講演・口頭発表等 - 三好 実人

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  • MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlxGa1-xN/GaN heterostructures for high-power HEMTs on 100-mm-diameter sapphire substrates 国際会議

    M. Miyoshi, S. Arulkumaran, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda

    The 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XII) 

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    開催年月日: 2004年05月 - 2004年06月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Westin Maui, Lahaina, HI, US  

  • 100mm径サファイア上への高Al組成AlGaN/GaN HEMTの作製とその特性評価

    三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、勝川 裕幸、小田 修

    第51回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2004年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 100mm 径サファイア基板上に成長した高Al 組成AlGaN/GaN HEMT のDC 特性評価

    三好 実人、坂井 正宏、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田 修、勝川 裕幸

    電子情報通信学会 MW/ED研究会 

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    開催年月日: 2004年01月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:機械振興会館  

  • MOVPE 法による100mm 径サファイア基板上への高Al 組成AlxGa1-xN/GaN HEMT 構造の成長とその特性評価

    三好 実人、坂井 正宏、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志、田中 光浩、小田修、勝川裕幸

    電子情報通信学会 ED/LQE/CPM研究会 

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    開催年月日: 2003年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 100mm 径サファイア上AlGaN/GaN HEMT のDC 特性評価

    三好 実人、S. Arulkumaran、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志

    第64回 応用物理学会学術講演会 

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    開催年月日: 2003年09月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 100-mm-diameter AlGaN/GaN epitaxial wafers for HEMTs grown on sapphire substrates 国際会議

    M. Miyoshi, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo

    The 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2003) 

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    開催年月日: 2003年07月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Seoul, Korea  

  • Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE 国際会議

    M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo

    The 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5) 

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    開催年月日: 2003年05月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nara Kasugano International Forum, Japan  

  • MOVPE による100mm 径サファイア上AlGaN/GaN ヘテロ構造の成長

    三好 実人、石川 博康、江川 孝志、神保 孝志

    第50回 応用物理学関係連合講演会 

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    開催年月日: 2003年03月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Growth of 100 mm diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE 国際会議

    M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Tanaka, O. Oda

    The 5th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2003) 

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    開催年月日: 2003年01月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Bankoku Shinryokan Resort MICE, Okinawa, Japan  

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