパターンを用いて作製したSi基板上グラフェン膜の電気特性評価
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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透明酸化物被覆によるGaN系LEDの発光強度向上に関する研究
加畑 智基、岡田 真由子、堤 達哉、三好 実人、江川 孝志、大園 修司、本田 和宏、座間 秀昭
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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AlGaN/AlN歪層超格子を積層した4-inch Si(111)基板上に成長したGaN層中の転位観察
菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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InAlN/AlGaN HFETのパワーデバイスとしての性能予測
堤 達哉、西野 剛介、ジョセフ フリーズマン、三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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AlGaNチャネル２DEGヘテロ構造の電子移動度解析
三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-Al2O3/AlGaN界面の評価
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2015年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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Effect of n-AlGaN underlayer on the optical properties of AlxGa1-xN/ AlyGa1-yN multiple quantum wells 国際会議
L. Li, Y. Miyachi, T.Tsutsumi, M. Miyoshi, T. Egawa
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
開催年月日： 2015年08月 - 2015年09月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Beijing International Convention Center, China
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Graphene Transistors Fabricated by Transfer-free Process via Agglomeration Phenomena of Catalytic Nickel Film 国際会議
M. Mizuno, T. Egawa, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Soga
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015)
開催年月日： 2015年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University, Japan
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Improved performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes via a 20-nm-thick n-AlGaN interlayer 国際会議
L. Li, T. Tsutsumi, Y. Miyachi, Y. Akatsuka, M. Miyoshi, T. Egawa
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2015)
開催年月日： 2015年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University, Japan
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Ni凝集を利用した転写フリープロセスによるグラフェントランジスタ
水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川孝志、曽我 哲夫
第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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格子整合系InAlN/ AlGaN HEMT デバイスの試作と評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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AlGaN上にALD成膜したHfO2を用いたMIS-HEMTの電気的特性
西野 剛介、吉田 雄祐、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2015年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 湘南キャンパス
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格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 電子情報通信学会
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 吹田キャンパス
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111) 基板上グラフェン層の形成Ⅳ
水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曽我 哲夫
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学札幌キャンパス
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格子整合系InAlN/AlGaN 2DEG ヘテロ構造のMOCVD 成長と評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学札幌キャンパス
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成膜後アニールによるALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT の閾値シフト低減
吉田 雄祐、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学札幌キャンパス
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Pd/ZnO/GaN ヘテロ接合ダイオードのNOx ガス検知特性の評価
藤田 周、三好 実人、江川 孝志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2014年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学札幌キャンパス
