講演・口頭発表等 - 三好 実人
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 招待あり
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス 国名:日本国
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多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討
今泉 輝、間瀬 晃、 江川 孝志、 三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:東京理科大学 野田キャンパス+オンライン 国名:日本国
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単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8NチャネルHFET
鈴木 仁、米谷 宜展、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:東京理科大学 野田キャンパス+オンライン 国名:日本国
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討
石田 颯汰朗、小嶋 智輝、江川 孝志、三好 実人
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:東京理科大学 野田キャンパス+オンライン 国名:日本国
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Study on crystal quality improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transducers for OWPT systems 国際会議
Sotaro Ishida, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:Chubu University, Japan 国名:日本国
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Demonstration of GaN-based npn HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as a p-type base region 国際会議
Ryosei Inoue, Tomoki Kojima, Akira Mase, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:Chubu University, Japan 国名:日本国
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N-polar Al0.2Ga0.8N-channel HFETs fabricated on single-crystal AlN substrate 国際会議
Hitoshi Suzuki, Yoshinobu Kometani, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年03月
開催年月日: 2025年03月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:Chubu University, Japan 国名:日本国
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GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
小嶋 智輝、石田 颯汰朗、江川 孝志、三好実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024年11月
開催年月日: 2024年11月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:名古屋工業大学 国名:日本国
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GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024年11月
開催年月日: 2024年11月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:名古屋工業大学 国名:日本国
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GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討
井上 諒星、小嶋 智輝、間瀬 晃、江川 孝志、三好 実人
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日: 2024年09月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング 国名:日本国
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光無線給電用InGaN太陽電池の光学損失の検討
鈴木 淳一、高橋 龍成、金子 優翔、青山 怜央、古賀 誠啓、渋井 駿昌、野口 尊央、林 駿希、藤澤 孝博、伊井 詩織、渡邊 琉加、深町 俊彦、難波江 宏一、三好 実人、竹内 哲也、上山 智、内田 史朗
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日: 2024年09月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング 国名:日本国
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GaN の光熱偏向分光スペクトルと吸収係数の関係に関する考察
夏目 果代子、野田 幸樹、西畑 陽貴、今井 大地、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月
開催年月日: 2024年09月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:朱鷺メッセ、ホテル日航新潟、新潟万代島ビルディング 国名:日本国
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Simulation study on GaN-based npn HBTs with MQW structured p-base region 国際会議
Ryosei Inoue, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
開催年月日: 2024年08月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:Sendai Sunplaza Hotel, Sendai, Japan
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Near-UV photoelectric transducers for OWPT systems based on GaInN multiple quantum-well structures 招待あり 国際会議
Makoto Miyoshi
The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024年04月
開催年月日: 2024年04月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(招待・特別)
開催地:PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN 国名:日本国
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Wavelength dependence of temperature characteristics of InGaN photodetectors for optical wireless power supply 国際会議
Junichi Suzuki, Shunki Hayashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Ryusei Takahashi, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024年04月
開催年月日: 2024年04月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:PACIFICO Yokohama, Kanagawa, JAPAN 国名:日本国
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厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製
加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年04月
開催年月日: 2024年03月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:東京都市大学 世田谷キャンパス+オンライン 国名:日本国
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四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価 招待あり
滝本 将也、間瀬 晃、小嶋 智輝、井上 諒星、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会総合大会 2024年03月
開催年月日: 2024年03月
記述言語:日本語 会議種別:口頭発表(招待・特別)
開催地:広島大学 国名:日本国
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Fabrication of high AlN-mole-fraction Al0.7Ga0.3N channel HFETs using a single-crystal AlN substrate 国際会議
Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024) 2024年03月
開催年月日: 2024年03月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:Nagoya University, Japan 国名:日本国
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InGaN photovoltaic cells for applications in laser power beaming 国際会議
Masahiro Koga, Shunsuke Shibui, Ryusei Takahashi, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Shunki Hayashi, Takahiro Fujisawa, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida
SPIE Photonics West 2024 2024年01月
開催年月日: 2024年01月 - 2024年02月
記述言語:英語 会議種別:口頭発表(一般)
開催地:Moscone Center, San Francisco, CA, US 国名:アメリカ合衆国
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GaN、AlGaN系半導体デバイスの進展 ~ワイドバンドギャップから超ワイドバンドギャップへ~ 招待あり
次世代パワー半導体(GaN・酸化ガリウム・ダイヤモンド半導体)の基礎と最新技術およびデバイス開発への応用 2023年12月
開催年月日: 2023年12月
記述言語:日本語 会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等
開催地:オンライン 国名:日本国