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InGaN MQW太陽電池における光応答波長の広域化に関する研究
原田 紘希、森 拓磨、Dorjdagva Bilguun、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
第65回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2018.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：早稲田大学 西早稲田キャンパス
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XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2017.11 - 2017.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨、 太田 美希、 原田 紘希、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2017.11 - 2017.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋工業大学
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Device design for avalanche operation of solar-blind AlGaN-based PiN type UV photodiodes International conference
Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
Event date： 2017.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Kyushu University, Japan
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Performance improvements of AlGaN deep ultraviolet light emitter via a 20-nm-thick n-AlGaN underlying layer International conference
Lei Li, Yuta Miyachi, Tatsuya Tsutsumi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
Event date： 2017.11
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Kyushu University, Japan
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ヘテロ界面平坦性改善による InAlN/AlGaN HFET 構造の移動度向上
細見 大樹、宮地 祐太、江川 孝志、三好 実人
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
Event date： 2017.11
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：名古屋国際会議場
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Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface International conference
Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
Event date： 2017.09
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Sendai International Center, Japan
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格子整合系InAlN/AlGaNヘテロ構造を用いた電界効果UVフォトトランジスタ
細見 大樹、岡田 真由子、李 磊、江川 孝志、三好 実人
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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MOCVD法によるp-down構造InGaN/GaN MQW太陽電池の作製
森 拓磨、原田 紘希、三好 実人、江川 孝志
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の結晶評価～ヘテロ界面平坦性とAlGaN初期成長条件との関係～
細見 大樹、江川 孝志、三好 実人
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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プラズマエッチング処理ならびにAl2O3-ALD成膜プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定
中島 陸、森 拓磨、細見 大樹、江川孝志、三好 実人
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
Event date： 2017.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
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Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN 2DEG heterostructures and filed-effect transistors for high power applications International conference
Makoto Miyoshi, Daiki Hosomi, Mayuko Okada, Riku Nakashima, Joseph J. Freedsman, Takashi Egawa
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
Event date： 2017.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Strasbourg Convention Center, France
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High-performance ultraviolet photodetectors based on lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors gated by transparent ITO films International conference
Lei Li, Daiki Hosomi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
Event date： 2017.07
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg Convention Center, France
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Influence of underlying substrates on material and device properties of MOCVD-grown InGaN/GaN MQW solar cells International conference
Makoto Miyoshi, Miki Ohta, Takuma Mori, Takashi Egawa
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
Event date： 2017.07
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Strasbourg Convention Center, France
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MOCVD法によって成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における成長基板の影響
太田 美希、森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
第64回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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Niパターン凝集を用いて作成したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作成
有馬 幸記、三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
第64回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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ヘテロ界面平坦性改善によるInAlN/AlGaN HFET構造の移動度向上
細見 大樹, 宮地 祐太, 三好 実人, 江川 孝志
第64回 応用物理学会春季学術講演会
Event date： 2017.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：パシフィコ横浜
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Self-forming Graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique International conference
Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2017)
Event date： 2017.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Chubu University, Japan
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MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨、三好 実人、江川 孝志
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
Event date： 2016.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：京都大学 桂キャンパス
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Si基板上に歪層超格子を介して成長したGaN結晶内における転位反応
菅原 義弘、石川 由加里、渡辺 新、三好 実人、江川 孝志
2016 真空・表面科学合同講演会 日本表面科学会
Event date： 2016.11 - 2016.12
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：名古屋国際会議場
