講演・口頭発表等 - 三好 実人
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Effects of forming gas annealing conditions on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Study on influence of barrier layer thickness on carrier transport efficiency in MOCVD-grown InGaN MQW solar cells 国際会議
Hiroki Harada, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Fabrication of transfer-free graphene FETs with ALD-Al2O3 layers as the gate insulator 国際会議
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Photo response measurement for transfer-free multilayer graphene films prepared utilizing catalyst metal agglomeration technique 国際会議
B. Dorjdagva, M. Kobayashi, T, Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Japan
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Study on MIS interface states of ALD-Al2O3/AlGaInN/AlGaN heterostructures 国際会議
Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)
開催年月日： 2019年03月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Institute of Technology, Japan
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ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価
斉藤 早紀、細見 大樹、古岡 啓太、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動
石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Al1-xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析
今井 大地、山路 知明、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系ナノワイヤの局所構造評価 招待あり
宮嶋 孝夫、清木 良麻、近藤 剣、市川 貴登、伊奈 稔哲、新田 清文、宇留賀 朋哉、鶴田 一樹、隅谷 和嗣、今井 康彦、木村 滋、安田 伸広、三好 実人、今井 大地、竹内 哲也、上山 智
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング
小松 祐斗、植村 圭佑、細見 大樹、三好 実人、佐藤 威友
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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AlInNエピタキシャル膜のSiドーピングによる導電性制御
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価
原田 紘希, 三好 実人, 江川 孝志、竹内 哲也
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2019年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Epitaxial growth of high-quality AlInN thick films and its device applications 招待あり 国際会議
Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
SPIE Photonics West 2019
開催年月日： 2019年02月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Moscone Center, San Francisco, CA, US 国名：アメリカ合衆国
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高効率パワーエレクトロニクス機器のためのWBG半導体パワーデバイス技術と超高耐圧AlGaNトランジスタ 招待あり
三好 実人
学術討論会『将来のクルマを支える材料技術』 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部
開催年月日： 2019年01月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋大学
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Effects of forming gas anneal on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
T. Kubo, K. Furuoka, M. Miyoshi, T. Egawa
49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2018)
開催年月日： 2018年12月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA, US
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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡 啓太、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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MOCVD growth of 300-nm-thick epitaxial AlInN films on GaN/sapphire templates and free-standing GaN substrates 国際会議
Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers 国際会議
Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
