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ZnO 透明電極を用いたGaN 系LED の特性改善
赤塚 雄太、江川 孝志、三好 実人
第75回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2014.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：北海道大学札幌キャンパス
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Co 触媒を用いた絶縁基板上グラフェン形成
水野 正也、伴野 和也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曾我 哲夫
第61回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
Event date： 2014.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：青山学院大学相模原キャンパス
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パルスアークプラズマ蒸着によるSiO2/Si(111) 基板上グラフェン層の形成Ⅲ
伴野 和也、水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曽我 哲夫
第61回応用物理学会春季学術講演会 公益社団法人 応用物理学会
Event date： 2014.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：青山学院大学相模原キャンパス
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Graphene Synthesis on SiO2/Si(111) Via Agglomeration Phenomena of Catalytic Nickel Films International conference
K. Banno, M. Mizuno, M. Miyoshi, T. Kubo, T. Egawa, T. Soga
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2014)
Event date： 2014.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Meijo University, Japan
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Formation of Graphene Layer on SiO2/Si(111) with Co Catalyst International conference
M. Mizuno, K. Banno, T. Egawa, T. Kubo, M. Miyoshi, T. Soga
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2014)
Event date： 2014.03
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Meijo University, Japan
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Co触媒の凝集を伴うグラフェン形成の観察
水野 正也、伴野 和也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曾我 哲夫
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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パルスアークプラズマによるSiO2/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅱ
伴野 和也、水野 正也、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志、曾我 哲夫
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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InAlGaNを活性層に用いた深紫外LEDに関する研究
加藤 正隆、三好 実人、江川 孝志
第74回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
Event date： 2013.09
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：同志社大学京田辺キャンパス
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Estimation of bound interface density of AlInN/GaN hetero-structures International conference
O. Oda, A. Wakejima, M. Miyoshi, T. Egawa
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)
Event date： 2013.01 - 2013.02
Language：English Presentation type：Poster presentation
Venue：Nagoya University, Japan
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InAlN/GaN HEMT structures on 4-in silicon grown by MOCVD International conference
M. Miyoshi, S. Sumiya, M. Ichimura, T. Sugiyama, S. Maehara, M. Tanaka and T. Egawa
The 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2010)
Event date： 2010.06 - 2010.07
Language：English Presentation type：Oral presentation (invited, special)
Venue：Tokyo Institute of Technology, Japan
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MOCVD法により作製した格子整合系InAlN/GaN HEMTのデバイス特性評価
三好 実人、J. Selvaraj、倉岡 義孝、田中 光浩、江川 孝志
第69回 応用物理学会学術講演会
Event date： 2008.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Electrical characteristics in MOCVD-grown lattice-matched InAlN/GaN HEMTs
M. Miyoshi, Y. Kuraoka, J. Selvaraj, M. Tanaka, T. Egawa
第27回電子材料シンポジウム
Event date： 2008.07
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
Venue：ラフォーレ修善寺
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MOCVD 法による格子整合系InAlN/GaN HEMT エピウェハーの作製とその特性評価
三好 実人、倉岡 義孝、田中 光浩、江川 孝志
第55回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2008.03
Language：Japanese Presentation type：Poster presentation
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AlN テンプレート上へのGaN 系ショットキーダイオードの作製ならびに水素ガスセンサーへの応用
三好 実人、倉岡 義孝、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、江川 孝志
日本セラミックス協会 第20回秋季シンポジウム
Event date： 2007.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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高電子移動度AlGaN/AlN/GaN 構造を用いた横型ショットキーバリアダイオードの作製
三好 実人、倉岡 義孝、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、江川 孝志
第54回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2007.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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AlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
第52回 応用物理学関係連合講演会
Event date： 2005.03
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好 実人、今西 敦、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
電子情報通信学会 MW/ED研究会
Event date： 2005.01
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
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Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates International conference
M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda
The 50th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2004)
Event date： 2004.12
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Hilton San Francisco Union Square Hotel, CA US
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High performance AlGaN/AlN/GaN HEMTs grown on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates by MOVPE International conference
M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda
The 26th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (CSICS 2004, Formerly GaAs IC Symposium)
Event date： 2004.10
Language：English Presentation type：Oral presentation (general)
Venue：Monterey Marriott, CA, US
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MOVPE法による100mm径AlN/サファイアテンプレート上への高電子移動度AlGaN/AlN/GaN ヘテロ構造の作製
三好 実人、石川 博康、江川 孝志、浅井 圭一郎、毛利 光宏、柴田 智彦、田中 光浩、小田 修
第65回 応用物理学会学術講演会
Event date： 2004.09
Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)
