講演・口頭発表等 - 三好 実人
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Effects of annealing ambient on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 国際会議
Toshiharu Kubo, Keita Furuoka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer 国際会議
Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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Study on barrier thickness dependency of carrier transport property in InGaN/GaN MQW solar cells 国際会議
Hiroki Harada, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Ishikawa Ongakudo and ANA Crowne Plaza Kanazawa, Japan
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四元混晶AlGaInNバリア層を有するAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
開催年月日： 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：京都テルサ
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AlGaNチャネルHFETの進展
三好 実人、細見 大樹
第2回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
開催年月日： 2018年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人
第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価
ドルジダウガ ビルグーン、小林 幹、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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In0.2Ga0.8N / GaN MQW 太陽電池における取り出し効率のバリア厚依存性
原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋国際会議場
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c面GaN上にエピタキシャル成長した厚膜AlInN層における混晶組成と微細構造の関係
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
第79回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日： 2018年09月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋国際会議場
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c面GaN上への高品質AlInN厚膜のMOCVD成長
三好 実人、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也
第1回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』
開催年月日： 2018年07月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋工業大学
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InGaN MQW 太陽電池における光吸収端波長の拡大に関する研究
原田 紘希，森 拓磨, Dorjdagva Bilguun, 加藤 慎也, 三好 実人, 江川 孝志
第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 日本学術振興会 第175委員会
開催年月日： 2018年07月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：ホテルさっぽろ芸文館
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GaN系長波長面発光レーザへ向けたAlInN/GaN多層膜反射鏡
平岩 恵、村永 亘、赤木 孝信、竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智、三好 実人、赤崎 勇
第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
開催年月日： 2018年07月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋大学 東山キャンパスES総合館ESホール
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AlInN/AlGaN多周期クラッド層を用いた青色端面発光レーザダイオード
荒川 渓、三好 晃平、竹内 哲也、三好 実人、上山 智、岩谷 素顕、赤崎 勇
第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
開催年月日： 2018年07月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：名古屋大学 東山キャンパスES総合館ESホール
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High-quality AlInN films grown by MOCVD with film thicknesses up to 500 nm 国際会議
Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIX)
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara Kasugano International Forum, Japan
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A novel AlGaN-channel 2DEG heterostructure employing a quaternary InAlGaN barrier layer and its thermal stability of 2DEG properties 国際会議
Daiki Hosomi, Heng Chen, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIX)
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara Kasugano International Forum, Japan
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InGaN/GaN MQW solar cells grown by MOCVD with spectral response extending out to 540 nm 国際会議
Hiroki Harada, Takuma Mori, Bilguun Dorjdagva, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIX)
開催年月日： 2018年06月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Nara Kasugano International Forum, Japan
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MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価
細見 大樹、陳 桁、江川 孝志、三好 実人
第65回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第65回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
第65回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日： 2018年03月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 西早稲田キャンパス
