講演・口頭発表等 - 三好 実人
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GaInN系受光素子の自立GaN基板上への成長
藤澤 孝博、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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単結晶AlN基板上への高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製
川出 智之、田中 さくら、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第70回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス＋オンライン
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UWBG窒化物AlN系パワートランジスタの進展 招待あり
三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：日本語 会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（指名）
開催地：芝浦工業大学 大宮キャンパス＋オンライン
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Device characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs on single-srystal AlN substrate 国際会議
T. Kawaide, S. Tanaka, A. Inoue, T. Egawa, M. Miyoshi
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University, Japan 国名：日本国
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Transfer-free graphene synthesis on sapphire substrates utilizing the agglomeration phenomenon of the Ni pattern with fine structure 国際会議
Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Gifu University 国名：日本国
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Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in 300 nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template by photothermal deflection spectroscopy 国際会議
K. Noda, Y. Murakami, H. Toyoda, K. Kubo, K. Masaki, D. Imai, M. Miyoshi, T. Takeuchi and T. Miyajima
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023) 2023年03月
開催年月日： 2023年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Gifu University, Japan 国名：日本国
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名古屋工業大学における次世代半導体デバイスへの取り組み 招待あり
三好 実人
第14回 Nagoyaオープンイノベーション研究会 2023年02月 名古屋産業振興公社
開催年月日： 2023年02月
記述言語：日本語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
開催地：名古屋工業大学
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温における非輻射再結合寿命
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、 石橋 章司、上殿 明良、秩父 重英
2022年応用物理学会東北支部 第77回学術講演会 2022年12月 応用物理学会東北支部
開催年月日： 2022年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学 片平キャンパス 片平さくらホール＆オンライン 国名：日本国
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半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2022年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ウインクあいち（愛知県産業労働センター）
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GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2022年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ウインクあいち（愛知県産業労働センター）
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単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2022年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ウインクあいち（愛知県産業労働センター）
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Semipolar {11-22} AlInN epitaxial layers grown on a fully relaxed semipolar GaInN/GaN/m-plane sapphire template by MOCVD 国際会議
Takahiro Fujisawa, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)
開催年月日： 2022年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany 国名：ドイツ連邦共和国
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AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate 国際会議
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)
開催年月日： 2022年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany
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半極性{11-22}AlInN/GaInNの成長温度依存性
藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行
第83回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学 川内北キャンパス＋オンライン
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極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上 転写フリーグラフェン膜の作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第83回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東北大学 川内北キャンパス＋オンライン
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、石橋 章司、上殿 明良、秩父 重英
第83回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2022年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学 川内北キャンパス＋オンライン
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Fabrication and device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN Substrate 国際会議
Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)
開催年月日： 2022年08月 - 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hiroshima Garden Place Hotel, Hiroshima, Japan
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Carrier dynamics simulation and device design of GaN-based npn HBTs with quaternary AlGaInN emitter and GaInN base 国際会議
Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)
開催年月日： 2022年08月 - 2022年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hiroshima Garden Place Hotel, Hiroshima, Japan
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Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-HBTs with different-hole-concentration p-base layers 国際会議
Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Compound Semiconductor Week 2022 (CSW 2022)
開催年月日： 2022年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：The University of Michigan, Ann Arbor, MI, US /Hybrid format
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Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures 国際会議
L. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu
The 5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2022)
開催年月日： 2022年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Maison Glad Jeju Hotel, jeju, Korea /Hybrid format
