講演・口頭発表等 - 三好 実人
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Si(111)基板上に歪層超格子を介して成長したGaN薄膜内の転位構造
菅原 義弘、石川 由加里、三好 実人、江川 孝志
先進パワー半導体分科会 第3回講演会
開催年月日： 2016年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：つくば国際会議場
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AlInN/AlGaN/Si metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect-transistor with normally-off operation and high breakdown voltage 国際会議
Joseph J. Freedsman, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
The 2016 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
開催年月日： 2016年09月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw University of Technology, Poland
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MOCVD法によるInAlN多重量子井戸構造の成長
宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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MOCVD法によるInGaN/GaN MQW構造上への凹凸表面p-GaN層の形成
森 拓磨、堤 達哉、加畑 智基、三好 実人、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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フェムト秒レーザー照射によるMgドープp-GaN層の局所活性化
中島 陸、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志、谷川 達也
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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AlGaN系PiN型UVフォトダイオードのアバランシェ動作
岡田 真由子、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター
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Emission efficiency improvement of deep ultraviolet light-emitting AlGaN multiple quantum wells grown on n-AlGaN underlying layers 国際会議
L. Li, Y. Miyachi, M. Miyoshi, T. Egawa
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
開催年月日： 2016年08月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nagoya Congress Center, Japan
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Analysis of complex dislocation in GaN layer grown on 4 inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattice after epitaxial growth 国際会議
Y. Sugawara, Y. Ishikawa, A. Watanabe, M. Miyoshi, T. Egawa
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
開催年月日： 2016年08月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya Congress Center, Japan
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Selective GaN growth on 6H-SiC substrate with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures
Reina Miyagawa, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Osamu Eryu
第35回電子材料シンポジウム
開催年月日： 2016年07月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ラフォーレ琵琶湖
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SiC基板上直接GaN成長における基板のレーザー処理の影響
宮川 鈴衣奈、 宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 日本結晶成長学会
開催年月日： 2016年05月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：京都大学桂キャンパス ローム記念館
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GaN growth on SiC substrate with femtosecond–laser–induced periodic nanostructure 国際会議
Reina Miyagawa, Yu Okabe, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Osamu Eryu
2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
開催年月日： 2016年03月 - 2016年04月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Phoenix Convention Center, AZ, USA
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Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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MOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における外部量子効率のwell厚依存性
堤 達哉、加畑 智基、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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表面リセス型電極構造を用いたAlGaN系PIN型UVフォトダイオードの作製および特性評価
岡田 真由子、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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表面保護膜形成によるInGaN/GaN多重量子井戸構造太陽電池の高性能化に関する研究
加畑 智基、堤 達哉、森 拓磨、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志
第63回 応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
開催年月日： 2016年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス
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Si(111)基板上に AlGaN/AlN 歪層超格子を介して形成した GaN 層の転位解析
菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志
2015年真空・表面科学合同講演会
開催年月日： 2015年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：つくば国際会議場
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表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑 智基、堤 達哉、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪市立大学
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フェムト秒レーザー誘起ナノ周期構造SiC基板上へのGaN成長
宮川 鈴衣奈、岡部 悠、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修
先進パワー半導体分科会 第2回講演会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
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InAlN/AlGaN HFETのDC特性評価
堤 達哉、西野 剛介、ジョセフ フリーズマン、三好 実人、江川 孝志
先進パワー半導体分科会 第2回講演会
開催年月日： 2015年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：大阪国際交流センター
