講演・口頭発表等 - 三好 実人
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コンタクト抵抗を改善したAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
三好 実人、Chen Heng、斉藤 早紀、井上 暁喜、江川 孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス
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転写フリーグラフェンFETの電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、高橋 明空、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：上智大学 四谷キャンパス
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第67回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2020年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 四谷キャンパス
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Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs 国際会議
M.Kobayashi, B. Dorjdagva, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)
開催年月日： 2020年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University, Japan
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AlGaNチャネルパワーHFETの進展（２）
三好 実人
第6回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
開催年月日： 2020年02月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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GaN系半導体の太陽電池応用 ～現状と課題～
三好 実人
第5回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
開催年月日： 2019年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2019年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：静岡大学 浜松キャンパス
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c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2019年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：静岡大学 浜松キャンパス
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AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング(2)
小松 祐斗、渡久地 政周、斉藤 早紀、三好 実人、佐藤 威友
第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学
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触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2
ドルジダウガ ビルグーン、小林 幹、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学
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格子緩和したGaInN テンプレート 上へのAlInN エピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価（２）
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学
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AlGaInN/AlGaN 2DEGヘテロ構造における電極金属によるコンタクト抵抗低減の検討
Chen Heng、斉藤 早紀、原田 紘希、江川 孝志、三好 実人
第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2019年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道大学
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Reduction in ohmic contact resistance for AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer 国際会議
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
開催年月日： 2019年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hotel Grand Terrace Toyama, Japan
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Characterization of potential fluctuations and optical constants in Al1-xInxN alloys grown on c-plane GaN substrate 国際会議
Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
開催年月日： 2019年07月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hyatt Regency Bellevue, WA, US
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MOCVD growth and characterization of Si-doped thick-AlInN epitaxial films 国際会議
Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nara Kasugano International Forum, Japan
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Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MIS HFET 国際会議
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nara Kasugano International Forum, Japan
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Growth and characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films with alloy compositions around lattice-matched to GaN 国際会議
Hiroki Harada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
開催年月日： 2019年05月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara Kasugano International Forum, Japan
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高効率パワーエレクトロニクス機器に向けたWBG半導体デバイス技術 ～GaNおよびAlGaNを中心として～ 招待あり
三好 実人
軽金属学会東海支部 平成31年度第1回講演会 『次世代の半導体』 軽金属学会東海支部
開催年月日： 2019年04月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋工業大学
